китай категории
Русский язык

Страница интегральных схема M25PE16-VMW6TG линейная - стираемая серийная флэш-память

Номер модели:M25PE16-VMW6TG
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:20pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:50000pcs
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen China
Адрес: Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

M25PE16

16-Mbit, страниц-стираемая серийная флэш-память с байт-alterability, 75 автобусом MHz SPI, стандартным pinout


Особенности

Последовательный интерфейс автобуса SPI совместимый

■страниц-стираемая флэш-память 16-Mbit

■Размер страницы: 256 байт

– Страница пишет в госпоже 11 (типичной)

– Программа страницы в 0,8 госпожах (типичных)

– Стирание страницы в госпоже 10 (типичной)

■Стирание подсектора (4 кбайта)


Стирание участка (64 кбайта)

■Оптовое стирание (16 Mbits)

■2,7 v до одиночной подаче напряжения 3,6 v

■Ход часов 75 MHz (максимум)

■Глубокое µA режима 1 силы-вниз (типичное)

■Электронная подпись

– Подпись JEDEC стандартная двубайтовая (8015h)

– Уникальный код ID (UID) с 16 байтами только для чтения, доступный на запросе клиента


Программное обеспечение пишет защиту на основание участка 64-Kbyte

■Оборудование пишет защиту области памяти выбранной используя биты BP0, BP1 и BP2

■Больше чем 100 000 пишут циклы

■Больше чем 20 лет удерживания данных

■Пакеты – ECOPACK® (RoHS уступчивое)


Описание

M25PE16 16-Mbit (флэш-память × 2 Mbits 8) серийная вызванная получать доступ к высокоскоростным SPI-совместимым автобусом.

Память можно написать, что или запрограммированные 1 до 256 байт одновременно, используя страницу написала или вызвала инструктирование по программе. Страница пишет инструкцию состоит из интегрированного цикла стирания страницы следовать циклом программы страницы.


Память организована как 32 участка который самые дальние разделенный вверх в 16 подсекторов каждое (512 подсектора в итоге). Каждый участок содержит 256 страниц и каждый подсектор содержит 16 страниц. Каждая страница байт 256 широко. Таким образом, всю память можно осмотреть как состоять из 8192 страниц, или 2 097 152 байта.


Память можно стереть страницу одновременно, используя инструкцию стирания страницы, подсектор одновременно, используя инструкцию стирания подсектора, участок одновременно, используя инструкцию стирания участка, или в целом, используя оптовую инструкцию стирания.


Память может быть защищена от записи или оборудованием или программным обеспечением используя смешанные испаряющие и слаболетучие особенности защиты, в зависимости от потребностей применения. Степень детализации защиты 64 кбайтов (степени детализации участка).


Максимальная оценка

Усиливать прибор над оценкой перечисленной в абсолютном максимуме оценок может причинить постоянное повреждение к прибору. Эти оценки стресса только и не подразумевается деятельность прибора на этих или всех других условий над теми показанными в работая разделах этой спецификации. Подвержение к абсолютному максимуму классифицируя условий на выдвинутые периоды может повлиять на надежность прибора.


СимволПараметрMIN.Максимальный.Блок
TSTGТемпература хранения– 65150°C
TLEADТемпература руководства во время паять(1)°C
VIOНапряжение тока входа и выхода (по отношению к земле)– 0,6VCC + 0,6V
VCCПодача напряжения– 0,64,0V
VESDЭлектростатическое разрядное напряжение (модель человеческого тела) (2)– 20002000V

Примечание:

1. Уступчивый с JEDEC Std J-STD-020C (для небольших тела, собрания Sn-Pb или Pb), спецификацией Numonyx ECOPACK® 7191395, и европейской директивой на ограничениях на опасных веществах (RoHS) 2002/95/EU.

2. JEDEC Std JESD22-A114A (Ω pF, R1=1500 C1=100, Ω R2=500).


Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.КоличествоБрендD/CПакет
MAX668EUB+5357СЕНТЕНЦИЯ10+MSOP
MURF860G7793НА12+TO-220
PBSS5540Z1000016+SOT-23
MCR8SNG5788НА13+TO-220
LM6181IMX-81636NSC15+SOP-8
MC74HC4066DR2G38000НА14+SOP
CSD100602520HWCAT14+QFP
CSD060602509HWCAT15+QFP
MCP601T-I/OT10000МИКРОСХЕМА16+SOT23-5
BKP2125HS600-T23000TAIYO15+SMD
BK1608LM252-T52000TAIYO15+SMD
CLC001AJE1860NS11+SOP8
LM5106MM3219TI15+VSSOP-10
XRT7300IV500EXAR00+QFP44
CS5530A-UCE936NS00+BGA
CS5536AD914AMD11+BGA
PIC16F887-I/SP4768МИКРОСХЕМА15+ПОГРУЖЕНИЕ
LT3580EMS8E13382ЛИНЕЙНЫЙ16+MSOP
MC9S08AC128CFUE4522FREESCALE14+QFP
LAN91C111-NS980SMSC13+QFP-128
NCP1014AP100G8640НА11+ПОГРУЖЕНИЕ
NCP1055P100G9360НА11+ПОГРУЖЕНИЕ
NCP1014ST100T3G8800НА10+SOT-223
MAX8647ETE8773СЕНТЕНЦИЯ16+QFN
MP020-55679MPS16+SOP
NCP1075P065G9520НА13+ПОГРУЖЕНИЕ
NCP1027P100G9120НА15+ПОГРУЖЕНИЕ
NCP1014AP065G8560НА13+ПОГРУЖЕНИЕ
NCP1027P065G9040НА10+ПОГРУЖЕНИЕ
NCP1014APL065R2G8720НА15+SMD

China Страница интегральных схема M25PE16-VMW6TG линейная - стираемая серийная флэш-память supplier

Страница интегральных схема M25PE16-VMW6TG линейная - стираемая серийная флэш-память

Запрос Корзина 0