

Add to Cart
Си-Си керамическая тарелка, для 2 дюймовой, 4 дюймовой и 6 дюймовой обработки пластинок и индивидуального размера
Керамическая плитка с SiC
Керамические пластины SiC (карбид кремния) - это специализированные компоненты, предназначенные для высокопроизводительных приложений, особенно в полупроводниковой промышленности.Эти подносы играют решающую роль в процессе изготовления полупроводниковых устройств, обеспечивающий стабильную и надежную платформу для обработки кремниевых пластин.Керамические лотки SiC могут выдерживать высокие температуры, требуемые на различных стадиях обработки пластинок, такие как эпитаксия, диффузия и окисление.
В дополнение к своим тепловым свойствам, SiC-подносы обладают замечательной механической прочностью, что позволяет им поддерживать тяжелые подложки без деформации или трещин.Их отличная химическая устойчивость обеспечивает долговечность в присутствии коррозионных материалов, часто встречающихся в процессах производства полупроводников.
Кроме того, керамические плиты с SiC способствуют улучшению распределения тепла, что имеет важное значение для поддержания постоянных условий обработки по всей поверхности пластины.Эта особенность помогает минимизировать дефекты и повышает общее качество полупроводниковых устройств.
Эти универсальные подносы также могут быть настроены в различных размерах и формах для удовлетворения конкретных производственных требований, что делает их незаменимым активом в полупроводниковой промышленности,где точность и надежность имеют главное значение.
Свойства керамической плиты с SiC
Высокая тепловая устойчивость:
Керамические плиты SiC могут выдерживать экстремальные температуры, что делает их подходящими для применения при высоких температурах, таких как синтерирование и обработка полупроводников.
Отличная механическая прочность:
Они обладают превосходной прочностью и твердостью, что позволяет им выдерживать тяжелые нагрузки без деформации, обеспечивая долговечность и долговечность.
Устойчивость к химическим веществам:
SiC-подносы очень устойчивы к коррозии и химической атаке, что делает их идеальными для использования в агрессивной среде, особенно в химической обработке и производстве полупроводников.
Теплопроводность:
Эти пластины обладают хорошей теплопроводностью, способствуя эффективному распределению тепла, что важно в процессах, требующих единообразного контроля температуры.
Легкий вес:
Несмотря на свою прочность, керамические подносы SiC относительно легкие, что облегчает обработку и транспортировку во время производственных процессов.
Электрическая изоляция:
Материалы SiC обладают отличными электроизоляционными свойствами, что делает их подходящими для использования в электронных приложениях, где электрическая проводимость должна быть сведена к минимуму.
Низкая тепловая экспансия:
Низкий коэффициент теплового расширения обеспечивает стабильность измерений при различных температурных условиях, снижая риск деформации или трещин.
Производитель | АСУЗАК | АСУЗАК | Компания А | Компания В | Компания С | |
---|---|---|---|---|---|---|
Наименование продукта | ASiC | SiC3N | ||||
Способ производства | Синтерирование при нормальном давлении | Синтерирование при нормальном давлении | Горячее прессование | ССЗ | Си-СиС | |
Плотность | g·cm3 | 3.15 | 3.18 | 3.15 | 3.21 | 3.05 |
Жёсткость Викера | 28 | 28 | 22 | 26 | - Да. | |
Упругость | МпА | 410 | 450 | 600 | 590 | 220 |
Эластичность | Средний балл | 430 | 430 | 390 | 450 | 280 |
Прочность на перелом | Mpa/cm^0.5 | 2.5 | 2.5 | 4.4 | - Да. | - Да. |
Тепловое расширение | E-6/K | 4.1 | 4.1 | 4.3 | 4 | 4.8 |
Теплопроводность | W/m•K | 170 | 140 | 230 | 250 | 225 |
Настройка:
Керамические плиты SiC могут быть изготовлены в различных размерах и формах, что позволяет настраивать их для удовлетворения конкретных потребностей приложения.
Эти свойства делают керамические плиты SiC важным компонентом в различных отраслях промышленности, особенно в производстве полупроводников, высокотемпературном спекании и химической обработке.
Приложения для керамических тарелок SiC
Производство полупроводников:
Керамические пластины SiC широко используются для поддержки кремниевых пластин во время различных процессов изготовления, включая эпитаксию, диффузию и окисление.Их высокая тепловая устойчивость и механическая прочность обеспечивают оптимальные условия обработки и минимизируют дефекты.
Высокотемпературный синтер:
При производстве передовой керамики и материалов, SiC подносы используются в высокотемпературных процессах спекания,предоставление надежной платформы, которая выдерживает экстремальные условия без деформации.
Химическая обработка:
Из-за их превосходной химической устойчивости, керамические подносы SiC идеально подходят для обработки агрессивных химических веществ в лабораториях и промышленных условиях.дистилляционные колонны, и другое оборудование, требующее прочности против коррозионных веществ.
Электрические и электрические компоненты:
SiC-пакеты служат субстратами при производстве электронных устройств и компонентов,где их изоляционные свойства и теплопроводность имеют решающее значение для поддержания производительности и надежности.
Оптические приложения:
В производстве оптических компонентов SiC-хранилища используются для поддержки и обработки материалов, которые требуют точного контроля температуры и стабильности, обеспечивая высокое качество конечных продуктов.
Аэрокосмическая и автомобильная промышленность:
Керамические пластины SiC используются в аэрокосмической и автомобильной промышленности из-за их легкого веса и высокой прочности.особенно в компонентах, требующих теплового управления и коррозионной стойкости.
Исследования и разработки:
В исследовательской и опытной среде SiC-пакеты часто используются для экспериментальных установки, которые включают высокие температуры или коррозионные химические вещества, обеспечивая надежную платформу для тестирования инновационных материалов.
Выставка керамической плиты с SiC