Транзистор силы 1200V IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W до отверстие TO-264
Номер модели:IXYK110N120A4
Количество минимального заказа:50pcs
Способность поставки:1000000 шт.
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.):1200 В
Ток - коллектор (Ic) (макс.):375 a
Настоящий - пульсированный сборник (Icm):900 А
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
последний раз поставщика входа:
в рамках 23 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
IXYK110N120A4 IGBT PT 1200 v 375 a w 1360 до отверстие TO-264 (IXYK)
Канава 650V IXYS к 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs
Канава 650V IXYS к 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs начата используя собственническую технологию тонк-вафли XPT и современный 4-ый процесс канавы IGBT поколения (GenX4™). Особенность этих транзисторов изолировать-ворот двухполярная уменьшила термальное сопротивление, низкие потери энергии, быстрое переключение, низкое течение кабеля, и сильнотоковые плотности. Приборы показывают исключительную пересеченность во время переключения и под условиями короткого замыкания.Этот через-отверстие IGBTs также предлагает квадратному обратному смещению безопасные рабочие зоны (RBSOA) до пробивного напряжения 1200V, делая их идеальный для без снеббер применений трудно-переключения. Ультра низко--vсиделIGBT обеспечивает до переключения 5kHz. Канава IGBTs поколения IXYS XPT 4-ого включает положительный коэффициент температуры напряжения тока сборник-к-излучателя. Это позволяет дизайнерам использовать множественные приборы параллельно для встречи сильнотоковых требований и низких обязанностей ворот, которые помогают уменьшить требования к привода ворот и переключая потери.
Типичные применения включают заряжатели батареи, балласты лампы, приводы мотора, инверторы силы, цепи коррекции фактора силы (PFC), электропитания переключател-режима, бесперебойные сварочные аппараты электропитаний (UPS), и.
ОСОБЕННОСТИ
- Превращенный используя собственническую технологию тонк-вафли XPT и современный 4-ый процесс канавы IGBT поколения (GenX4™)
- Низкие напряжения тока на-государства - vCE (сидел)
- До переключения 5kHz
- Положительный термальный коэффициент vCE (сидел)
- Оптимизированный для высокоскоростного переключения (до 60kHz)
- Возможность короткого замыкания (10µs)
- Квадрат RBSOA
- Ультра-быстрые анти--параллельные диоды (звуковые-FRD™)
- возможности Трудно-переключения
- Плотности наивысшей мощности
- Стабильность температуры пропускного напряжения v диодаF
- Низкие требования к привода ворот
- Пакеты международного стандарта
ПРИМЕНЕНИЯ
- Заряжатели батареи
- Балласты лампы
- Приводы мотора
- Инверторы силы
- Цепи PFC
- электропитания Переключател-режима
- UPS
- Сварочные аппараты
СПЕЦИФИКАЦИИ
- Общее
- 1200V vCES
- 20A iC110
- IXYA20N120A4HV
- ≤1.9V vCE (сидел)
- 160ns tfi (тип)
- IXYA20N120B4HV
- ≤2.1V vCE (сидел)
- 90ns tfi (тип)
- IXYA20N120C4HV
- ≤2.5V vCE (сидел)
- 58ns tfi (тип)
Транзистор силы 1200V IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W до отверстие TO-264
Запрос Корзина
0