китай категории
Русский язык

Новый & первоначальный двойной водитель MIC4426BN MOSFET Низко-стороны 1.5A-Peak

Номер модели:MIC4426BN
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:4800pcs
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen China
Адрес: Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

MIC4426/4427/4428

Двойной водитель MOSFET Низко-стороны 1.5A-Peak


Общее описание

Семья MIC4426/4427/4428 высок-надежные двойные водители MOSFET lowside изготовленные на процессе BiCMOS/DMOS для потребления и высокой эффективности низкой мощности. Эти водители переводят уровни логики входной сигнал TTL или CMOS для того чтобы вывести наружу уровни напряжения тока которые отбрасывают в пределах 25mV положительных поставки или земли. Соответствующие двухполярные приборы способны на отбрасывать только к в пределах 1V поставки. MIC4426/7/8 доступно в 3 конфигурациях: двойной переворачивать, двойной noninverting, и одно переворачивая плюс один noninverting выход. MIC4426/4427/4428 штыр-совместимые замены для MIC426/427/428 и MIC1426/1427/1428 с улучшенным электрическим представлением и изрезанным дизайном (см. списки замены прибора на следующей странице). Они могут выдержать до 500mA обратного течения (также полярности) без запирать на задвижку и до шипов шума 5V (любой полярности) на земных штырях.


Главным образом запланированный для MOSFETs мощности привода, водители MIC4426/7/8 соответствующие для управлять другими нагрузками (емкостный, сопротивляющийся, или индуктивный) которые требуют низко-импеданса, высокого пикового течения, и быстрого переключая времени. Другие применения включают управлять тяжело нагруженными линиями часов, коаксиальными кабелями, или пьезоэлектрическими датчиками. Единственное ограничение нагрузки что полная диссипация силы водителя не должна выходить за пределы пакета.


Особенности

• Конструкция Bipolar/CMOS/DMOS

• Предохранение от захвата к течению обратного >500mA

• течение выхода 1.5A-peak

• 4.5V к рабочему диапазону 18V

• Низкое спокойное течение поставки

4mA на логике 1 входной сигнал

400µA на логике 0 входных сигналов

• Переключатели 1000pF в 25ns

• Соответствуют времена подъема и rall

• импеданс выхода 7Ω

• < 40ns="" typical="" delay="">

• независимый порога Логик-входного сигнала подачи напряжения

• предохранение от Логик-входного сигнала к – 5V

• типичная соответствующая входная емкость 6pF

• максимальное смещение выхода 25mV от поставки или земли

• Заменяет MIC426/427/428 и MIC1426/1427/1428

• Двойной переворачивать, двойной noninverting, и переворачивать noninverting конфигурации

• Предохранение от ESD


Применения

• Водитель MOSFET

• Водитель на линии часов

• Водитель кабеля коаксиала

• Водитель датчика Piezoelectic


Функциональная диаграмма


Конфигурация Pin


Описание Pin

Секретный номерИмя PinФункция Pin
1,8NCне внутренне соединенный
2INAВходной сигнал контроля a: Входной сигнал логики TTL/CMOS совместимый.
3GNDЗемля
4INBВходной сигнал контроля b: Входной сигнал логики TTL/CMOS совместимый.
5OUTBВыход b: Выход тотемного столба CMOS.
6ПРОТИВВходной сигнал поставки: +4.5V к +18V
7OUTAВыход a: Выход тотемного столба CMOS.

Абсолютный максимум оценок (примечания 1)

Подача напряжения (ПРОТИВ) .................................................... +22V

Ввод напряжения (VIN) ......................... ПРОТИВ + 0.3V к GND – 5V

Температура соединения (TJ) ........................................ 150°C

Температура хранения ............................... – 65°C к +150°C

Температура руководства (sec 10.) ...................................... 300°C

Оценка ESD, примечание 3


Работая оценки (примечание 2)

Подача напряжения (ПРОТИВ) ..................................... +4.5V к +18V

Диапазон температур (ЖИВОТИКИ)

(A) ........................................................ – 55°C к +125°C

(B) .......................................................... – 40°C к +85°C

Сопротивление пакета термальное

ΘJA ............................................................ 130°C/W PDIP

ΘJC ............................................................. 42°C/W PDIP

ΘJA ........................................................... 120°C/W SOIC

ΘJC ............................................................. 75°C/W SOIC

ΘJC ......................................................... 250°C/W MSOP


Цепи теста


China Новый & первоначальный двойной водитель MIC4426BN MOSFET Низко-стороны 1.5A-Peak supplier

Новый & первоначальный двойной водитель MIC4426BN MOSFET Низко-стороны 1.5A-Peak

Запрос Корзина 0