Тип одиночная конфигурация транзистора НПН ДК 0.15А 2СД2227С 50В общецелевой
Номер модели:2СД2227С
Место происхождения:Япония
Количество минимального заказа:10 шт
Термины компенсации:Т/Т, западное соединение, ЭСКРОВ
Способность поставкы:10000PCS
Срок поставки:Фондовой
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
УДАЧА RM 311 3/F LINZHAN СТРОЯ ЗОНУ ШЭНЬЧЖЭНЬ ДОРОГИ LIUYUE LONGGANG УЛИЦЫ SHENFENG No.1 SHENHUA, КИТАЙ
последний раз поставщика входа:
в рамках 41 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Транзистор 50В 0.15А транзисторов 2СД2227С НПН ПНП общецелевой
ТРАНЗИСТОР СРЕДНЕЙ СИЛЫ (25В, 1.2В), ОБЩЕЦЕЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР (50В, 0.15А)
Особенности
1) Высокое увеличение ДК настоящее.
2) Высокое напряжение тока излучател-основания. (ВКБО=12В)
3) Низкое напряжение тока сатурации. (Тип. (Сидеть) ВКЭ =0.3В на ИК/ИБ=50мА/5мА)
| Атрибут продукта | Атрибут со значением |
| Устанавливать стиль: | СМД/СМТ |
| Полярность транзистора: | НПН |
| Конфигурация: | Одиночный |
| Напряжение тока коллектор- эмиттера ВКЭО Макс: | 50В |
| Напряжение тока коллектора- база ВКБО: | 60В |
| Напряжение тока ВЭБО излучателя низкопробное: | 12В |
| Максимальное течение сборника ДК: | 0.15А |
| Продукт фТ ширины полосы частот увеличения: | 250 МХз |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 к |
| ХФЭ Макс настоящего увеличения ДК: | 1200 на мамах 1 на 5 в |
| Непрерывное течение сборника: | 0.15А |
| Пд - диссипация силы: | 300 мВ |
Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-0755-82539981
Тип одиночная конфигурация транзистора НПН ДК 0.15А 2СД2227С 50В общецелевой
Запрос Корзина
0