Шаблон на алмазных пластинах Подложка Эпитаксиальные пленки AlN

AlN на алмазных шаблонных пластинах Эпитаксиальные пленки AlN на алмазной подложке AlN на сапфире /AlN-на-SiC/ AlN-на кремнии

Добро пожаловать в шаблон AlN на Diamond~~

Преимущества АлН
• Прямая запрещенная зона, ширина запрещенной зоны 6,2 эВ, является важным люминесцентным материалом для глубокого и ультрафиолетового излучения.
• Высокая напряженность электрического поля пробоя, высокая теплопроводность, высокая изоляция, низкая диэлектрическая проницаемость, низкий коэффициент теплового расширения, хорошие механические характеристики, коррозионная стойкость, обычно используется при высокой температуре и высокой частоте.
Устройство высокой мощности
• Очень хорошие пьезоэлектрические характеристики (особенно вдоль оси C), что является одним из лучших материалов для изготовления различных датчиков, драйверов и фильтров.
• Он имеет очень близкие к кристаллу GaN постоянную решетки и коэффициент теплового расширения и является предпочтительным материалом подложки для гетероэпитаксиального выращивания оптоэлектронных устройств на основе GaN.

Три основных продукта AlN

1. AlN-на-кремний
Тонкие пленки из высококачественного нитрида алюминия (AlN) были успешно получены на кремниевой подложке методом композитного осаждения.Ширина половины пика кривой качания XRD (0002) составляет менее 0,9°, а шероховатость поверхности роста составляет Ra<
1,5 нм (толщина нитрида алюминия 200 нм), высококачественная пленка из нитрида алюминия помогает реализовать получение нитрида галлия (GaN) большого размера, высокого качества и по низкой цене.

 Сапфир на основе AlN-на-сапфире

Высококачественный AlN на сапфире (нитрид алюминия на основе сапфира), полученный осаждением композита, ширина полупика XRD (0002) кривой качания <0,05 °, шероховатость поверхности роста
Ra <1,2 нм (толщина нитрида алюминия составляет 200 нм), что не только обеспечивает эффективный контроль качества продукции, значительно улучшает качество продукции, обеспечивает стабильность продукции, но также значительно снижает
Сокращаются себестоимость продукции и производственный цикл.Проверка клиентов показывает, что высококачественный AlN на сапфире CSMC может значительно повысить выход и стабильность светодиодных продуктов UVC.
Качественный, помогающий улучшить характеристики продукта.
3.AlN-On-Diamond на основе алмаза
CVMC является первой в мире инновационной разработкой нитрида алюминия на основе алмаза.Ширина половины пика кривой качания XRD (0002) составляет менее 3°, а алмаз обладает сверхвысокой теплопроводностью (теплопроводность при комнатной температуре может
До 2000 Вт/м·К) Шероховатость поверхности роста Ra < 2 нм (толщина нитрида алюминия составляет 200 нм), что способствует новому применению нитрида алюминия.

Преимущества приложения

• УФ-светодиодная подложка
Из-за стоимости процесса и требований к высокому выходу и высокой однородности подложка УФ-светодиодного чипа на основе AlGaN имеет большую толщину, большой размер и подходящий наклон. Подложки из сапфира со скошенной кромкой являются отличным выбором.Более толстая подложка может эффективно уменьшить аномальное искажение эпитаксиальных пластин, вызванное концентрацией напряжений во время эпитаксии.
Однородность эпитаксиальных пластин может быть улучшена;Подложки большего размера могут значительно уменьшить краевой эффект и быстро снизить общую стоимость чипа;Подходящий угол фаски может
Для улучшения морфологии поверхности эпитаксиального слоя или в сочетании с эпитаксиальной технологией для формирования эффекта локализации носителей, богатых галлием, в активной области квантовой ямы, чтобы улучшить светоотдачу.
• Переходный слой
Использование AlN в качестве буферного слоя позволяет значительно улучшить эпитаксиальное качество, электрические и оптические свойства пленок GaN.Несоответствие решетки между GaN и подложкой AIN составляет 2,4%, термическое несоответствие почти равно нулю, что позволяет не только избежать теплового напряжения, вызванного ростом температуры, но и значительно повысить эффективность производства.
• Другие приложения
Кроме того, тонкие пленки AlN можно использовать для пьезоэлектрических тонких пленок устройств поверхностных акустических волн (SAW), пьезоэлектрических тонких пленок устройств объемных акустических волн (FBAR), изолирующих скрытых слоев материалов SOI и монохроматического охлаждения.
Катодные материалы (используемые для автоэмиссионных дисплеев и микровакуумных ламп) и пьезоэлектрические материалы, устройства с высокой теплопроводностью, акустооптические устройства, ультрафиолетовые и рентгеновские детекторы.
Эмиссия пустого коллекторного электрода, диэлектрический материал МДП-устройства, защитный слой магнитооптической записывающей среды.