китай категории
Русский язык

Комплект PBSS4160T транзистора силы PNP Mosfet NPN низкий Vcesat

Номер модели:PBSS4160T, 215
Место происхождения:Первоначальный изготовитель
Количество минимального заказа:Количество минимального заказа: 10 PCS
Условия оплаты:T/T заранее, западное соединение, Xtransfer
Способность поставки:1000
Срок поставки:В пределах 3days
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen China
Адрес: 2A2003, здание 2, сад Baohuju, бульвар 200 Huaqing, община Qinghu, улица Longhua, район Longhua, Шэньчжэнь
последний раз поставщика входа: в рамках 1 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

КОМПЛЕКТ PBSS4160T ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ PNP MOSFET NPN НИЗКИЙ VCESAT

 

Товары подготовляют:Совершенно новыйСостояние части:Активный
Неэтилированный/Rohs:ЖалобаФункция:NPN
Устанавливать тип:Поверхностный держательПакет:SOT23
Высокий свет:

транзистор mosfet канала n

,

транзистор канала n

 

 

Транзистор PBSS4160T NPN низкий VCEsat в SOT23 пластиковом комплекте пакета PNP к PBSS5160T

ОСОБЕННОСТИ
• Низкое напряжение тока сатурации VCEsat коллектор- эмиттера
• Высокая возможность IC и ICM течения сборника
• Высокая эффективность, уменьшает тепловыделение
• Уменьшает требуемую зону платы с печатным монтажом
• Рентабельная замена для транзистора средней силы BCP55 и BCX55.

ПРИМЕНЕНИЯ
• Главные этапы применения:
– Автомобильная сила 42 v
– Инфраструктура телекоммуникаций
– Промышленный.
• Управление силы:
– Преобразование DC-к-DC
– Переключение линии питания.
• Периферийный водитель
– Водитель в низких применениях подачи напряжения (например лампы и СИД)
– Водитель индуктивной нагрузки (например реле, зуммеры и моторы).

ИзготовительNexperia США Inc. 
Серия- 
УпаковкаЛента & вьюрок (TR) 
Состояние частиАктивный 
Тип транзистораNPN 
Настоящий - сборник (Ic) (Макс)1A 
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс)60V 
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic250mV @ 100mA, 1A 
Настоящий - выключение сборника (Макс)100nA 
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 5V 
Сила - Макс400mW 
Частота - переход220MHz 
Рабочая температура150°C (TJ) 
Устанавливать типПоверхностный держатель 
Пакет/случайTO-236-3, SC-59, SOT-23-3 
Пакет прибора поставщикаTO-236AB (SOT23) 
Низкопробный номер деталиPBSS4160

 

Список других электронных блоков в запасе
НОМЕР ДЕТАЛИMFG/BRAND НОМЕР ДЕТАЛИMFG/BRAND
ISP1104W  MPC860DECZQ50D4FRRESCALE
IRLR2908PBFIRF MAX993ESD+TСЕНТЕНЦИЯ
A64ST MAX9120EXK+TСЕНТЕНЦИЯ
TDA4665  CY7C1360B-166AJXCКИПАРИС
RT9231RICHTEK S29GL01GP11FFIR10SPANSION
PW328-30LPIXELWO TPS25200DRVRTI
PCA9543AD  NQ84010TNB QL85ESINTEL
MT18KDF1G72AZ-1G6P1МИКРОН YZ98223R02TDK
LT1110CS8LT VLP8040T-680MTDK
LSI53C1030COLSILOGIC SPHE8202RSUNPLUS
PKM2510EPIHSLAERICSSON IRLU024NPBFИнфракрасн
WJLXT384ECORTINA ICS307M-02ILFTICS
ST4G3235BJRSTM BD13716SФЭЙРЧАЙЛД
LP3964EMPX-ADJ/NOPBTI BCX55-16E6327INFINEON
ADG451BRADI TLE42994EINFINEON
NTUD3169CZT5GНА NJM2283M (TE2)JRC
TG83-1505NUTRВЕНЧИК BSS138N E6327INFINEON
RC2010JK-07820RLYAGEO AD5314ARMZ-REEL7ADI
CD4572BETI 1632-32.76MHZNDK
74LVQ00TTRSTM SBC560LITEON
China Комплект PBSS4160T транзистора силы PNP Mosfet NPN низкий Vcesat supplier

Комплект PBSS4160T транзистора силы PNP Mosfet NPN низкий Vcesat

Запрос Корзина 0