Высоковольтный одиночный транзистор силы СИХБ22Н60Э Мосфет - пакет Д2ПАК Э3 600В 21А

Номер модели:СИХБ22Н60Э-Э3

Место происхождения:Китай

Количество минимального заказа:5 шт

Термины компенсации:Западное соединение, T/T, Paypal

Способность поставкы:400pcs

Срок поставки:2-3 рабочих дней

контакт

Add to Cart

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Сайт Участник

Shenzhen Guangdong China

Адрес: C12F, площадь Huaqiang, Huaqiangbei Шэньчжэнь, Китай 518031

последний раз поставщика входа: в рамках 48 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

Высоковольтный одиночный транзистор силы SIHB22N60E Mosfet - пакет D2PAK E3 600V 21A

MOSFETS N-КАНАЛА MSL 1 ОДИНОЧНЫЕ

Изготовитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Упаковка	Трубка
Состояние части	Активный
Тип FET	N-канал
Технология	MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	600V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	21A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)	10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @	4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (Макс)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	1920pF @ 100V
Особенность FET	-
Диссипация силы (Макс)	227W (Tc)
Рабочая температура	-55°C \| 150°C (TJ)
Устанавливать тип	Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика	D2PAK
Пакет/случай	TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB

Метки товара:

до220 мосфета p55nfo мощность мосфета в5408 эквивалент диодов

Запрос Корзина 0

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9