китай категории
Русский язык

Транзистор кремниевого карбида транзистора силы 175МХз РД06ХВФ1 РФ 6В для усилителей

Номер модели:RD06HVF1
Место происхождения:CN
Количество минимального заказа:50 штук
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:10Кпкс в год
Срок поставки:1-2 рабочих дней
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: C12F, площадь Huaqiang, Huaqiangbei Шэньчжэнь, Китай 518031
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Транзистор 175MHz 6W кремния MOSFET СИЛЫ RD06HVF1 RF для применений усилителей

 

Описание RD06HVF1

RD06HVF1 тип транзистор FET MOS специфически конструированный для применений усилителей силы VHF RF

 

ОСОБЕННОСТИ RD06HVF1

Увеличение наивысшей мощности: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V, f=175MHz

 

ПРИМЕНЕНИЕ RD06HVF1

Для этапа выхода усилителей наивысшей мощности в радиоприемниках диапазона VHF мобильных.

 

Список других электронных блоков в запасе
НОМЕР ДЕТАЛИMFG/BRAND НОМЕР ДЕТАЛИMFG/BRAND
LM185BYHNSC DS2109S/TRДАЛЛАС
GM5ZR05240AДИЕЗ MT58L64L36FT-8.5IT:МИКРОН
MSP4410G-QA-C13МИКРОСХЕМА LM29150-2.5HTC
ICS341MI-18LFTIDT XCF02SVOG20CXILINX
F59L1G81A-25TGESMT SGN5210Q1DBCSIGNIA
ADG202AKRZ-REEL7ADI EPCS128SI16NALTERA
74LV04PWNXP AA8600APAGAMEM
TLP560GТОШИБА STI5514AWDLST
PPM10445089HS 47P4174IBM STB24NM65NST
MT29F128G08CBCABL85A3WC1МИКРОН AO4840LAOS
MP2104DQT-LF-ZMPS AD8418BRMZADI
8,2 UHМЫ VLS252012T-4R7MR81TDK
XC6SLX9-2FTG256IXILINX SN74AHC138PWRTI
NJM2716FVJRC LP3966ESX-ADJNS
MAC-42MH+МИНИ 2SB1694T106ROHM
FLI8541H-LF-BEПРОИСХОЖДЕНИЕ TK20J60U (S1TEALТОШИБА
ADT7411ARQZADI MAX759CWEСЕНТЕНЦИЯ
QCN-19D+МИНИ AM79C975BVC/WAMD
IT8512E-JXSITE ZR36750BGCG-VZORAN
SE757MRH-LFSAMSUNG SST37VF010-70-3C-WHESST
China Транзистор кремниевого карбида транзистора силы 175МХз РД06ХВФ1 РФ 6В для усилителей supplier

Транзистор кремниевого карбида транзистора силы 175МХз РД06ХВФ1 РФ 6В для усилителей

Запрос Корзина 0