Semi изолируя Undoped субстрат вафли арсенида галлия для СИД освещая 2inch 3inch 4inch
Номер модели:2inch SEMI
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:5pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки:500pcs в месяц
Срок поставки:2-4weeks
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shanghai Shanghai China
Адрес:
Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799
последний раз поставщика входа:
в рамках 38 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
тип вафля 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N GaAs арсенида галлия /Si-doped полу-изоляции
Характер продукции
Наше 2' „до 6" „полу-проводя & полу-изолируя кристалл & вафля GaAs дико использовано в применении применения интегральной схемаы полупроводника & освещения СИД общего.
Особенность и применение вафли GaAs
| Особенность | Область применения |
|---|---|
| Высокая подвижность электрона | Светоизлучающие диоды |
| Частота коротковолнового диапазона | Лазерные диоды |
| Высокая эффективность преобразования | Фотовольтайческие приборы |
| Потребление низкой мощности | Высокий транзистор подвижности электрона |
| Сразу зазор диапазона | Транзистор гетероперехода двухполярный |
ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ
Спецификации полу-проводить вафлю GaAs
Метод роста | VGF | |||
Dopant | p типа: Zn | n типа: Si | ||
Форма вафли | Круг (dia: 2", 3", 4", 6") | |||
Поверхностная ориентация * | (100) ±0.5° | |||
* другие ориентации возможно доступные по требованию | ||||
Dopant | Si (n типа) | Zn (p типа) | ||
Концентрация несущей (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Подвижность (cm2/V.S.) | × 103 (1-2.5) | 50-120 | ||
Вытравите плотность тангажа (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Диаметр вафли (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Толщина (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
(mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
/ЕСЛИ (mm), то | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Спецификации полу-изолировать вафлю GaAs
Метод роста | VGF | |||
Dopant | Тип SI: Углерод | |||
Форма вафли | Круг (DIA: 2", 3", 4", 6") | |||
Поверхностная ориентация * | (100) ±0.5° | |||
* другие ориентации возможно доступные по требованию | ||||
Резистивность (Ω.cm) | × 107 ≥ 1 | × 108 ≥ 1 | ||
Подвижность (cm2/V.S) | ≥ 5 000 | ≥ 4 000 | ||
Вытравите плотность тангажа (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Диаметр вафли (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Толщина (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
ИСКРИВЛЕНИЕ (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
(mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ЗАЗУБРИНА |
/ЕСЛИ (mm), то | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
вопросы и ответы –
Q: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем DHL, Federal Express, TNT, UPS, EMS, SF и etc.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить.
Freight=USD25.0 (первый вес) + USD12.0/kg
Q: Как оплатить?
T/T, PayPal, западное соединение, MoneyGram, безопасная оплата и
торговое обеспечение на Alibaba и etc…
Q: Что MOQ?
(1) для инвентаря, MOQ 5pcs.
(2) для подгонянных продуктов, MOQ 5pcs-20pcs.
Оно зависит от количества и методов
Q: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.
Упаковка – Logistcs
мы относимся каждое детали пакета, чистка, противостатическая,
шоковая терапия. Согласно количеству и форме продукта,
мы примем различный упаковывая процесс!
Semi изолируя Undoped субстрат вафли арсенида галлия для СИД освещая 2inch 3inch 4inch
Запрос Корзина
0