

Add to Cart
4-HПолуизоляционный СиКСубстрат представляет собой высокопроизводительный
полупроводниковый материал с широким спектром применений.Этот
субстрат имеет исключительные электрические характеристики.,
включая высокую сопротивляемость и низкую концентрацию носителя,
что делает его идеальным выбором для радиочастотных (RF),
микроволновых и мощных электронных устройств.
Основные особенности 4-HПолуизоляционный СиКСубстрат обладает высокоравномерными электрическими свойствами,
низкой концентрацией примесей и исключительной теплостойкостью.Эти
атрибуты делают его подходящим для изготовления высокочастотных RF
устройств питания, высокотемпературные электронные датчики и
микроволновое электронное оборудование.Его высокая прочность поля
разложения и отличная теплопроводность также позиционируют его как
предпочтительный субстрат для высокомощных устройств.
Кроме того, 4-HПолуизоляционный СиКСубстрат демонстрирует отличную химическую устойчивость, что
позволяет ему работать в коррозионной среде и расширяет спектр
применений.Он играет решающую роль в таких отраслях, как
производство полупроводников., телекоммуникаций, обороны и
высокоэнергетических физических экспериментов.
Вкратце, 4-HПолуизоляционный СиКсубстрат с его выдающимися электрическими и тепловыми
свойствами,имеет значительные перспективы в области полупроводников
и обеспечивает надежную основу для производства
высокопроизводительных электронных устройств.
Электрические устройства высокой мощности:Полуизоляционный СиКидеально подходит для высокомощных и высокочастотных электронных
устройств из-за высокого разрывного напряжения и высокой
теплопроводности.
РЧ-устройства: из-за высокой теплопроводности и низких потерь,Полуизоляционный СиКиспользуется в радиочастотных устройствах, таких как усилители
микроволновой мощности и радиочастотные транзисторы.
Оптоэлектронные устройства:Полуизоляционный СиКтакже обладает отличными оптоэлектронными свойствами, что делает
его подходящим для производства светодиодов, лазеров и
фотодетекторов.
Электронные устройства в условиях высокой температуры: высокая
температура плавления и отличная химическая устойчивостьПолуизоляционный СиКшироко используется в электронных устройствах, работающих в
условиях высокой температуры, таких как аэрокосмическая,
автомобильная и промышленная системы управления процессами.
Устройства, отвержденные радиацией:Полуизоляционный СиКявляется высокоустойчивым к радиации, что делает его подходящим для
радиоустойчивых электронных устройств в ядерных реакторах и
космических приложениях.
Датчики: уникальные свойстваПолуизоляционный СиКМатериал делает его подходящим для производства различных типов
датчиков, таких как датчики температуры, датчики давления и
химические датчики.
Высокая сопротивляемость:Полуизоляционный СиКобладает очень высоким сопротивлением, что означает, что он может
эффективно препятствовать потоку электрического тока, что делает
его подходящим для использования в качестве изоляционного слоя в
высокомощных электронных устройствах
Высокая теплопроводность:SiCМатериал имеет очень высокую теплопроводность, что помогает быстро
и эффективно рассеивать тепло из устройств, тем самым повышая
производительность и надежность устройств.
Высокое разрывное напряжение:Полуизоляционный СиКимеет очень высокое разрывное напряжение, что означает, что он
может работать в высоковольтных приложениях без возникновения
электрического сбоя.
Отличная химическая стабильность:SiCостается химически устойчивым при широком диапазоне температур и
высоко устойчив к большинству кислот и оснований.
Высокая температура плавления:SiCимеет исключительно высокую температуру плавления, примерно 2730°C
(4946°F), что позволяет ему поддерживать стабильность в условиях
экстремальной высокой температуры.
Толерантность к излучению: полуизоляцияSiCобладает высокой толерантностью к радиации, что делает его
превосходным в ядерных реакторах и космических приложениях.
Отличные механические свойства:SiCЭто очень жесткий материал, отличная износостойкость и высокая
прочность.
Широкополосный полупроводник:SiCявляется широкополосным полупроводником, отличающимся высокой
мобильностью электронов и низким утечкой тока, что приводит к
выдающейся производительности в высокотемпературных и
высокочастотных электронных устройствах.
Недвижимость | Описание |
Высокая сопротивляемость | Обладает очень высокой электрической сопротивляемостью, действуя как эффективный изолятор в высокомощных электронных устройствах. |
Высокая теплопроводность | Быстро и эффективно рассеивает тепло, повышая производительность и надежность устройства. |
Высокое разрывное напряжение | Может работать в условиях высокого напряжения без электрического сбоя. |
Отличная химическая устойчивость | Сохраняет стабильность в широком диапазоне температур и высоко устойчив к большинству кислот и оснований. |
Высокая температура плавления | Сохраняет стабильность в условиях высокой температуры с температурой плавления около 2,730В пленC (4,946В пленF). |
Толерантность к радиации | Проявляет высокую устойчивость к радиации, подходит для использования в ядерных реакторах и космических приложениях. |
Отличные механические свойства | Очень твердый материал, обеспечивающий выдающуюся износостойкость и высокую прочность. |
Широкополосный полупроводник | Хорошо работает при высоких температурах и высоких частотах из-за высокой мобильности электронов и низкого тока утечки. |
Кремниекарбидные (SiC) пластинки - это тонкие ломтики полупроводникового материала, используемые в основном для электротехники.Важно следовать инструкциям по упаковке и перевозке..