FM24CL04B-GTR 4 - память Kbit не испаряющая, интерфейс серийной флэш-памяти быстрый I2C FRAM
Номер модели:FM24CL04B
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:100000pcs
Срок поставки:1-3days
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Вспышка последовательного интерфейса серийная FRAM обломока 4Kbit флэш-памяти FM24CL04B-GTR быстрая двухпрободная
Описание
FM24CL04B энергонезависимая память 4-Kbit используя предварительный
ferroelectric процесс. Ferroelectric оперативное запоминающее
устройство или F-RAM слаболетучи и выполняют читают и пишут
подобное RAM. Он обеспечивает удерживание достоверных данных на 151
лет пока исключающ сложности, накладные расходы, и на уровне систем
проблемы надежности причиненные EEPROM и другими энергонезависимыми
памятями. Не похож на EEPROM, FM24CL04B выполняет для записи
деятельности на скорости автобуса. Никакой напишите задержки
произведите. Данные написаны в массив памяти немедленно после
каждого байта успешно возвращены к прибору. Следующий цикл автобуса
может начать без потребности для полинга данных. К тому же, продукт
предлагает существенное пишет выносливость сравненную с другими
энергонезависимыми памятями. Также, F-RAM показывает гораздо ниже
силу во время пишет чем EEPROM с тех пор пишут деятельность не
требуют внутренне повышенного напряжения тока электропитания для
пишут цепи. FM24CL04B способно на поддерживать прочитанное
1014/пишет циклы, или 100 миллионов времена больше пишут циклы чем
EEPROM. Эти возможности делают идеал для применений
энергонезависимой памяти, требование FM24CL04B частое или быстрый
пишет. Примеры выстраивают в ряд от регистрации данных, где номер
пишет циклы может быть критическим, к требовать промышленным
контролям где длинные пишут время EEPROM могут причинить потерю
данных. Сочетание из отличает позволяет более частым данным писать
с меньше накладных расходов для системы. FM24CL04B снабжает
существенные преимущества потребители сериала (I2C) EEPROM как
оборудование падени-в замене. Спецификации прибора гарантированы
над промышленным диапазоном температур – 40 c к C. +85.
Особенности
■ferroelectric оперативное запоминающее устройство 4-Kbit (F-RAM) логически
организованный как 512 × 8
Высоко-выносливость 100 триллион ❐ (1014) прочитала/пишет
❐ удерживание 151 данному по года (см. удерживание и выносливость данных
на страница 10)
❐ NoDelay™ пишет
Процесс предварительной высоко-надежности ❐ ferroelectric
■Быстрый двухпрободный последовательный интерфейс (I2C)
❐ до частоты 1-MHz
❐ направляет замену оборудования для сериала (I2C) EEPROM
❐ поддерживает времена наследия для 100 КГц и 400 КГц
■Потребление низкой мощности
❐ 100 активный ток на 100 КГц
течение a ❐ 3 (типа) резервное
■Деятельность напряжения тока: VDD = 2,7 v до 3,65 v
■Промышленная температура: – 40 c к +85 c
■пакет интегральной схемаы плана 8 штырей небольшой (SOIC)
■Ограничение опасных веществ (RoHS) уступчивых
■ferroelectric оперативное запоминающее устройство 4-Kbit (F-RAM) логически
организованный как 512 × 8
Высоко-выносливость 100 триллион ❐ (1014) прочитала/пишет
❐ удерживание 151 данному по года (см. удерживание и выносливость данных
на страница 10)
❐ NoDelay™ пишет
Процесс предварительной высоко-надежности ❐ ferroelectric
■Быстрый двухпрободный последовательный интерфейс (I2C)
❐ до частоты 1-MHz
❐ направляет замену оборудования для сериала (I2C) EEPROM
❐ поддерживает времена наследия для 100 КГц и 400 КГц
■Потребление низкой мощности
❐ 100 активный ток на 100 КГц
течение a ❐ 3 (типа) резервное
■Деятельность напряжения тока: VDD = 2,7 v до 3,65 v
■Промышленная температура: – 40 c к +85 c
■пакет интегральной схемаы плана 8 штырей небольшой (SOIC)
■Ограничение опасных веществ (RoHS) уступчивых
Применения
Промышленный, сообщение & сеть
FM24CL04B-GTR 4 - память Kbit не испаряющая, интерфейс серийной флэш-памяти быстрый I2C FRAM
Запрос Корзина
0