китай категории
Русский язык

Обломок флэш-памяти обломока 1.65В минимальный СПИ АТ45ДБ021Э-СХН-Т 2Мбит Программабле ИК серийный

Номер модели:АТ45ДБ021Э-СХН-Т
Место происхождения:CN
Количество минимального заказа:100 штук
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:10Кпкс в год
Срок поставки:1-2 рабочих дней
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: C12F, площадь Huaqiang, Huaqiangbei Шэньчжэнь, Китай 518031
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

AT45DB021E-SHN-T 2Mbit DataFlash (с дополнительным 64-Kbits), флэш-память IC 1.65V минимальная SPI серийная

Описание

Adesto® AT45DB021E минимум 1.65V, сериал-интерфейс флэш-память последовательного доступа идеально одета для большого разнообразия цифрового голоса, изображение, код программы, и применения хранения данных. AT45DB021E также поддерживает последовательный интерфейс речных порогов для применений требуя очень высокоскоростной деятельности. Свои 2 162 688 битов памяти организованы как 1 024 страницы 256 байт или 264 байт каждого. В дополнение к главной памяти, AT45DB021E также содержит один буфер SRAM 256/264 байт. Буфер можно использовать как дополнительная память царапины системы, и эмулирование ВЫПУСКНОГО ВЕЧЕРА E2 (alterability бита или байта) можно легко обращаться со сдержанные 3 шаг чтени-дорабатывать-пишет деятельность. Не похож на обычные флэш-памяти которые получать доступ к случайно со множественными линиями адреса и параллельным интерфейсом, Adesto DataFlash® использует последовательный интерфейс последовательного для получения доступа к своих данных. Простой последовательный доступ драматически уменьшает активный отсчет штыря, облегчает упрощенный план оборудования, увеличивает надежность системы, уменьшает переключая шум, и уменьшает размер пакета. Прибор оптимизирован для пользы в много коммерчески и промышленных применений где высокая плотность, отсчет низко-штыря, низшее напряжение, и маломощное необходимы. Для того чтобы учитывать простую re-программируемость в-системы, AT45DB021E не требует высоких вводов напряжения для программирования. Прибор работает от одиночного 1.65V к электропитанию 3.6V для стирания и программы и прочитал деятельность. AT45DB021E позволено через штырь обломока отборный (CS) и получать доступ к через интерфейс 3 проводов состоя из серийного входного сигнала (SI), серийного выхода (ТАК), и серийных часов (SCK). Все циклы программирования и стирания само-синхронизированы.

ИзготовительТехнологии Adesto
Серия-
УпаковкаЛента & вьюрок (TR)
Состояние частиАктивный
Тип памятиСлаболетучий
Формат памятиВСПЫШКА
ТехнологияВСПЫШКА
Размер запоминающего устройства2Mb (264 байта x 1024 страницы)
Тактовая частота70MHz
Напишите время цикла - слово, страницу8µs, 3ms
Интерфейс памятиSPI
Напряжение тока - поставка1,65 V | 3,6 V
Рабочая температура-40°C | 85°C (TC)
Устанавливать типПоверхностный держатель
Пакет/случай8-SOIC (0,209", ширина 5.30mm)
Пакет прибора поставщика8-SOIC

