4Inch подгоняло вафли сапфира оси для эпитаксиального роста 430um SSP DSP
Номер модели:2 дюйма 4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов 12 дюймов
Место происхождения:фарфор
Количество минимального заказа:25pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки:1000pcs в месяц
Срок поставки:1-4weeks
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shanghai Shanghai China
Адрес:
Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799
последний раз поставщика входа:
в рамках 38 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
2inch /3inch 4inch /5inch/6inch C-axis/a axis/ r axis/ m-axis 6"/6inch dia150mm C-plane Sapphire SSP/DSP wafers with 650um/1000um Thickness2inch 4inch customized A axis sapphire wafers for epitaxial growth 430um SSP DSP
О синтетическом кристалле сапфира
Из-за меньшей несовместимости решетки и стабильных химических и физических свойств, сапфир ((Al2O3) - популярный субстрат для нитридов III-V, сверхпроводников и магнитных эпифильмов.Они широко используются в GaN и тонкопленочного эпитаксиального роста, кремний на сапфире, светодиодный рынок и оптической промышленности.
ZMSH является профессиональным поставщиком сапфировых пластин, который производит 99,999% высокой чистоты однокристаллических полированных сапфировых пластин для эпитаксии.И наши сапфировые (Al2O3) субстраты отличаются отличной поверхностью, что является ключевым параметром светодиода.
Если вы ищете надежных поставщиков сапфировых пластин, пожалуйста, свяжитесь с нами.
Свойства сапфира для A-PLANE (11-20)
Плоскостные сапфировые пластинки имеют равномерную диэлектрическую постоянную и высокоизоляционные характеристики, поэтому они обычно используются для гибридных микроэлектронных приложений.Эта ориентация также может быть использована для роста высоких сверхпроводников.
Например, TlBaCaCuO (TbBaCaCuO), Tl-2212, гетеро-эпитаксиальная сверхпроводящая тонкая пленка выращивается на сапфировой композитной подложке оксида церия (CeO2).Доступность поверхностных отделений на уровне Ангстрома позволяет создавать тонкие линии соединения гибридных модулей..
Спецификации A-Plane (11-20) Sapphire Wafers
| Положение | 2-дюймовая A-плоскость ((11-20) 430μm Сапфировые пластинки | |
| Кристаллические материалы | 99,999%, высокая чистота, монокристаллический Al2O3 | |
| Уровень | Премиум, готовы к эпипрепаратам. | |
| Ориентация поверхности | А-плоскость ((11-20) | |
| Диаметр | 500,8 мм +/- 0,1 мм | |
| Толщина | 430 мкм +/- 25 мкм | |
| Первичная плоская ориентация | C-плоскость ((0001) +/- 0,2° | |
| Первичная плоская длина | 160,0 мм +/- 1,0 мм | |
| Одностороннее полирование | Передняя поверхность | Эпиполированный, Ra < 0,5 нм (по AFM) |
| (SSP) | Задняя поверхность | Плохо измельченный, Ra = 0,8 мкм до 1,2 мкм |
| Двухгранный полированный | Передняя поверхность | Эпиполированный, Ra < 0,5 нм (по AFM) |
| (DSP) | Задняя поверхность | Эпиполированный, Ra < 0,5 нм (по AFM) |
| TTV | < 10 мкм | |
| ВЫБОК | < 10 мкм | |
| WARP | < 10 мкм | |
| Уборка / упаковка | Уборка чистых помещений класса 100 и вакуумная упаковка, | |
| 25 штук в одной кассетной упаковке или в упаковке на один кусок. | ||
Примечание: могут быть поставлены специальные сапфировые пластинки и подложки любой ориентации и любой толщины.
Каталог Список запасов
| 2 дюйма. | DSP C-AXIS 0,1 мм/ 0,175 мм/ 0,2 мм/ 0,3 мм/ 0,4 мм/ 0,5 мм/ 1,0 мм SSP C-ось 0,2/0,43 мм (DSP&SSP) Сапфировые пластинки плоскости A (1120) Сапфировая пластина R-plane (1102) М-плоскость (1010) сапфировая пластинка
|
| Три дюйма. | DSP/SSP C-ось 0,43 мм/0,5 мм
|
| 4 дюйма | dsp c-ось 0,4 мм/ 0,5 мм/ 1,0 мм ssp c-ось 0,5 мм/0,65 мм/1,0 мм
|
| 6 дюймов | ssp c-ось 1,0 мм/1,3 мм
dsp c-ось 0,65 мм/0,8 мм/1,0 мм
|
Оплата / Отправка
|
4Inch подгоняло вафли сапфира оси для эпитаксиального роста 430um SSP DSP
Запрос Корзина
0