китай категории
Русский язык

Первоначальный комплементарный транзистор АП5Н10ЛИ транзисторов силы/влияния поля

Номер модели:АП5Н10ЛИ
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:переговоров
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
Срок поставки:1 до 2 недели
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Первоначальный комплементарный транзистор АП5Н10ЛИ транзисторов силы/влияния поля

 

Комплементарное описание транзисторов силы

 

Выдвинутые пользы АП5Н10ЛИ вскапывают технологию для того чтобы обеспечить превосходный р ДС (ДАЛЬШЕ), низкие обязанность ворот и деятельность с напряжениями тока ворот как низкими как 4.5В. Этот прибор соответствующий для пользы как предохранение от батареи или в другом применении переключения.

 

Комплементарные особенности транзисторов силы

 

ВДС= 100В И д = 5А

 

РДС (ДАЛЬШЕ) < 140m="">

Предохранение от батареи

 

Переключатель нагрузки

Бесперебойное электропитание

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

ИД продуктаПакетОтмечатьКты (ПКС)
АП5Н10ЛИСОТ23-6МА6С3000

 

Абсолютный максимум оценок на Тдж=25℃ если не указано иное

 

ПараметрСимволЗначениеБлок
Стеките напряжение тока источникаВДС100В
Напряжение тока источника воротВГС±20В
Непрерывное течение стока, ℃ ТК=25ИД5А
Пульсированное течение стока, ℃ ТК =25ИД, ИМП ульс15А
Диссипация силы, ℃ т К=25

П

Д

17В
Определите пульсированную энергию лавины 5)ЭАС1,2мДж
Температура деятельности и храненияЦтг, Тдж-55 до 150
Термальное сопротивление, соединени-случайРθДжК7,4℃/В
Термальное сопротивление, джунктион-амбиент4)РθДжА62℃/В

 

Электрические характеристики на ℃ МОСФЭТ дж=25 режима повышения Н-канала т АП5Н10ЛИ 100В если не указано иное

 

СимволПараметрУсловие испытанийМинимальный.Тип.Макс.Блок
БВДССпробивное напряжение Сток-источникаВ =0 в, μА ИД=250100  В
ВГС (тх)Напряжение тока порога воротВ =В, μА ИД=2501,21,52,5В
РДС (ДАЛЬШЕ)сопротивление на-государства Сток-источникаВГС=10 В, ИД=5 А 110140мΩ
РДС (ДАЛЬШЕ)сопротивление на-государства Сток-источникаВ =4.5 В, ИД=3 А 160180мΩ

 

ИГСС

 

течение утечки Ворот-источника

В =20 В  100

 

нА

В =-20 В  -100
ИДССтечение утечки Сток-источникаВДС=100 В, ВГС=0 В  1уА
СиссВходная емкостьВ =0 В, 206,1 пФ
КоссЕмкость выхода 28,9 пФ
КрссОбратная емкость передачи 1,4 пФ
тд (дальше)Турн-он время задержки

ВГС=10 В,

ВДС=50 В,

 14,7 нс
трВремя восхода 3,5 нс
тд ()Время задержки поворота- 20,9 нс

т

ф

Время падения 2,7 нс
КгПолная обязанность ворот  4,3 нК
Кгсобязанность Ворот-источника 1,5 нК
Кгдобязанность Ворот-стока 1,1 нК
ВплатеауНапряжение тока плато ворот 5,0 В
Пропускной ток диода

 

ВГС

  7

 

А

ИСППульсированное течение источника  21
ВСДПропускное напряжение диодаИС=7 А, ВГС=0 В  1,0В

т

рр

Обратное время восстановления  32,1 нс
КррОбратная обязанность спасения 39,4 нК
ИррмПиковое течение обратного спасения 2,1 А
СимволПараметрУсловие испытанийМинимальный.Тип.Макс.Блок
БВДССпробивное напряжение Сток-источникаВ =0 в, μА ИД=250100  В
ВГС (тх)Напряжение тока порога воротВ =В, μА ИД=2501,21,52,5В
РДС (ДАЛЬШЕ)сопротивление на-государства Сток-источникаВГС=10 В, ИД=5 А 110140мΩ
РДС (ДАЛЬШЕ)сопротивление на-государства Сток-источникаВ =4.5 В, ИД=3 А 160180мΩ

 

ИГСС

 

течение утечки Ворот-источника

В =20 В  100

 

нА

В =-20 В  -100
ИДССтечение утечки Сток-источникаВДС=100 В, ВГС=0 В  1уА
СиссВходная емкостьВ =0 В, 206,1 пФ
КоссЕмкость выхода 28,9 пФ
КрссОбратная емкость передачи 1,4 пФ
тд (дальше)Турн-он время задержки

ВГС=10 В,

ВДС=50 В,

 14,7 нс
трВремя восхода 3,5 нс
тд ()Время задержки поворота- 20,9 нс

т

ф

Время падения 2,7 нс
КгПолная обязанность ворот  4,3 нК
Кгсобязанность Ворот-источника 1,5 нК
Кгдобязанность Ворот-стока 1,1 нК
ВплатеауНапряжение тока плато ворот 5,0 В
Пропускной ток диода

 

ВГС

  7

 

А

ИСППульсированное течение источника  21
ВСДПропускное напряжение диодаИС=7 А, ВГС=0 В  1,0В

т

рр

Обратное время восстановления  32,1 нс
КррОбратная обязанность спасения 39,4 нК
ИррмПиковое течение обратного спасения 2,1 А

 

Примечание

 

1) Высчитанный непрерывно протекающий ток основанный на максимуме - позволяемой температуре соединения.

2) Повторяющийся оценка; ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

3) Пд основан на максимальной температуре соединения, используя сопротивление соединени-случая термальное.

4) Значение РθДжА измерено с прибором установленным на 1 в доске 2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с т =25 °К. 5) ВДД=50 в, РГ=50 Ω, Л=0.3 мХ, начиная Тдж=25 °К.

 

Внимание

 

1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.

2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.

3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.

4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.

5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.

6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.

7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.

, Любые и вся информация описанные или, который содержать здесь подлежат, что изменяют без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.

 

China Первоначальный комплементарный транзистор АП5Н10ЛИ транзисторов силы/влияния поля supplier

Первоначальный комплементарный транзистор АП5Н10ЛИ транзисторов силы/влияния поля

Запрос Корзина 0