Канал н кремния транзистора ворот тиристора ГТ20ДЖ101 изолированный модулем двухполярный
Номер модели:GT20J101
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:10 шт
Термины компенсации:Т/Т, западное соединение, ЭСКРОВ
Способность поставкы:10000PCS
Срок поставки:Фондовой
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
УДАЧА RM 311 3/F LINZHAN СТРОЯ ЗОНУ ШЭНЬЧЖЭНЬ ДОРОГИ LIUYUE LONGGANG УЛИЦЫ SHENFENG No.1 SHENHUA, КИТАЙ
последний раз поставщика входа:
в рамках 41 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Канал изолированный ТОШИБА ворот ГТ20ДЖ101 двухполярный транзистора кремния н ИГБТ
Применения переключения наивысшей мощности
• 3-ее поколение • Повышени-режим
• Быстрый ход: тф = 0,30 µс (максимального)
• Низкое напряжение тока сатурации: (Сидеть) ВКЭ = 2,7 в (максимального)
| Характерный | Символ | Классифицировать | Блок |
| Напряжение тока коллектор- эмиттера | ВКЭС | 600 | В |
| напряжение тока Ворот-излучателя | ВГЭС | +-20 | В |
| ДК течения сборника | ИК | 20 | А |
| Госпожа течения сборника 1 | ИКП | 40 | А |
| Диссипация силы сборника (Тк = 25°К) | ПК | 130 | В |
| Температура соединения | Тдж | 150 | °К |
| Диапазон температур хранения | Цтг | −55~150 | °К |
Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-755-82539981
Канал н кремния транзистора ворот тиристора ГТ20ДЖ101 изолированный модулем двухполярный
Запрос Корзина
0