китай категории
Русский язык

Высокий транзистор силы Мосфет плотности клеток для небольшого управления мотора

Номер модели:АП8205А
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:переговоров
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
Срок поставки:1 до 2 недели
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Высокий транзистор силы Мосфет плотности клеток для небольшого управления мотора

 

Описание транзистора силы Мосфет:

 

АП8205А канава высокого класса исполнения
МОСФЭЦ Н-ч с весьма высокой плотностью клеток,
что обеспечивают превосходное РДСОН и стробируют обязанность
для большего части из небольшого переключения силы и
применения переключателя нагрузки. Встреча РоХС и
Требование к продукта с полной одобренной надежностью функции.

 

 

Особенности транзистора силы Мосфет

 

ИД ВДС = 20В = 6А
РДС (ДАЛЬШЕ) < 27m=""> РДС (ДАЛЬШЕ) <37m>

 

Применение транзистора силы Мосфет

 

Предохранение от батареи
Бесперебойное электропитание

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

ИД продуктаПакетОтмечатьКты (ПКС)
АП8205АТССОП-88205А5000

 

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)

 

ПараметрСимволПределБлок
Напряжение тока Сток-источникаВДС20В
Напряжение тока Ворот-источникаВГС±12В
Стеките Настоящ-непрерывноеИД6А
Стеките Настоящ-пульсированный (примечание 1)ИДМ25А
Максимальная диссипация силыПД1,5В
Работая диапазон температур соединения и храненияТДЖ, ТСТГ-55 до 150
Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее (примечание 2)РθДжА83℃/В

 

Электрические характеристики (знаменитые ЖИВОТИКОВ =25 ℃уньлесс в противном случае)

 

ПараметрСимволУсловиеМинутаТипМаксБлок
Пробивное напряжение Сток-источникаБВДССВГС=0В ИД=250μА2021-В
Зеро течение стока напряжения тока воротИДССВДС=19.5В, В ГС=0В--1μА
Течение утечки Ворот-телаИГССВГС=±10В, ВДС=0В--±100нА
Напряжение тока порога воротВГС (тх)ВДС=ВГС, ИД=250μА0,50,71,2В

 

Сопротивление На-государства Сток-источника

 

РДС (ДАЛЬШЕ)

ВГС=4.5В, ИД=4.5А-2127мΩ
ВГС=2.5В, ИД=3.5А-2737мΩ
Передний ТранскондуктансегФСВДС=5В, ИД=4.5А-10-С
Входная емкостьКльсс -600-ПФ
Емкость выходаКосс-330-ПФ
Обратная емкость передачиКрсс-140-ПФ
Турн-он время задержкитд (дальше) -1020нС
Турн-он время восхода

р

т

-1125нС
Время задержки поворота-тд ()-3570нС
Время падения поворота-

ф

т

-3060нС
Полная обязанность воротКг

 

ВДС=10В, ИД=6А,

-1015нК
Обязанность Ворот-источникаКгс-2,3-нК
Обязанность Ворот-стокаКгд-1,5-нК
Пропускное напряжение диода (примечание 3)ВСДВГС=0В, ИС=1.7А-0,751,2В
Пропускной ток диода (примечание 2)

С

И

 --1,7А
ПараметрСимволУсловиеМинутаТипМаксБлок
Пробивное напряжение Сток-источникаБВДССВГС=0В ИД=250μА2021-В
Зеро течение стока напряжения тока воротИДССВДС=19.5В, В ГС=0В--1μА
Течение утечки Ворот-телаИГССВГС=±10В, ВДС=0В--±100нА
Напряжение тока порога воротВГС (тх)ВДС=ВГС, ИД=250μА0,50,71,2В

 

Сопротивление На-государства Сток-источника

 

РДС (ДАЛЬШЕ)

ВГС=4.5В, ИД=4.5А-2127мΩ
ВГС=2.5В, ИД=3.5А-2737мΩ
Передний ТранскондуктансегФСВДС=5В, ИД=4.5А-10-С
Входная емкостьКльсс -600-ПФ
Емкость выходаКосс-330-ПФ
Обратная емкость передачиКрсс-140-ПФ
Турн-он время задержкитд (дальше) -1020нС
Турн-он время восхода

р

т

-1125нС
Время задержки поворота-тд ()-3570нС
Время падения поворота-

ф

т

-3060нС
Полная обязанность воротКг

 

ВДС=10В, ИД=6А,

-1015нК
Обязанность Ворот-источникаКгс-2,3-нК
Обязанность Ворот-стокаКгд-1,5-нК
Пропускное напряжение диода (примечание 3)ВСДВГС=0В, ИС=1.7А-0,751,2В
Пропускной ток диода (примечание 2)

С

И

 --1,7А

 

Примечания:

 

1. повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения. 2. поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.

3. Тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции

 

Внимание

 

1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.

2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.

3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.

4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.

5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.

6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.

7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.

подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.

China Высокий транзистор силы Мосфет плотности клеток для небольшого управления мотора supplier

Высокий транзистор силы Мосфет плотности клеток для небольшого управления мотора

Запрос Корзина 0