Через обломок ИК интегральной схемаы переключения отверстия, МОСФЭТ силы канала н 110 ватт
Номер модели:STM32F051K6U6
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:50pcs
Термины компенсации:Западное соединение, T/T, Paypal
Способность поставкы:консультация
Срок поставки:2-3 рабочих дней
контакт
Add to Cart
Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
C12F, площадь Huaqiang, Huaqiangbei Шэньчжэнь, Китай 518031
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
MOSFET 60V 60A 110W силы N-канала STP65NF06 (Tc) через применение переключения отверстия
Описание
Этот MOSFET силы самое последнее развитие размера особенности STMicroelectronics процесса уникального «™ одиночного» основанного на раздевать. Приводя транзистор показывает весьма высокую пакуя плотность для низкого onresistance, изрезанных характеристик лавины и более менее критических шагов выравнивания поэтому замечательная изготовляя воспроизводимость.
| Тип FET | N-канал |
| Технология | MOSFET (металлическая окись) |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 60V |
| Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | 10V |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 4V @ 250µA |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Особенность FET | - |
| Диссипация силы (Макс) | 110W (Tc) |
| Рабочая температура | -55°C | 175°C |
| Список других электронных блоков в запасе | ||||
| AD96685BH | ADI | HFCT-5205A | AVAGO | |
| XR2211D | EXAR | GTL2006PW | NXP | |
| LTC3545EUD#TRPBF | ЛИНЕЙНЫЙ | PMB9811V1.0 | INFEIEON | |
| CY6264-70SC | КИПАРИС | NCP1271BDR2G | НА | |
| AD6634BBCZ | ADI | M62475FP | MITSUBISH | |
| TPS2216DBR | TI | GT8110 | GOODIX | |
| STL3888-MPLH | SENTELI | ATMEGA1281V-8AUR | ATMEL/ADESTO | |
| RF2818TR7 | RFMD | 0466.375NR | LITTELFUSE | |
| MAX6376XR22-T | СЕНТЕНЦИЯ | BU4224G-TR | ROHM | |
| HDC1000YPAR | TI | ICS9LPR600CGLF | ICS | |
| TNY275PG | СИЛА | DC2337J5010AHF | ANAREN | |
| SMP1302-011IF | SKYWORKS | CSD16401Q5 | CICLON | |
| REG103GA-2.7 | TI | K4J52324QC-BC20 | SAMSUNG | |
| MAX333ACAP+ | СЕНТЕНЦИЯ | ISQ74X | ISOCOM | |
| STM32F101RCT6 | ST | HA12238F | RENESAS | |
| SI3201-KS | КРЕМНИЙ | AT91SAM9G20-CU | ATMEL/ADESTO | |
| ISO7242ADWR | TI | SY100EL32VZGTR | MIC | |
| EPC8QC100 | ALTERA | SST39VF3201-70-4C-EKE | SST | |
| EMC2101-ACZL-TR | МИКРОСХЕМА | PCM1740E/2K G4 | BB | |
| AD8617ARZ | ADI | MC74HC165ADTR2G | НА | |
| DAP017A | НА | MAX907CPA+ | СЕНТЕНЦИЯ | |
Через обломок ИК интегральной схемаы переключения отверстия, МОСФЭТ силы канала н 110 ватт
Запрос Корзина
0