Модуль транзистора WG50N65DHWQ IGBT, канава IGBT 650V 91A 278W диафрагмы поля зрения

Номер модели:WG50N65DHWQ

Количество минимального заказа:50pcs

Способность поставки:1000000 шт.

Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.):650 В

Ток - коллектор (Ic) (макс.):91 a

Настоящий - пульсированный сборник (Icm):200 А

контакт

Add to Cart

Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Проверенные Поставщика

Shenzhen China

Адрес: Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen

последний раз поставщика входа: в рамках 23 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

Диафрагма поля зрения 650 v 91 a 278 w канавы WG50N65DHWQ IGBT до отверстие TO-247-3

Полупроводники WG50N65DHWQ IGBT WeEn

Полупроводники WG50N65DHWQ IGBT WeEn высокоскоростные 650V/50A IGBT с анти--параллельным диодом в пакете TO247. Это IGBT предлагает высокоскоростное с низкими потерями переключения и особенности приглаживают переключая поведение которое избегает превышения напряжения тока и уменьшает систему EMI. Особенности WG50N65DHWQ IGBT вскапывают технологию диафрагмы поля зрения ворот и предлагают низкое термальное сопротивление. Это IGBT приходит в свободный от галоид пакет, отличает Pb свободным от финишем руководства, и RoHS уступчивое. Типичные применения включают коррекцию фактора силы, сваривая конвертер, солнечный инвертор. промышленный инвертор, и UPS.

ОСОБЕННОСТИ

Высокоскоростной с низкими переключая потерями
Диод быстрого и мягкого спасения анти--параллельный
Позитв vCE (сидел)коэффициент температуры
Диод быстрого и мягкого спасения анти--параллельный
Квалифицировал согласно JEDEC и соотвествует воспламеняемости UL94V0
Ровное переключая поведение избегает превышения напряжения тока и уменьшает систему EMI