Список других электронных блоков в запасе
НОМЕР ДЕТАЛИMFG/BRAND НОМЕР ДЕТАЛИMFG/BRAND
EPM7032LC44-7ALTERA K4B2G1646C-HCK0SAMSUNG
RLZ TE-11 5.1BROHM H5PS5162GFR-S5CHYNIX
FP103DR-LFЧУВСТВО MMBTA42 1DLRC
CAT93C66IКАТАЛИЗАТОР EGLXT970C B11CORTINA
SA2411DHPHI XC5VLX50T-1FF1136CXC
AAT1276IRN-5.0-T1SKYWORKS TPS65148RHBRTI
MAX213CAI-TСЕНТЕНЦИЯ SAFEB881MAL0F00MURATA
TC4-6T-75X+МИНИ P3057LDGNIKO
U4300EЧЕРЕЗ MX29LV160CTTC-90GMXIC
MC100EL11DR2GНА CX94625-11ZCONEXAN
MAX202CDRTI BUK202-50XФИЛИПП
LT1H67AДИЕЗ TLC5946RHBRG4TI
65PQ015Инфракрасн DM74LS138MFSC
MIC2177YWMMICREL BFG425W
74ACTQ08SCФЭЙРЧАЙЛД 88E1111-B2-BAB-C000MARVELL
IPD50N04S3-09INFINEON TT8312RET&T
UPC2709TB-E3NEC SN75518NTI
SP6682EU-LSIPEX/EXA S1D15206F11A200EPSON
M74VHC1G126DTT1GНА AM79C973BVC/WAMD
LQG15HS15NJ02DMURATA ACPM-5802-TR1AVAGO
China Обломок флэш-памяти обломока 1.65В минимальный СПИ АТ45ДБ021Э-СХН-Т 2Мбит Программабле ИК серийный supplier

Обломок флэш-памяти обломока 1.65В минимальный СПИ АТ45ДБ021Э-СХН-Т 2Мбит Программабле ИК серийный

отправить сообщение с этим поставщиком
*Из:
*Предмет:
*Сообщение:
остальные персонажи : (0/3000)
контакт
Другое о Обломок флэш-памяти обломока 1.65В минимальный СПИ АТ45ДБ021Э-СХН-Т 2Мбит Программабле ИК
China Увеличенная вспышка основала микроконтроллер ПИК16Ф883-И/СО бита КМОС 8 с Нано обломоком ИК ватта wholesale
Увеличенная вспышка основала микроконтроллер ПИК16Ф883-И/СО бита КМОС 8 с Нано обломоком ИК ватта
China Обломок 80МХз ПИК32МС795Ф512Л-80И/ПТ КМОС МКУ внезапный Программабле ИК wholesale
Обломок 80МХз ПИК32МС795Ф512Л-80И/ПТ КМОС МКУ внезапный Программабле ИК
China Обломок PIC16F1939-I/PT 8-разрядный Programmable IC с интегральной схемаой водителя LCD wholesale
Обломок PIC16F1939-I/PT 8-разрядный Programmable IC с интегральной схемаой водителя LCD
China Тип держателя поверхности интегральной схемаы микроконтроллера СТК12К5А32С2-35И-ЛКФП44Г wholesale
Тип держателя поверхности интегральной схемаы микроконтроллера СТК12К5А32С2-35И-ЛКФП44Г
China Пакет функции 144ЭКФП обломока ФПГА И/О Программабле ИК ЭП3К25Э144И7Н 82 wholesale
Пакет функции 144ЭКФП обломока ФПГА И/О Программабле ИК ЭП3К25Э144И7Н 82
China Обломоки статического Рам 10НС КМОС быстрого хода КЭ стандартные ИС61ВВ20488БЛЛ-10МЛл wholesale
Обломоки статического Рам 10НС КМОС быстрого хода КЭ стандартные ИС61ВВ20488БЛЛ-10МЛл
China Обломок 5КГСФК5К6Ф23К7Н вентильной матрицы обломока БГА ИК высокой эффективности Программабле wholesale
Обломок 5КГСФК5К6Ф23К7Н вентильной матрицы обломока БГА ИК высокой эффективности Программабле
China Обломок флэш-памяти обломока 1.65В минимальный СПИ АТ45ДБ021Э-СХН-Т 2Мбит Программабле ИК серийный wholesale
Обломок флэш-памяти обломока 1.65В минимальный СПИ АТ45ДБ021Э-СХН-Т 2Мбит Программабле ИК серийный
China Микроконтроллер LQFP144 РУКИ STM32F407ZGT6 wholesale
Микроконтроллер LQFP144 РУКИ STM32F407ZGT6
China W25Q64JVSFIQ НИ внезапное SpiFlash, 64M сдержанный ОБЛОМОК IC ПАМЯТИ wholesale
W25Q64JVSFIQ НИ внезапное SpiFlash, 64M сдержанный ОБЛОМОК IC ПАМЯТИ
Запрос Корзина 0
контакт
Требование о представлении