MOSFET силы NexFET канала MOSFET 30V n транзистора силы Mosfet CSD17313Q2
Номер модели:CSD17313Q2
Количество минимального заказа:Свяжитесь мы
Условия оплаты:ПайПал, Вестерн Юнион, ТТ
Способность поставки:50000 частей в день
Срок поставки:Будут погружены товары в течение 3 дней раз получали фонд
Упаковывая детали:SON6
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
MOSFET силы NexFET канала MOSFET 30V n транзистора силы Mosfet CSD17313Q2
Особенности 1
- Оптимизированный для привода ворот 5-V
Ультра-низкие Qg и Qgd
Низкое термальное сопротивление
Pb свободный от
RoHS уступчивое
Свободный от Галоид
СЫН 2 mm × пакет 2 mm пластиковый
2 применения
Конвертеры DC-DC
Применения управления батареи и нагрузки
Описание 3
Это 30-V, 24 mΩ, 2 mm x MOSFET силы NexFETTM СЫНА 2 mm конструировано для того чтобы уменьшить потери в применениях преобразования силы и оптимизировано для применений привода ворот 5-V. × 2 mm СЫН 2 mm предлагает превосходное термальное представление для размера пакета.
Сводка продукта
(1) для всех доступных пакетов, см. orderable добавление в конце технических спецификаций.
ЖИВОТИКИ = 25°C | ТИПИЧНОЕ ЗНАЧЕНИЕ | БЛОК | ||
VDS | Напряжение тока Сток-к-источника | 30 | V | |
Qg | Итог обязанности ворот (4,5 v) | 2,1 | nC | |
Qgd | Ворот-к-сток обязанности ворот | 0,4 | nC | |
RDS (дальше) | Сток-к-источник на сопротивлении | VGS = 3 V | 31 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 26 | mΩ | ||
VGS = 8 V | 24 | mΩ | ||
VGS (th) | Напряжение тока порога | 1,3 | V | |
Упорядочение информации
НОМЕР ДЕТАЛИ | QTY | СРЕДСТВА МАССОВОЙ ИНФОРМАЦИИ | ПАКЕТ | КОРАБЛЬ |
CSD17313Q2 | 3000 | вьюрок 13-Inch | СЫН 2 mm × пакет 2 mm пластиковый | Лента и вьюрок |
CSD17313Q2T | 250 | вьюрок 7-Inch |
Абсолютный максимум оценок
ЖИВОТИКИ = 25°C | ЗНАЧЕНИЕ | БЛОК | |
VDS | Напряжение тока Сток-к-источника | 30 | V |
VGS | Напряжение тока Ворот-к-источника | +10/– 8 | V |
ID | Непрерывное течение стока (ограничиваемый пакет) | 5 | |
Непрерывное течение стока (ограничиваемый кремний), TC = 25°C | 19 | ||
Непрерывное течение стока (1) | 7,3 | ||
IDM | Пульсированное течение стока, ЖИВОТИКИ = 25°C (2) | 57 | |
PD | Диссипация силы (1) | 2,4 | W |
Диссипация силы, TC = 25°C | 17 | ||
TJ, TSTG | Работая диапазон температур соединения и хранения | – 55 до 150 | °C |
EAS | Энергия лавины, одиночный ИМП ульс, ID =19A, L=0.1mH, RG =25Ω | 18 | mJ |
MOSFET силы NexFET канала MOSFET 30V n транзистора силы Mosfet CSD17313Q2
Запрос Корзина
0