Piezo вафля LiNbO3 LiTaO3 для полупроводника POI и MEMS подгоняла
Номер модели:CR2202241-04
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:1pc
Условия оплаты:T/T, западное соединение, MoneyGram, PayPal
Способность поставки:20000pcs в месяц
Срок поставки:1-4weeks
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Hefei Anhui China
Адрес:
№ 176, Юнер Роуд, Индустриальный парк Юньхай Роуд, район Баохэ, город Хэфэй, провинция Аньхой
последний раз поставщика входа:
в рамках 1 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Подгонянная Piezo вафля LiNbO3 LiTaO3 для полупроводника POI и MEMS
Crystro может подгонять поверхностные акустические пьезоэлектрические вафли включая:
Ниобат лития, Tantalate лития, кварц Кристл как reuqired режа ориентация и размер, наши кристаллы пьезоэлектрического влияния растутся методом Czochralski. Максимальная достигаемость 6inch диаметра, мы можем изготовленный на заказ размер и спецификации, Dia<0> 3" 4" 6" rougness вафли все доступны согласно требованию.
Crystro обладает оборудованием профилировщика, лазера Corning
Flatmaster 200 отмечать, AOI и линией чистки 6 шагов.
Crystro обеспечивает:
Превосходное светоэлектрическое свойство
Высокий порог повреждения
Высокая температура Кюри
Основные свойства LiTaO3:
| Материал | Ниобат лития | Tantalate лития | Кварц Кристл |
| Диаметр/размер | 3' „, 4" „, 6" „, 8" „ | 3' „, 4" „, 6" „ | 3' „, 4" „, 5" „, 6" „, 8" „ |
| Отрезанный тип | X / Y/Z | X / Y-Z/X-112Y | X / Y/Z |
| 36Y/64Y/128Y | 28Y/36Y/42Y | НА/ST/DT | |
| Поверхностный финиш | Двойной бортовой блеск/одиночный бортовой блеск | ||
| Толщина | 0.25mm/0.35mm/0.50mm/1.00mm/2.00mm | ||
| TTV | < 5um=""> | ||
| PLTV | >98% (5mm*5mm) | ||
| LTV | < 1=""> | ||
| Смычок | -25um < Bow=""> | ||
| Искривление | < 30um=""> | ||
| Шершавость | Ра<0> | ||
| Temp Кюри. | 1142℃ ± 2℃ | 605℃ ± 2℃ | 573℃ |
| Профиль края | Круглая земля, форма «c» | ||
| Квартиры | 22±2mm, 32.5±2mm, 47.5±2mm, 57.5±2mm, надрезают | ||
| Согласно запросу | |||
| Дайте допинг с | Er, MgO | Fe | с или без семени |
| Лицевая сторона | Ра шершавости<> | ||
| Задняя сторона | Ра шершавости: 0,2--0.7um GC#1000, GC#2000 | ||
| Возникновение | Никакие отказы, не увидели метки, пятна | ||
| Одиночное Domian | Завершенная поляризация/уменьшенный | Отсутствие стресса | |
Piezo вафля LiNbO3 LiTaO3 для полупроводника POI и MEMS подгоняла
Запрос Корзина
0