GaP Wafer, Gallium Phosphide однокристаллическая ориентация (111)A
0°±0.2 Солнечные элементы
Описание продукта:
Галлиевый фосфид GaP, важный полупроводник с уникальными
электрическими свойствами, как и другие III-V соединенные
материалы, кристаллизуется в термодинамически стабильной кубической
структуре ZB,представляет собой оранжево-желтый полупрозрачный
кристаллический материал с непрямым промежутком полосы 2.26 eV
(300K), который синтезируется из 6N 7N высокочистого галлия и
фосфора и выращивается в однокристалл методом Liquid Encapsulated
Czochralski (LEC).Кристалл фосфида галлия допируется серью или
теллуром для получения полупроводников n-типа, и цинк допированный
в качестве проводимости p-типа для дальнейшей изготовления в
желаемый пластинка, которая имеет применение в оптических системах,
электронных и других оптоэлектронных устройств.Однокристаллический
вафли GaP может быть подготовлен Epi-ready для вашего
LPEВысококачественный однокристаллический галлиевый фосфид GaP
пластинки p-типа,Проводимость n-типа или недопированная в Western
Minmetals (SC) Corporation может предлагаться в размерах 2′′ и 3′′
(50 мм), диаметром 75 мм), ориентация <100>,<11> с
поверхностной отделкой из срезанного, полированного или готового к
эпи.
Особенности:
- Широкий диапазон, подходящий для излучения конкретных длин волн
света.
- GaP Wafer Отличные оптические свойства, позволяющие производить
светодиоды различных цветов.
- Высокая эффективность в генерировании красного, желтого и зеленого
света для светодиодов.
- Высокая способность поглощать свет на определенных длинах волн.
- Хорошая электрическая проводимость, облегчающая использование
высокочастотных электронных устройств.
- GaP Wafer Соответствующая тепловая стабильность для надежной
работы.
- Химическая устойчивость, подходящая для производственных процессов
полупроводников.
- GaP Wafer Благоприятные параметры решетки для эпитаксиального роста
дополнительных слоев.
- Способность служить субстратом для осаждения полупроводников.
- GaP Wafer Прочный материал с высокой теплопроводностью.
- Отличные оптоэлектронные возможности для фотодетекторов.
- Универсальность в проектировании оптических устройств для
конкретных диапазонов длин волн.
- GaP Wafer Потенциальное применение в солнечных батареях для
индивидуального поглощения света.
- Относительно соответствующие решетчатые структуры для качественного
роста полупроводников.
- Очень важная роль в производстве светодиодов, лазерных диодов и
фотодетекторов благодаря своим оптическим и электрическим
свойствам.
Технические параметры:
Параметр | Стоимость |
---|
Способ выращивания | LEC |
ВЫБОК | Макс:10 |
Диаметр | 500,6±0,3 мм |
Количество частиц | Никаких |
Угол ориентации | Никаких |
TTV/TIR | Макс:10 |
Допирующее средство | S |
Лазерная маркировка | Никаких |
Ориентация | (111) А 0°±0.2 |
Мобильность | Минус:100 |
Полупроводниковый материал | Полупроводниковый субстрат |
Окисление поверхности | Ультраплотные пластины из оксида кремния |
Применение:
- Производство GaP Wafer LED для производства красных, желтых и
зеленых огней.
- Производство GaP Wafer Laser диодов для различных оптических
приложений.
- Разработка фотодетектора GaP Wafer для конкретных диапазонов длин
волн.
- Использование GaP Wafer в оптико-электронных датчиках и световых
датчиках.
- Интеграция солнечных элементов для адаптированного поглощения
спектра света.
- GaP Wafer Производство дисплейных панелей и индикаторных фонарей.
- GaP Wafer Вклад в высокочастотные электронные устройства.
- GaP Wafer Формация оптических устройств для различных диапазонов
длин волн.
- GaP Wafer Использование в телекоммуникационных и оптических
системах связи.
- GaP Wafer Разработка фотонических устройств для обработки сигнала.
- Интеграция GaP Wafer в инфракрасные (IR) и ультрафиолетовые (UV)
сенсоры.
- Внедрение GaP Wafer в биомедицинские и экологические датчики.
- Применение GaP Wafer в военных и аэрокосмических оптических
системах.
- Интеграция GaP Wafer в спектроскопию и аналитические приборы.
- Использование GaP Wafer в исследованиях и разработке новых
технологий.
Настройка:
Услуга по производству полупроводниковых субстратов
Марка: ZMSH
Номер модели: GaP вафля
Место происхождения: Китай
TTV/TIR: максимум:10
Макс:10
Местоположение/длина: EJ[0-1-1]/ 16±1 мм
Мобильность: Min:100
Сопротивляемость: Min:0.01 Макс:0.5 Ω.cm
Особенности:
• Использование технологии тонкой пленки
• Кремниевой оксид
• Электроокисление
• индивидуальные услуги
Поддержка и услуги:
Техническая поддержка и услуги по полупроводниковым субстратам
Мы предоставляем широкий спектр технической поддержки и услуг для
наших полупроводниковых субстратов.
Независимо от того, нужна ли вам консультация по выбору продукта,
установке, тестированию или любой другой технической проблеме, мы
готовы помочь.
- Выбор и оценка продукта
- Установка и испытания
- Устранение неполадок и решение проблем
- Оптимизация производительности
- Обучение и просвещение продуктов
Наша команда опытных инженеров и техников готовы ответить на любые
ваши вопросы и предоставить лучшие технические консультации и
поддержку.Свяжитесь с нами сегодня и позвольте нам помочь вам найти
лучшее решение для ваших потребностей.