Пластиковый mosfet силы DarliCM GROUPon комплементарный, транзисторы силы 2N6038 кремния

Номер модели:2N6038

Место происхождения:Первоначальная фабрика

Количество минимального заказа:20

Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal

Способность поставки:10000

Срок поставки:1 день

контакт

Add to Cart

CO. группы ChongMing (HK) международное, Ltd

Активный участник

Shenzhen China

Адрес: Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.

последний раз поставщика входа: в рамках 48 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

Пластиковый mosfet силы DarliCM GROUPon комплементарный, транзисторы силы 2N6038 кремния

Пластиковые транзисторы силы кремния DarliCM GROUPon комплементарные конструированы для общецелевого усилителя и low−speed переключая применений.

• Высокое увеличение DC настоящее — ^hFE = 2000 (тип) @ IC = 2,0 Adc

• Напряжение тока коллектор- эмиттера терпя — @ mAdc 100

VCEO _(sus) = 60 Vdc (минута) — 2N6035, 2N6038 = 80 Vdc

(Минута) — 2N6036, 2N6039

• Передняя склоненная возможность второго нервного расстройства настоящая IS/b = 1,5 Adc @ 25 Vdc

• Монолитовая конструкция с встроенными резисторами Основани-излучателя к умножению LimitELeakage

• Пакет коэффициента TO-225AA Представлени-к-цены Космос-сбережений высокий пластиковый

**МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ**
Оценка	Символ	Значение	Блок
Напряжение тока 2N6034 Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039	VCEO	40 60 80	Vdc
Напряжение тока 2N6034 Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039	VCBO	40 60 80	Vdc
Напряжение тока Emitter−Base	VEBO	5,0	Vdc
Течение сборника Непрерывный Пик	IC	4,0 8,0	Adc Apk
Ток базы	IB	100	mAdc
Полная диссипация прибора @ TC = 25°C Derate над 25°C	PD	40 320	W mW/°C
Полная диссипация прибора @ TC = 25°C Derate над 25°C	PD	1,5 12	W mW/°C
Диапазон температур соединения работать и хранения	TJ, Tstg	– 65 до +150	°C

**ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ**
Характеристика	Символ	Макс	Блок
Термальное сопротивление, Junction−to−Case	RJC	3,12	°C/W
Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient	RJA	83,3	°C/W

Стрессы превышая максимальные оценки могут повредить прибор. Максимальные оценки оценки стресса только. Функциональная деятельность над порекомендованными эксплуатационными режимами не подразумевается. Расширенное подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на надежность прибора.

**ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ** (TC = 25C если не указано иное)
Характеристика	Символ	Минута	Макс	Блок
С ХАРАКТЕРИСТИК
Напряжение тока Collector−Emitter терпя (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039	VCEO _(sus)	40 60 80	-- -- --	Vdc
Течение Collector−Cutoff (VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6036, 2N6039	ICEO	-- -- --	100 100 100	uA
Течение Collector−Cutoff (VCE = 40 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE () = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6036, 2N6039	ICEX	-- -- -- -- -- --	100 100 100 500 500 500	uA
Течение Collector−Cutoff (VCB = 40 Vdc, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N6036, 2N6039	ICBO	-- -- --	0,5 0,5 0,5	mAdc
Течение Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 Vdc, IC = 0)	IEBO	--	2,0	mAdc
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ
Увеличение DC настоящее (IC = 0,5 Adc, VCE = 3,0 Vdc) (IC = 2,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) (IC = 4,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc)	^hFE	500 750 100	-- 15 000 --	--
Напряжение тока сатурации Collector−Emitter (IC = 2,0 Adc, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 Adc, IB = mAdc 40)	VCE _(сидел)	-- --	2,0 3,0	Vdc
Напряжение тока сатурации Base−Emitter (IC = 4,0 Adc, IB = mAdc 40)	VBE _(сидел)	--	4,0	Vdc
Base−Emitter на напряжении тока (IC = 2,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc)	VBE _{(дальше)}	--	2,8	Vdc
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1,0 MHz)	\|hfe\|	25	--	--
Емкость выхода (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0,1 MHz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039	Удар	-- --	200 100	pF

*Indicates JEDEC зарегистрировали данные.

Профиль Компании

CO. ГРУППЫ CHONGMING (HK) МЕЖДУНАРОДНОЕ, LTD. размещало в Гонконге и Шэньчжэне. Мы независимый раздатчик электронных блоков, установленный в 2008. КАК растущая быстрая компания, ГРУППА СМ известна для своих мирового класса эффективности, превосходных обслуживаний, и экстраординарных способностей поставить электронные блоки которые трудны для обнаружения и даже устарелый. Мы принимали гордость в наших нововведении, надежности и обслуживании, особенно в рынке полупроводника.
Наши бренды распределения включают XILINX, ALTERA, ATMEL, INFINEON, ST, SAMSUNG, TEXAS INSTRUMENTS, ДАЛЬШЕ, ТОШИБА, NXP, МИКРОСХЕМУ, КИПАРИС, FREESCALE, etc. мы распределяем над 200 000 продуктами выстраивая в ряд от полупроводников к резисторам, конденсаторы, диоды, индукторы, соединители, транзисторы, датчики и так далее.
Наша миссия встретить и превысить все expecations чего мы поставляем к клиентам.

Метки товара:

Мосфет типа улучшения p-тип мосфета Мосфеты типа p

Пластиковый mosfet силы DarliCM GROUPon комплементарный, транзисторы силы 2N6038 кремния

Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9