Транзистор 19A Mosfet силы mosfet ic силы IRF9540, 100V, 0,200 ома, MOSFETs силы P-канала
Номер модели:IRF9540
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:8600pcs
Срок поставки:1 день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
IRF9540, RF1S9540SM
19A, 100V, 0,200 ома, MOSFETs силы P-канала
Эти транзисторы влияния поля силы ворот кремния режима повышения P-канала. Они выдвинутые MOSFETs силы конструированные, испытанные, и гарантированные для того чтобы выдержать определенный уровень энергии в режиме лавины нервного расстройства деятельности. Весь из этих MOSFETs силы конструированы для применений как регуляторы переключения, переключая конвертеры, водители мотора, водители реле, и водители для транзисторов переключения наивысшей мощности двухполярных требуя высокоскоростной и низкой силы привода ворот. Их можно эксплуатировать сразу от интегральных схема.
В прошлом отработочный тип TA17521.
Особенности
• 19A, 100V
• rDS (ДАЛЬШЕ) = 0.200Ω
• Одиночная энергия лавины ИМПа ульс расклассифицировала
• SOA ограничиваемая диссипация силы
• Скорости переключения наносекунды
• Линейные характеристики передачи
• Высокое входное комплексное сопротивление
• Родственная литература - TB334 «директивы для паяя поверхностных компонентов держателя к доскам ПК»
Абсолютный максимум оценок TC = 25℃, если не указано иное
| ПАРАМЕТР | СИМВОЛ | IRF9540, RF1S9540SM | БЛОКИ |
| Стеките к напряжению тока источника (примечанию 1) | VDS | -100 | V |
| Стеките для того чтобы отстробировать напряжение тока (RGS = 20kΩ) (примечание 1) | VDGR | -100 | V |
Непрерывное течение стока TC = 100℃ | ID | -19 -12 | |
| Пульсированное течение стока (примечание 3) | IDM | -76 | |
| Ворота к напряжению тока источника | VGS | ±20 | V |
| Максимальная диссипация силы (диаграмма 1) | PD | 150 | W |
| Линейный коэффициент снижения номинальной мощности (диаграмма 1) | 1 | W/℃ | |
| Одиночная оценка энергии лавины ИМПа ульс (примечание 4) | EAS | 960 | mJ |
| Температура работать и хранения | TJ, TSTG | -55 до 175 | ℃ |
Максимальная температура для паять Руководства на 0.063in (1.6mm) от случая для 10s Тело пакета для 10s, видит Techbrief 334 | TL Tpkg | 300 260 | ℃ ℃ |
ПРЕДОСТОРЕЖЕНИЕ: Стрессы над теми перечисленными в «абсолютном максимуме оценок» могут причинить постоянное повреждение к прибору. Это оценка стресса единственная и не подразумевается деятельность прибора на этих или всех других условий над теми показанными в рабочих разделах этой спецификации.
ПРИМЕЧАНИЕ: 1. TJ = 25℃ к 150℃.
Символ
Упаковка
JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB
Цепи и формы волны теста
Предложение запаса (горячее надувательство)
| Номер детали. | Q'ty | MFG | D/C | Пакет |
| L8581AAE | 2861 | СВЕТЯЩИЙСЯ | 15+ | SOP16 |
| NUD4001DR2G | 5160 | НА | 10+ | SOP-8 |
| LM431SCCMFX | 40000 | FAI | 14+ | SOT-23-3 |
| 40TPS12APBF | 2960 | VISHAY | 13+ | TO-247 |
| MMBT5089LT1G | 40000 | НА | 16+ | SOT-23 |
| MAX8505EEE+ | 8529 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | QSOP |
| MAX1556ETB+T | 5950 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | QFN |
Транзистор 19A Mosfet силы mosfet ic силы IRF9540, 100V, 0,200 ома, MOSFETs силы P-канала
Запрос Корзина
0