китай категории
Русский язык

обломок ИК интегральной схемаы 200В 25А 144В, Мосфет канала ИРФБ5620ПБФ н до отверстие ТО-220АБ

Номер модели:IRFB5620PBF
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:20шт
Термины компенсации:Западное соединение, T/T, Paypal
Способность поставкы:консультация
Срок поставки:2-3 рабочих дней
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: C12F, площадь Huaqiang, Huaqiangbei Шэньчжэнь, Китай 518031
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

MOSFET 200V 25A 144W N-канала IRFB5620PBF до отверстие TO-220AB

Описание

Этот MOSFET аудио цифров специфически конструирован для применений аудио усилителя класса-D. Этот MOSFET использует

самые последние методы обработки достигнуть низкого на-сопротивления в зону кремния. Furthermore, обязанность ворот, тел-диод

обратное спасение и внутреннее сопротивление вентильного провода оптимизированы для того чтобы улучшить ключевое представление аудио усилителя класса-D

факторы как эффективность, THD и EMI. Дополнительные особенности этого MOSFET работая соединение 175°C

температура и повторяющийся возможность лавины. Эти особенности совмещают для того чтобы сделать этим MOSFET сильно эффективное,

крепкий и надежный прибор для применений аудио усилителя ClassD

Тип FETN-канал
ТехнологияMOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)200V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C25A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs72,5 mOhm @ 15A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @5V @ 100µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (Макс)±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds1710pF @ 50V
Особенность FET-
Диссипация силы (Макс)144W (Tc)
Рабочая температура-55°C | 175°C

 

Список других электронных блоков в запасе
TC74LVX08FTТОШИБА AD8278BRZADI
PIC16LF1503-I/SLМИКРОСХЕМА FDC37C669QFPSMSC
EM638165TS-6GETR CY28447LFXCTКИПАРИС
CX0342ABKACMOX A1020B-PL68CACTEL
ADL5358ACPZ-R7ADI TPA2037D1YFFRTEXASINST
LRB751S-40T1GLRC IRF1405ZPBFИнфракрасн
LF1005-K1R8DABT/IFACX FDD6630AФЭЙРЧАЙЛД
IMP809LEUR/TIMP FAN8033FAI
B39781B8525P810S 5EPCOS 7FLU09M6ST
AT28LV010-20JUATMEL/ADESTO XC2C64A-7VQG44CXILINX
TZBX4Z030BA110T00MURATA SMM3K102TU (T5LТОШИБА
TK80S06K3LТОШИБА PCM1680DBQRTI
RCLAMP2504P.TCTSEMTECH MAAM-011208-TR3000MACOM
MIC2563A-0BSMTRMICREL L298PST
HMC472ALP4ETRХЕТТ HSML-A431-X90M1AVAGO
EDZTE6111BROHM AT24C08AN-10SU2.7ATMEL/ADESTO
STC12C2052-35I-SOP20GSTC S3C2450XH-40NSAMSUNG
PT7C4512WEXPERICOM LXT908PCLEVELONE
ME005AN/A GVT7164D32Q-6GALVANTE
55A350LE ALXD800EEXJ2VD C3AMD
China обломок ИК интегральной схемаы 200В 25А 144В, Мосфет канала ИРФБ5620ПБФ н до отверстие ТО-220АБ supplier

обломок ИК интегральной схемаы 200В 25А 144В, Мосфет канала ИРФБ5620ПБФ н до отверстие ТО-220АБ

Запрос Корзина 0