Полуизоляционная 3-дюймовая пластина из карбида кремния 4H N-тип CVD ориентация: 4.0°±0.5°

Полуизоляционный 3-дюймовый Кремниевый карбид пластинки Abstract

The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for advanced high-power and high-frequency semiconductor devices that operate well beyond the capabilities of either silicon or gallium arsenide devicesКлючевые преимущества технологии на основе SiC включают снижение потерь переключения, более высокую плотность питания, лучшее рассеивание тепла и увеличение пропускной способности.Это приводит к очень компактным решениям с значительно повышенной энергоэффективностью при снижении затратБыстро растущий список текущих и прогнозируемых коммерческих применений, использующих технологии SiC, включает переключательные источники питания, инверторы для солнечной и ветряной энергетики.двигатели промышленного производства, электромобилей и электромобилей, а также умных сетей электропередач.

Ключевая особенность полуизоляционной 3-дюймовой пластины из карбида кремния

Полуизоляционная 3-дюймовая пластина из карбида кремния обладает ключевыми особенностями, которые делают ее необходимой в различных полупроводниковых приложениях.Эти пластины являются важнейшим субстратом для производства высокопроизводительных электронных устройствПолуизоляционное свойство, которое указывает на степень электрической изоляции, является определяющей характеристикой, уменьшая утечку тока и повышая производительность электронных компонентов.

Силиконовый карбид (SiC), основной материал строительства, является соединением, известным своими исключительными свойствами.что делает его идеальным для требовательных приложенийПолуизоляционный характер этих пластин имеет преимущество в микроволновых и радиочастотных устройствах, таких как усилители мощности и радиочастотные переключатели.где электрическая изоляция имеет решающее значение для оптимальной работы.

Одно из наиболее важных применений полуизоляционных пластинок из карбида кремния заключается в электротехнических устройствах.Эти пластины используются в производстве диодов SiC Schottky и транзисторов SiC Field-Effect (FET), способствуя развитию высоковольтной и высокотемпературной силовой электроники.Уникальные характеристики материала делают его подходящим для среды, где обычные полупроводники могут изо всех сил работать эффективно.

Кроме того, эти пластины используются в оптоэлектронике, в частности в производстве фотодиодов SiC.Чувствительность Кремниевого карбида к ультрафиолетовому свету делает его ценным в оптических сенсорных приложенияхВ экстремальных условиях, таких как высокие температуры и суровая среда, полуизоляционные пластинки SiC используются в датчиках и системах управления.

В области применения при высоких температурах и экстремальных условиях среды полуизоляционные пластины из карбида кремния пользуются предпочтением из-за их устойчивости и устойчивости.Они играют решающую роль в системах обнаружения и управления, предназначенных для работы в сложных условиях.

В ядерных энергетических приложениях радиационная стабильность карбида кремния является выгодной.

Эти ключевые особенности совместно позиционируют полуизоляционные 3-дюймовые пластинки из карбида кремния как критические компоненты в передовых полупроводниковых технологиях.и высокотемпературных применений подчеркивает их значение в современной электронике и технологической промышленностиПостоянные достижения в технологии SiC еще больше укрепляют важность этих пластин в продвижении границ электронной производительности и надежности.

Применение полуизолирующей 3-дюймовой пластины из карбида кремния

Полуизоляционная 3-дюймовая пластина из карбида кремния играет ключевую роль в различных полупроводниковых приложениях,предлагающие уникальные свойства, которые способствуют развитию электронных устройств и системС диаметром в три дюйма, эти пластины особенно влиятельны в производстве высокопроизводительных электронных компонентов.

Полуизоляционная характеристика этих пластин является ключевой особенностью, обеспечивающей электрическую изоляцию для минимизации утечки тока.Это свойство имеет решающее значение для приложений, где необходимо поддерживать высокое электрическое сопротивление, например, в некоторых типах электронных устройств и интегральных схем.

Одно из наиболее распространенных применений полуизолирующих 3-дюймовых пластинок из карбида кремния заключается в производстве высокочастотных и мощных электронных устройств.Отличная теплопроводность и широкий диапазон карбида кремния делают его подходящим для производства устройств, таких как диоды SchottkyЭти устройства используются в преобразователях мощности, усилителях и радиочастотных системах.

Полупроводниковая промышленность также использует эти пластины для разработки датчиков и детекторов для экстремальных условий.Устойчивость Кремниевого карбида при высоких температурах и суровых условиях делает его подходящим для создания датчиков, которые могут выдерживать сложные условияЭти датчики используются в различных отраслях промышленности, включая аэрокосмическую, автомобильную и энергетическую.

В оптоэлектронике полуизоляционные пластины из карбида кремния используются для изготовления фотодиодов и светоизлучающих диодов (LED).Уникальные оптические свойства карбида кремния делают его подходящим для применения, требующего чувствительности к ультрафиолетовому светуЭто особенно выгодно в оптических системах обнаружения и связи.

Ядерная промышленность получает выгоду от устойчивости к радиации карбида кремния, и эти пластины находят применение в детекторах радиации и датчиках, используемых в ядерных реакторах.Способность выдерживать суровую радиационную среду делает карбид кремния важным материалом для таких критических применений.

Исследователи и ученые продолжают исследовать новые приложения для полуизоляционных 3-дюймовых пластинок из карбида кремния, благодаря исключительным свойствам материала.Ожидается, что эти пластины будут играть жизненно важную роль в таких развивающихся областях, как квантовые вычисления., где необходимы прочные и высокопроизводительные материалы.

Подводя итог, применение полуизоляционной 3-дюймовой пластины из карбида кремния охватывает широкий спектр отраслей промышленности, от силовой электроники и оптоэлектроники до сенсорных и ядерных технологий.Его универсальность и уникальные свойства делают его ключевым фактором для разработки передовых электронных систем, которые эффективно работают в сложных условиях..

График данных полуизоляционной 3-дюймовой пластины из карбида кремния

* Типичные ценности производства
** Измеряется интерферометрией белого света (250μm x 350μm) Свойства материала

Другие рекомендации по применению:

сапфировая подложка

8inch/6inch/5inch/ 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/ a-axis/ r-axis/ m-axis 6"/6inch dia150mm C-plane Sapphire SSP/DSP wafers with 650um/1000um Thicknessdiameter300mm 12inch Al2O3 Sapphire wafers carrier with notch SSP DSP 1.0mm C - Оси сапфировые оптические стеклянные окна