Течение режима страницы 2.0МА ДРАХМЫ КМОС × 16 микросхемы памяти 5В 1М АС4К1М16Ф5 60ДЖК ИК быстрое
Номер модели:AS4C1M16F5-60JC
Место происхождения:Малайзия
Условия оплаты:Т/Т, западное соединение, ПайПал
Способность поставки:10000пкс
Количество минимального заказа:10 ПК
Срок поставки:в запасе 2-3days
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
УДАЧА RM 311 3/F LINZHAN СТРОЯ ЗОНУ ШЭНЬЧЖЭНЬ ДОРОГИ LIUYUE LONGGANG УЛИЦЫ SHENFENG No.1 SHENHUA, КИТАЙ
последний раз поставщика входа:
в рамках 41 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Режим быстро-страницы ДРАХМЫ микросхемы памяти 5В 1М×16 КМОС АС4К1М16Ф5-60ДЖК ИК
Особенности
• Организация: 1 048 576 битов × 16 слов
• Быстрый ход
- 50/60 времен выборки нс РАС
- 20/25 времен цикла страницы нс быстрых
- 13/17 времен выборки нс КАС
• Потребление низкой мощности
- Активе:
880 мВ максимальное (АС4К1М16Э0-60)
- Положение боевой готовности:
11 мВ максимальное, КМОС ДК
• Быстрый режим страницы
• 1024 освежают циклы, 16 госпожа освежает интервал
- только для РАС или КАС-перед-РАС освежите
• Чтени-дорабатывать-напишите
• ТТЛ-совместимый, 3-государство ДК
• Пакет и пиноут ДЖЭДЭК стандартный
- 400 мил, СОДЖ 42 штырей
- 400 мил, 44/50-пин ТСОП ИИ
• электропитание 5В
• Промышленная и коммерчески температура доступная
Функциональное описание
АС4К1М16Ф5 высокая эффективность оперативное запоминающее
устройство (DRAM) КМОС 16 мегабитов динамическое организованное как
1 048 576 битов × 16 слов. АС4К1М16Ф5 изготовлено используя
предварительную технологию КМОС и новаторский дизайн
методы приводящ в быстром ходе, весьма - низкая мощность и широкие
пределы рабочих параметров на компоненте и системных уровнях.
Оптимизируют семью ДРАХМЫ союзничества 16Мб для пользы как главная
память в личных и портативных ПК, рабочих местах, и мультимедиа
и применения переключателя маршрутизатора.
АС4К1М16Ф5 отличает высокоскоростной деятельностью режима страницы
где прочитанный и напишите деятельность внутри одиночная строка
(или страница)
можно исполнить на очень высокоскоростном (15 нс от СКАС) путем
тоглинг адреса столбца внутри эта строка. Строка и столбец
адреса друг заперты на задвижку в буфера входного сигнала используя
падая край РАС и входных сигналов ксКАС соответственно. Также, РАС
использовано
сделать защелку адреса столбца прозрачным, включающ применение
адресов столбца до утверждения ксКАС.
АС4К1М16Ф5 обеспечивает двойные УКАС и ЛКАС для независимого
управления байта прочитанный и доступ для записи.
Освежите на 1024 сочетаниях из адреса А0 к А9 необходимо выполнить
каждое использование 16 госпож:
•
только для РАС освежите: РАС утвержено пока ксКАС, который держат
максимум. Каждая из 1024 строк необходимо стробед. Выходы остаются
высокоимпедансными.
• Спрятанный освежите:
ксКАС, который держат низкий уровень пока РАС тоглед. Выходы
остаются низким импедансом с предыдущими действительными данными.
•
КАС-перед-РАС освежите (CBR): По крайней мере одно ксКАС утвержено
до РАС. Освежите адрес производит внутренне.
Выходы высоко--импеденсе (
ОЭ и МЫ не делаем забота).
• Нормальный прочитал или пишет циклы освежает будучи получать
доступ строку.
АС4К1М16Ф5 доступно в СОДЖ пластмассы штыря стандарта 42 и пакетах
44/50-пин ТСОП ИИ, соответственно. Оно работает
с одиночным электропитанием 5В ± 0.5В. Прибор обеспечивает входы и
выходы ТТЛ совместимые.
Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-755-82539981
Течение режима страницы 2.0МА ДРАХМЫ КМОС × 16 микросхемы памяти 5В 1М АС4К1М16Ф5 60ДЖК ИК быстрое
Запрос Корзина
0