Резюме

 
4-HПолуизоляционный СиКСубстрат представляет собой высокопроизводительный полупроводниковый материал с широким спектром применений.Этот субстрат имеет исключительные электрические характеристики., включая высокую сопротивляемость и низкую концентрацию носителя, что делает его идеальным выбором для радиочастотных (RF), микроволновых и мощных электронных устройств.
 
Основные особенности 4-HПолуизоляционный СиКСубстрат обладает высокоравномерными электрическими свойствами, низкой концентрацией примесей и исключительной теплостойкостью.Эти атрибуты делают его подходящим для изготовления высокочастотных RF устройств питания, высокотемпературные электронные датчики и микроволновое электронное оборудование.Его высокая прочность поля разложения и отличная теплопроводность также позиционируют его как предпочтительный субстрат для высокомощных устройств.
 
Кроме того, 4-HПолуизоляционный СиКСубстрат демонстрирует отличную химическую устойчивость, что позволяет ему работать в коррозионной среде и расширяет спектр применений.Он играет решающую роль в таких отраслях, как производство полупроводников., телекоммуникаций, обороны и высокоэнергетических физических экспериментов.
 
Вкратце, 4-HПолуизоляционный СиКсубстрат с его выдающимися электрическими и тепловыми свойствами,имеет значительные перспективы в области полупроводников и обеспечивает надежную основу для производства высокопроизводительных электронных устройств.
 

Свойства

Электрические устройства высокой мощности:Полуизоляционный СиКидеально подходит для высокомощных и высокочастотных электронных устройств из-за высокого разрывного напряжения и высокой теплопроводности.
 
РЧ-устройства: из-за высокой теплопроводности и низких потерь,Полуизоляционный СиКиспользуется в радиочастотных устройствах, таких как усилители микроволновой мощности и радиочастотные транзисторы.
 
Оптоэлектронные устройства:Полуизоляционный СиКтакже обладает отличными оптоэлектронными свойствами, что делает его подходящим для производства светодиодов, лазеров и фотодетекторов.
 
Электронные устройства в условиях высокой температуры: высокая температура плавления и отличная химическая устойчивостьПолуизоляционный СиКшироко используется в электронных устройствах, работающих в условиях высокой температуры, таких как аэрокосмическая, автомобильная и промышленная системы управления процессами.
 
Устройства, отвержденные радиацией:Полуизоляционный СиКявляется высокоустойчивым к радиации, что делает его подходящим для радиоустойчивых электронных устройств в ядерных реакторах и космических приложениях.
 
Датчики: уникальные свойстваПолуизоляционный СиКМатериал делает его подходящим для производства различных типов датчиков, таких как датчики температуры, датчики давления и химические датчики.
 

Особенности:

Высокая сопротивляемость:Полуизоляционный СиКобладает очень высоким сопротивлением, что означает, что он может эффективно препятствовать потоку электрического тока, что делает его подходящим для использования в качестве изоляционного слоя в высокомощных электронных устройствах
 
Высокая теплопроводность:SiCМатериал имеет очень высокую теплопроводность, что помогает быстро и эффективно рассеивать тепло из устройств, тем самым повышая производительность и надежность устройств.
 
Высокое разрывное напряжение:Полуизоляционный СиКимеет очень высокое разрывное напряжение, что означает, что он может работать в высоковольтных приложениях без возникновения электрического сбоя.
 
Отличная химическая стабильность:SiCостается химически устойчивым при широком диапазоне температур и высоко устойчив к большинству кислот и оснований.
 
Высокая температура плавления:SiCимеет исключительно высокую температуру плавления, примерно 2730°C (4946°F), что позволяет ему поддерживать стабильность в условиях экстремальной высокой температуры.
 
Толерантность к излучению: полуизоляцияSiCобладает высокой толерантностью к радиации, что делает его превосходным в ядерных реакторах и космических приложениях.
 
Отличные механические свойства:SiCЭто очень жесткий материал, отличная износостойкость и высокая прочность.
 
Широкополосный полупроводник:SiCявляется широкополосным полупроводником, отличающимся высокой мобильностью электронов и низким утечкой тока, что приводит к выдающейся производительности в высокотемпературных и высокочастотных электронных устройствах.
 

Упаковка и перевозка:

Кремниекарбидные (SiC) пластинки - это тонкие ломтики полупроводникового материала, используемые в основном для электротехники.Важно следовать инструкциям по упаковке и перевозке..

Опаковка

• Пластинки должны быть отправлены в безопасной упаковке ESD.
• Каждый пластинка должна быть упакована в безопасный для ESD материал, такой как ESD пена или пузырьков оберток.
• Упаковка должна быть запечатана защитной лентой ESD.
• Упаковка должна быть маркирована с символом безопасности ESD и наклейкой "Хрупкий".