Неэтилированный транзистор Mosfet канала n, транзистор IRF640NPBF Mosfet 200V 18A высокоскоростной
Номер модели:IRF640NPBF
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:100000pcs
Срок поставки:1-3days
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Канал 200V 18A Trans n ПОГРУЖЕНИЯ IRF640NPBF переключая транзистор силы MOSFET
Описание
MOSFET s силы ® пятого поколения HEXFET от международного
выпрямителя тока использует предварительные методы обработки
достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния. Это
преимущество, совмещенное с быстрой переключая скоростью и
усиливанным дизайном прибора которой MOSFETs силы HEXFET известный
для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным
прибором для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех
коммерчески-промышленных применений на уровнях диссипации силы до
приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и низкая
цена пакета TO-220 вносят вклад в свое широкое принятие в течении
индустрии.
D2Пакповерхностныйпакетсилыдержателяспособныйнаприспосабливать,
которыйнужноумеретьразмерыдоHEX-4. Онобеспечиваетвозможностьсамой
высокойсилыипредельно
низкоенасопротивлениивлюбомсуществующемповерхностномпакетедержателя.
D2Паксоответствующийдлясильнотоковыхпримененийиз-засвоегонизкоговнутреннегосопротивлениясоединенияиможетрассеятьдо2.0Wвтипичномповерхностномприменениидержателя.
Версия через-отверстия (IRF640NL) доступна для применения
низкопрофильного.
Особенность
l выдвинул технологический прочесс
l динамическая оценка dv/dt
l 175°C работая emperature t
l быстрое переключение
l полно расклассифицированная лавина
l легкость проходить параллельно
l простые требования к привода
l неэтилированный
Пакет
Неэтилированный транзистор Mosfet канала n, транзистор IRF640NPBF Mosfet 200V 18A высокоскоростной
Запрос Корзина
0