Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный
Номер модели:IXBT14N300HV
Количество минимального заказа:50pcs
Способность поставки:1000000 шт.
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.):3000 v
Ток - коллектор (Ic) (макс.):38 А
Настоящий - пульсированный сборник (Icm):120 А
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
последний раз поставщика входа:
в рамках 23 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
IXBT14N300HV IGBT 3000 v 38 держатель TO-268HV a 200 w поверхностный (IXBT)
IXYS IXBx14N300HV обратное проводя BiMOSFET™ IGBTs
IXYS IXBx14N300HV обратное проводя BiMOSFET™ IGBTs совмещают прочности MOSFETs и IGBTs. Эти высоковольтные приборы идеальны для параллельной деятельности должной к положительному коэффициенту температуры напряжения тока как своего напряжения тока сатурации, так и падения пропускного напряжения своего внутреннеприсущего диода. «Свободные» внутреннеприсущие диоды тела подачи IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs как диод защиты, обеспечивая альтернативный путь для индуктивной нагрузки настоящей во время поворота- прибора, предотвращая высокие переходные процессы напряжения тока Ldi/dt от наносить повреждение к прибору.Используя IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs, дизайнеров силы могут исключить множественное сери-параллельное более низкое напряжение тока, более низкоточные расклассифицированные приборы, таким образом уменьшать число необходимы компонентов силы и упрощать связанные сети привода ворот. Эта особенность приводит в гораздо проще системном проектировании с более недорогой и улучшенной надежностью.
IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBTs доступны в пакетах TO-263HV (IXBA14N300HV) и TO-268HV (IXBT14N300HV). Эти приборы отличают -55°C к диапазону температур соединения +150°C.
ОСОБЕННОСТИ
- «Свободный» внутреннеприсущий диод тела
- Сохраняет космос путем исключать множественное сери-параллельное более низкое напряжение тока, более низкоточные расклассифицированные приборы
- Плотность наивысшей мощности
- Высокочастотная деятельность
- Низкие потери при теплопроводности
- Ворота MOS поворачивают дальше для простоты привода
- электрическая изоляция 4000V
- Низкие требования к привода ворот
ПРИМЕНЕНИЯ
- Переключател-режим и электропитания резонирующ-режима
- Бесперебойные электропитания (UPS)
- Генераторы лазера
- Цепи разряда конденсатора
- Переключатели AC
СПЕЦИФИКАЦИИ
- напряжение тока коллектор- эмиттера 3000V (vCES)
- напряжение тока сборник-ворот 3000V (vCGR)
- напряжение тока ворот-излучателя ±20V (vGES)
- течение сборника ±38A на +25°C (IC25)
- течение утечки ворот ±100nA (IGES)
- течение сборника ±14A на +110°C (IC110)
- напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера 2.7V (vCE (сидел))
- 10μs коротк-цеп-выдерживают время (tsc)
- диссипация силы сборника 200W (pC)
- -55°C к диапазону температур соединения +150°C
ОБОЗНАЧЕНИЯ & СХЕМА PIN
ПЛАН ПАКЕТА TO-263HV
ПЛАН ПАКЕТА TO-268HV
Держатель IXBT14N300HV модуля 3000V 38A 200W транзистора TO-268HV IGBT поверхностный
Запрос Корзина
0