GaAs Ired & фото - транзистор, Programmable регулятор TLP504A-2
Номер модели:TLP504A-2
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:4800pcs
Срок поставки:1 день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor ТОШИБА
TLP504A, TLP504A−2
AC Programmable регуляторов/реле модуля DC−Input полупроводниковое
ТОШИБА TLP504A и TLP504A−2 состоит из photo−transistor оптически соединенного к диоду арсенида галлия ультракрасному испуская.
TLP504A предлагает 2 изолированных канала в пакет ПОГРУЖЕНИЯ 8 руководств пластиковый, пока TLP504A−2 обеспечивает 4 изолированных канала в пластиковый пакет ПОГРУЖЕНИЯ 16.
• Напряжение тока Collector−emitter: 55 v (MIN.)
• Отношение выходного тока к току на входе: ряд GB 50% (MIN.): 100% (MIN.)
• Напряжение тока изоляции: 2500 Vrms (MIN.)
• UL узнал: UL1577,
Но. E67349 файла
Конфигурации Pin (взгляд сверху)
Абсолютный максимум оценок (животиков = 25°C)
| Характеристика | Символ | Оценка | Блок | ||
| TLP504A | TLP504A−2 | ||||
| СИД | Пропускной ток | ЕСЛИ | 60 | 50 | мамы |
| Derating пропускного тока | ΔIF/°C | −0.7 (≥ 39°C животиков) | −0.5 (≥ 25°C животиков) | мамы/°C | |
| Пропускной ток ИМПа ульс | IFP | 1 (100μs ИМП ульс, 100pps) | |||
| Обратное напряжение | VR | 5 | V | ||
| Температура соединения | Tj | 125 | °C | ||
| Детектор | Напряжение тока Collector−emitter | VCEO | 55 | V | |
| Напряжение тока Emitter−collector | VECO | 7 | V | ||
| Течение сборника | IC | 50 | мамы | ||
| Диссипация силы сборника (1 цепь) | ПК | 150 | 100 | mW | |
Derating диссипации силы сборника (1 ≥ 25°C животиков цепи) | ΔPC/°C | -1,5 | -1,0 | mW/°C | |
| Температура соединения | Tj | 125 | °C | ||
| Диапазон температур хранения | Tstg | −55~150 | °C | ||
| Температурная амплитуда рабочей температуры | Topr | −55~100 | °C | ||
| Температура руководства паяя | Tsol | 260 (10 s) | °C | ||
| Полная диссипация силы пакета | RT | 250 | 150 | mW | |
Полный derating диссипации силы пакета (≥ 25°C животиков) | ΔPT/°C | -2,5 | -1,5 | mW/°C | |
| Напряжение тока изоляции | BVS | 2500 (AC, 1min., R.H.≤ 60%) (Примечание 1) | Vrms | ||
Примечание: Используя непрерывно под тяжелыми грузами (например применением высокой температуры/настоящий/напряжение тока и значительный изменение в температуре, etc.) смогите причинить этот продукт уменьшить в надежности значительно даже если эксплуатационные режимы (т.е. рабочая температура/настоящее/напряжение тока, etc.) в пределах абсолютного максимума оценок.
Пожалуйста конструируйте соотвествующую надежность по рассмотрение руководства надежности полупроводника Тошиба («регулирующ» мер предосторожности/«Derating концепция и методы ") и индивидуальных данных по надежности (т.е. отчет по испытанию надежности и оцененные интенсивность отказов, etc).
Примечание 1: Прибор учитывал 2 конечным устройством: Штыри СИД бортовые замкнули накоротко совместно и штыри стороны детектора замкнутые накоротко совместно.
GaAs Ired & фото - транзистор, Programmable регулятор TLP504A-2
Запрос Корзина
0