

Add to Cart
Вафли субстратов одиночного кристалла кремниевого карбида дя 150мм особой чистоты 4Х-Н 4инч 6инч (сик), субстраты полупроводника сик слитков сик кристаллические, вафли сик как-отрезка Кустомзид кристаллической вафли кремниевого карбида
Кремниевый карбид (СиК), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой СиК. СиК использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или ботх.СиК также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы ГаН, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.
Спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра особой чистоты 4инч (СиК)
спецификации субстрата кремниевого карбида особой чистоты 4Х 4 дюймов диаметра
СВОЙСТВО СУБСТРАТА | Ранг продукции | Ранг исследования | Фиктивная ранг |
Диаметр | 100,0 мм +0.0/-0.5мм | ||
Поверхностная ориентация | {0001} ±0.2° | ||
Основная плоская ориентация | <11->20> ̊ ± 5,0 | ||
Вторичная плоская ориентация | 90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого | ||
Основная плоская длина | 32,5 мм ±2.0 мм | ||
Вторичная плоская длина | 18,0 мм ±2.0 мм | ||
Край вафли | Чамфер | ||
Плотность Микропипе | см2 ≤5 микропипес/ | см2 ≤10микропипес/ | см2 ≤50 микропипес/ |
Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности | Никакие позволили | зона ≤10% | |
Резистивность | ≥1Э5 Ω·см | (зона 75%) ≥1Э5 Ω·см | |
Толщина | 350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм | ||
ТТВ | ≦10μм | μм ≦15 | |
Смычок (абсолютная величина) | μм ≦25 | μм ≦30 | |
Искривление | μм ≦45 | ||
Поверхностный финиш | Двойной блеск стороны, КМП стороны Си (полировать химиката) | ||
Шероховатость поверхности | Сторона Ра≤0.5 нм КМП Си | Н/А | |
Отказы светом высоко-интенсивности | Никакие позволили | ||
Обломоки/инденц края диффузным освещением | Никакие позволили | Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм | Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм |
Полная годная к употреблению область | ≥90% | ≥80% | Н/А |
*Тхэ другие спецификации можно подгонять согласно требованиям к клиента
6 дюймов - высокочистые Полу-изолируя спецификации субстратов 4Х-СиК
Свойство | Ранг у (ультра) | Ранг п (продукции) | Ранг р (исследования) | Ранг д (фиктивная) |
Диаметр | 150,0 мм±0.25 мм | |||
Поверхностная ориентация | ± 0.2° {0001} | |||
Основная плоская ориентация | <11-20> ̊ ± 5,0 | |||
Вторичная плоская ориентация | Н/А | |||
Основная плоская длина | 47,5 мм ±1.5 мм | |||
Вторичная плоская длина | Никакие | |||
Край вафли | Чамфер | |||
Плотность Микропипе | ≤1 /cm2 | ≤5 /cm2 | ≤10 /cm2 | ≤50 /cm2 |
Зона Полытыпе светом Высоко-интенсивности | Никакие | ≤ 10% | ||
Резистивность | ≥1Э7 Ω·см | (зона 75%) ≥1Э7 Ω·см | ||
Толщина | 350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм | |||
ТТВ | μм ≦10 | |||
Смычок (абсолютная величина) | μм ≦40 | |||
Искривление | μм ≦60 | |||
Поверхностный финиш | К-сторона: Оптически полировать, Си-сторона: КМП | |||
Шершавость (10μм ×10μм) | Ра Си-стороны КМП<> 0,5 нм | Н/А | ||
Отказ светом Высоко-интенсивности | Никакие | |||
Обломоки/Инденц края диффузным освещением | Никакие | Кты≤2, длина и ширина каждое<> 1мм | ||
Полезная площадь | ≥90% | ≥80% | Н/А |
* пределы дефектов применяются к всей поверхности вафли за
исключением зоны исключения края. # царапины должны быть проверены
на стороне Си только.
Тип 4Х-Н/вафля/слитки СиК особой чистоты 2 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК 3 вафля дюйма 4Х Н типа СиК 4 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК 6 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК |
4Х Полу-изолируя/вафля СиК особой чистоты 2 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК 3 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК 4 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК 6 дюймов 4Х Полу-изолируя вафлю СиК |
вафля 6Х Н типа СиК 2 вафля/слиток дюйма 6Х Н типа СиК | Размер Кустомзид для 2-6инч |
Отдел снабжения материалов ответственен для того чтобы собрать все сырье нужное для произведения вашего продукта. Полный трасеабилиты всех продуктов и материалов, включая химический и физический анализ всегда доступен.
Во время и после изготовления или подвергать механической обработке ваших продуктов, отдел контроля качества включается в убеждаться что все материалы и допуски соотвествуют или превышают вашей спецификации.
Обслуживание
Мы гордимся в иметь штат инженерства продаж с над 5 многолетними опытами в индустрии полупроводника. Они натренированы для того чтобы ответить технические вопросы так же, как обеспечить своевременные цитаты для ваших потребностей.
мы на вашей стороне в любое время когда вы имеете проблему, и разрешаем ее в 10хоурс.