Потребление 64Kb серийное 3V низкой мощности обломока FM25CL64B-GTR флэш-памяти F-RAM

Описание:

FM25CL64B — это 64-килобитная энергонезависимая память, в которой используется усовершенствованный ферроэлектрический процесс.Сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом или F-RAM является энергонезависимой и выполняет чтение и запись, как RAM.Он обеспечивает надежное хранение данных в течение 38 лет, устраняя сложности, накладные расходы и проблемы с надежностью на уровне системы, вызванные EEPROM и другими энергонезависимыми запоминающими устройствами.

FM25CL64B выполняет операции записи со скоростью шины.Задержек записи не возникает.Данные записываются в массив памяти сразу после того, как каждый байт был успешно передан на устройство.Следующий цикл шины может начаться немедленно без необходимости опроса данных.Кроме того, по сравнению с другими энергонезависимыми запоминающими устройствами, этот продукт обладает значительной устойчивостью к записи.FM25CL64B способен поддерживать 1014 циклов чтения/записи, или в 100 миллионов раз больше циклов записи, чем EEPROM.

Эти возможности делают FM25CL64B идеальным решением для приложений с энергонезависимой памятью, требующих частой или быстрой записи.Примеры варьируются от сбора данных, где количество циклов записи может быть критическим, до требовательных промышленных систем управления, где длительное время записи EEPROM может привести к потере данных.

FM25CL64B обеспечивает существенные преимущества для пользователей последовательной EEPROM в качестве аппаратной замены.FM25CL64B использует высокоскоростную шину SPI, которая расширяет возможности высокоскоростной записи технологии F-RAM.Характеристики устройства гарантированы в промышленном диапазоне температур от -40°C до +85°C.

Стандартные функции

Сегнетоэлектрическая энергонезависимая ОЗУ 64 Кбит
 Организовано как 8192 x 8 бит
 Высокая надежность 100 триллионов (1014) операций чтения/записи
 Хранение данных в течение 38 лет (при +75ºC)
 Запись NoDelay™
 Усовершенствованный высоконадежный ферроэлектрический процесс

Очень быстрый последовательный периферийный интерфейс — SPI
 Частота до 20 МГц
 Прямая замена оборудования для EEPROM
 Режим SPI 0 и 3 (CPOL, CPHA=0,0 и 1,1)

Сложная схема защиты от записи
 Аппаратная защита
 Защита программного обеспечения

Низкое энергопотребление
 Работа при низком напряжении 2,7-3,65 В
 200 мкА Активный ток (1 МГц)
 3 мкА (тип.) Ток в режиме ожидания

Стандартная отраслевая конфигурация
 Промышленная температура от -40°C до +85°C
 8-контактный «Зеленый»/корпус RoHS SOIC и TDFN

FM25CL64B-G
FM25CL64B-ГТР
FM25CL64B-ДГ
FM25CL64B-ДГТР

Введение компании: