Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Номер модели:6инч С-К-Н
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:5 шт
Термины компенсации:T / T, Western Union, MoneyGram
Способность поставкы:500pcs в месяц
Срок поставки:2-4 Weeks
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shanghai Shanghai China
Адрес:
Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799
последний раз поставщика входа:
в рамках 38 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
тип 2инч/3инч /4inch /6inch С-К-Н Си-дал допинг вафле ГаАс арсенида галлия
Характер продукции
Вафли арсенида галлия (ГаАс)
ПВАМ начинает и изготовляет кристалл и вафлю арсенида субстрат-галлия сложного полупроводника. Мы использовали предварительную технологию выращивания кристаллов, вертикальное замораживание градиента (ВГФ) и вафлю ГаАс технологический прочесс, установили производственную линию от выращивания кристаллов, вырезывания, меля к полируя обработке и построили комнату 100 классов чистую для чистки и упаковки вафли. Наша вафля ГаАс включает слиток/вафли 2~6 дюймов для СИД, ЛД и применений микроэлектроники. Мы всегда предназначены для того чтобы улучшить качество в настоящее время подсостояний и начать крупноразмерные субстраты.
Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений СИД
- 1. Главным образом использованный в электронике, сплавы низкой температуры, арсенид галлия.
- 2. Основное химическое соединение галлия в электронике, использовано в цепях микроволны, высокоскоростных цепях переключения, и ультракрасных цепях.
- 3. Нитрид галлия и нитрид галлия индия, ибо пользы полупроводника, производят голубые и фиолетовые светоизлучающие диоды (LEDs) и лазеры диода.
ХАРАКТЕР ПРОДУКЦИИ
СПЕЦИФИКАЦИЯ --6 вафля арсенида галлия СИ-Допант Н типа ССП/ДСП
ЛЭД/ЛД дюйма | |
Метод роста | ВГФ |
Ориентация | <100> |
Диаметр | 150,0 +/- 0,3 мм |
Толщина | 650ум +/- 25ум |
Блеск | Определите, который встали на сторону отполированное (SSP) |
Шероховатость поверхности | Отполированный |
ТТВ/Бов | <10um> |
Допант | Си |
Тип проводимости | Н типа |
Резистивность (на РТ) | (см ома 1.2~9.9) *10-3 |
Плотность ямы травления (ЭПД) | СИД <5000>2; ЛД <500> |
Подвижность | Км2 СИД >1000/в.с; Км2 ЛД >1500/в.с |
Концентрация несущей | СИД > (0.4-4) *1018 /cm 3; ЛД > (0.4-2.5) *1018 /cm3 |
Спецификации полу-проводить вафлю ГаАс
Метод роста | ВГФ | |||
Допант | п типа: Зн | н типа: Си | ||
Форма вафли | Круглый (ДИА: 2", 3", 4", 6") | |||
Поверхностная ориентация * | (100) ±0.5° | |||
* другие ориентации возможно доступные по требованию | ||||
Допант | Си (н типа) | Зн (п типа) | ||
Концентрация несущей (км-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Подвижность (км2/В.С.) | × 103 (1-2.5) | 50-120 | ||
Плотность тангажа Этч (км2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Диаметр вафли (мм) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Толщина (µм) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
ТТВ [П/П] (µм) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
ТТВ [П/Э] (µм) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
ИСКРИВЛЕНИЕ (µм) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
(мм) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
/ЕСЛИ (мм), то | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Полиш* | Э/Э, П/Э, П/П | Э/Э, П/Э, П/П | Э/Э, П/Э, П/П | |
Спецификации полу-изолировать вафлю ГаАс
Метод роста | ВГФ | |||
Допант | Тип СИ: Углерод | |||
Форма вафли | Круглый (ДИА: 2", 3", 4", 6") | |||
Поверхностная ориентация * | (100) ±0.5° | |||
* другие ориентации возможно доступные по требованию | ||||
Резистивность (Ω.км) | × 107 ≥ 1 | × 108 ≥ 1 | ||
Подвижность (км2/В.С) | ≥ 5 000 | ≥ 4 000 | ||
Плотность тангажа Этч (км2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Диаметр вафли (мм) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Толщина (µм) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
ТТВ [П/П] (µм) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
ТТВ [П/Э] (µм) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
ИСКРИВЛЕНИЕ (µм) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
(мм) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ЗАЗУБРИНА |
/ЕСЛИ (мм), то | 7±1 | 12±1 | 18±1 | Н/А |
Полиш* | Э/Э, П/Э, П/П | Э/Э, П/Э, П/П | Э/Э, П/Э, П/П | Э/Э, П/Э, П/П |
вопросы и ответы –
К: Что вы можете поставить снабжение и цену?
(1) мы признаваем ДХЛ, Федерал Экспресс, ТНТ, УПС, ЭМС, СФ и етк.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный номер, то оно большие.
Если не, мы смогли помочь вам для того чтобы поставить.
Фрайгхт=УСД25.0 (первый вес) + УСД12.0/кг
К: Что срок поставки?
(1) для стандартных продуктов как объектив шарика, объектив Пауэлла
и объектив центрира:
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после заказа.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 рабочей недели после
заказа.
(2) для -стандартных продуктов, доставка 2 или 6 рабочей недели
после того как вы делаете заказ заказ.
К: Как оплатить?
Т/Т, ПайПал, западное соединение, МонейГрам, безопасное обеспечение
оплаты и торговли на Алибаба и етк…
К: Что МОК?
(1) для инвентаря, МОК 5пкс.
(2) для подгонянных продуктов, МОК 5пкс-20пкс.
Оно зависит от количества и методов
К: Вы имеете отчет о проверке для материала?
Мы можем поставить подробный отчет для наших продуктов.
Упаковка – Логисткс
мы относимся каждое детали пакета, чистка, противостатическая,
шоковая терапия. Согласно количеству и форме продукта,
мы примем различный упаковывая процесс!
Данная допинг Си вафля ГаАс арсенида галлия субстрата полупроводника для Микроваве/ХЭМТ/ПХЭМТ
Запрос Корзина
0