Режим CW лазерного диода высокой яркости лазерного диода полупроводника DPSS
Brand Name:HTOE
Model Number:LDAC2-0808-040W
Minimum Order Quantity:5 pcs
Delivery Time:10-20 working days
Payment Terms:T/T
Place of Origin:Beijing, China
контакт
Add to Cart
Активный участник
Beijing Beijing China
Адрес:
Shahe Industrial Park, Changping District, Beijing, China
последний раз поставщика входа:
в рамках 27 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
40 лазерный диод ватта ДПСС, Микро-канал 808нм Вод-охладил вертикальный массив
Бары серии ЛДА обеспечивают клиентов ОЭМ с масштабируемой силой до киловаттов для нагнетать, промышленные упакованные наивысшей мощностью, медицинские и применений. Упакованные бары лазера можно установить для увеличенной яркости через штабелировать, вычисленный по макштабу линейно или вертикально для оптимизированной светлой и материальной интеграции. Предложение серии ЛДА
- Длины волны на 808нм к ряду 1100нм
- Модульный и компактный дизайн для легкости интеграции
- До баров лазерного диода 100В КВ и 300В ККВ для высокой яркости
- Упакованный бар лазерного диода 10мм, различные стандартные конфигурации бара (изготовленные на заказ конфигурации бара доступные по запросу)
Параметры (20℃)
| массивы Вод-охлаженные Микро-каналом вертикальные | |||
| Параметр | Блок | ЛДАК2-0808-040В | |
| Оптически параметр | Режим деятельности | - | КВ |
| Разбивочная длина волны | нм | 808 | |
| Сила/Адвокатура выхода | В | 40 | |
| Кты Адвокатуры. | - | 5/9/16 | |
| Космос Адвокатуры | мм | 1,8 | |
| Спектральная ширина | нм | < 5 | |
| Быстрое расхождение оси | дег | < 39 | |
| Медленное расхождение оси | дег | < 10 | |
| Электрический параметр | Течение порога | А | <7 |
| Рабочий ток | А | <40 | |
| Рабочий потенциал/Адвокатура | В | < 2,0 | |
| Термальный параметр | Максимальное входное давление | пси | 65 |
| Охлаждая тариф/Адвокатура | Л/МИН | ≥ 0,3 | |
| Размер частицы охлаждая средства | µм | ≤ 15 | |
| Проводимость охлаждая средства | µс/км | 5 | 10 | |
| Работая Темп. | ℃ | 15 | 35 | |
| Темп хранения. | ℃ | -10 | 60 | |
Данные по пакета
Извещение
1. Извещение о деталя модельное: ЛДАК2 (модель) деталя - 0808 (разбивочная длина волны) - 040В (сила выхода).
2. Данные по пакета только для ссылки, которую можно подгонять согласно чертежам клиента конструированным.
3. Пожалуйста убеждайтесь что лазерный диод управляется под температурой между 15℃ и 35℃, по мере того как высокая температура увеличит течение порога, уменьшит курс и ускорит ход вызревания.
4. Пожалуйста примите измерения избежать конденсации, которая причинит вызревание лазерного диода.
5. Для больше информации, пожалуйста контактируйте КО. оптической электроники Хи-техника, Лтд.
Режим CW лазерного диода высокой яркости лазерного диода полупроводника DPSS
Запрос Корзина
0