канал IRFB38N20DPBF 3.8W 300W транзистора силы SMPS Mosfet 43A 200v n

китай категории

Главная продукты Поставщики

Русский язык

Главная /продукты /Электрооборудование и расходные материалы /Источники питания /Импульсный источник питания /

канал IRFB38N20DPBF 3.8W 300W транзистора силы SMPS Mosfet 43A 200v n

Номер модели:IRFB38N20DPBF

Место происхождения:Первоначальный изготовитель

Количество минимального заказа:Количество минимального заказа: 10 PCS

Условия оплаты:T/T заранее, западное соединение, Xtransfer

Способность поставки:1000

Срок поставки:В пределах 3days

контакт

Add to Cart

CO. технологии Шэньчжэня Huahao Gaosheng, Ltd

Активный участник

Shenzhen China

Адрес: 2A2003, здание 2, сад Baohuju, бульвар 200 Huaqing, община Qinghu, улица Longhua, район Longhua, Шэньчжэнь

последний раз поставщика входа: в рамках 1 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

MOSFET КАНАЛА SMPS ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ IRFB38N20DPBF MOSFET 200V 43A 3.8W 300W N-

Тип FET:	N-канал	Стеките к напряжению тока источника:	200V
Настоящий - непрерывный сток:	43A	Напряжение тока привода:	10V
Высокий свет:	транзисторы mosfet наивысшей мощности , транзистор mosfet канала n

Тип FET:

N-канал

Стеките к напряжению тока источника:

200V

Настоящий - непрерывный сток:

43A

Напряжение тока привода:

10V

Высокий свет:

транзисторы mosfet наивысшей мощности

транзистор mosfet канала n

N-канал 200V 43A 3.8W 300W IRFB38N20DPBF через MOSFET отверстия TO-220AB SMPS

Применения

l высокочастотные конвертеры DC-DC

l TO-220 доступен в PbF как неэтилированный

Преимущества

l низкая обязанность Ворот-к-стока, который нужно уменьшить переключить потери

l полно характеризовал емкость включая эффективное COSS для того чтобы упростить дизайн, (SeeApp. Примечание AN1001)

l полно характеризовал напряжение тока и течение лавины

Тип FET	N-канал
Технология	MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	200V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	43A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)	10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs	54 mOhm @ 26A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @	5V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (Макс)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	2900pF @ 25V
Особенность FET	-
Диссипация силы (Макс)	3.8W (животики), 300W (Tc)
Рабочая температура	-55°C \| 175°C

Список других электронных блоков в запасе
88E3019-A0-NAJ2C000	MARVELL	CX28380-16	MNDSPEED
SAF7741HV/125		CS9211-VNG	NSC
NJM2368E	JRC	C10P20FR	NIEC
RDC19222-203	DDC	AD8130AR-REEL7	ADI
RCR3135 (B) - 332SI	RCR	TC7WH14FU	ТОШИБА
UPD780076YGK	NEC	SB2045LCT	PEC
S29GL064N90TFI040	SPANSION	PIC16LF872-I/SS	МИКРОСХЕМА
NT68168UFG	NOVATEK	UP6106M8	UPI
MX29LV160BTC-90	MXIC	MC100ELT20DR2	MOT
LM1108SF-2.5	HTC	LCMXO2-7000HC-5BG256I	РЕШЕТКА
IDT49FCT3805Q	IDT	AD8018ARUZ-REEL7	ADI
CM1442-08CP	CMD	SSK2N7002E	FSC
TLP732F	ТОШИБА	S-1206B15-U3T1G	SEIKO
MC14069U	НА	MC74AC86DR2	НА
HG61H25B02P	RENESAS	MB605612UC-G	FUJITSU LIMITED
TS31023-QFNR	SEMTECH	CAP002DG-TL	СИЛА
TLE2425CPSR	TI	BFP182E7764	INFINEON
TMS320C6701GJCA120	TI	TPS40077PWPR	TI
SIS620	SIS	TMS320C346BA006PZ-T	TI
PIC16LF819-I/ML	МИКРОСХЕМА	MX25L12845EZNI-10G	MXIC

Метки товара:

irfz44n mosfet irf520 мосфет p55nfo мощность мосфета

канал IRFB38N20DPBF 3.8W 300W транзистора силы SMPS Mosfet 43A 200v n

Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9