китай категории
Русский язык

АП50Н10Д удваивают транзистор наивысшей мощности переключателя Мосфет/50А 100В ТО-252

Номер модели:АП50Н10Д
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:переговоров
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
Срок поставки:1 до 2 недели
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

АП50Н10Д удваивают транзистор наивысшей мощности переключателя Мосфет/50А 100В ТО-252

 

Двойные применения переключателя Мосфет 

 

Переключите электропитания (SMPS) режима

Жилой, коммерчески, архитектурноакустический и уличное освещение

Конвертеры ДК-ДК

Управление мотора

Автомобильные применения

 

Двойное описание переключателя Мосфет:

 

Технология канавы АП50Н10Д выдвинутая пользами
обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ), низкую обязанность ворот и
деятельность с напряжениями тока ворот как низкими как 4.5В.
Этот прибор соответствующий для пользы как а
Предохранение от батареи или в другом применении переключения.

 

Двойные особенности переключателя Мосфет

 

ВДС = 100В ИД =50А
РДС (ДАЛЬШЕ) < 25m="">

 

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

ИД продуктаПакетОтмечатьКты (ПКС)
АП50Н10ДТО-252АП50Н10Д ССС ИИИИ2500

 

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченного ТК =25℃уньлесс)

 

СимволПараметрПределБлок
ВДСНапряжение тока Сток-источника100В
ВГСНапряжение тока Ворот-источника±20В
ИДСтеките Настоящ-непрерывное50А
И (100℃)Стеките Настоящ-непрерывное (ТК=100℃)21А
ИДМПульсированное течение стока70А
ПДМаксимальная диссипация силы85В
 Коэффициент снижения номинальной мощности0,57В/℃
ЭАСОдиночная энергия лавины ИМПа ульс (примечание 5)256мДж
ТДЖ, ТСТГРаботая диапазон температур соединения и хранения-55 до 175
РθДжКТермальное сопротивление, Соединени-к-случай (примечание 2)1,8℃/В

 

Электрические характеристики (в противном случае замеченный ТК =25℃уньлесс)

 

 

СимволПараметрУсловиеМинутаТипМаксБлок
БВДССПробивное напряжение Сток-источникаВГС=0В ИД=250μА100 -В
ИДССЗеро течение стока напряжения тока воротВДС=100В, ВГС=0В--1μА
ИГССТечение утечки Ворот-телаВГС=±20В, ВДС=0В--±100нА
ВГС (тх)Напряжение тока порога воротВДС=ВГС, μА ИД=2501 3В
РДС (ДАЛЬШЕ)

На-государство Сток-источника

Сопротивление

ВГС=10В, ИД=20А-2428мΩ
РДС (ДАЛЬШЕ)

На-государство Сток-источника

Сопротивление

ВГС=4.5В, ИД=10А-2830мΩ
гФСПередний ТранскондуктансеВДС=5В, ИД=10А-15-С
КльссВходная емкостьВДС=25В, ВГС=0В,
Ф=1.0МХз
-2000-ПФ
КоссЕмкость выхода-300-ПФ
КрссОбратная емкость передачи-250-ПФ
тд (дальше)Турн-он время задержкиВДД=50В, РЛ=5Ω
ВГС=10В, РГЭН=3Ω
-7-нС

р

т

Турн-он время восхода-7-нС
тд ()Время задержки поворота--29-нС

ф

т

Время падения поворота--7-нС
КгПолная обязанность воротВДС=50В, ИД=10А,
ВГС=10В
-39-нК
КгсОбязанность Ворот-источника-8-нК
КгдОбязанность Ворот-стока-12-нК
ВСДПропускное напряжение диода (примечание 3)ВГС=0В, ИС=20А--1,2В

С

И

Пропускной ток диода (примечание 2)---30А

рр

т

Обратное время восстановления

ТДЖ = 25°К, ЕСЛИ = 10А

ди/дт = 100А/μс (Ноте3)

-32-нС
КррОбратная обязанность спасения-53-нК
тоннаПереднее турн-Он время

Внутреннеприсущее турн-он время незначительно (включение преобладан мимо

ЛС+ЛД)

 

Примечания:

1, повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

2, отделывают поверхность установленный на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.

3, тест ИМПа ульс: Μс ≤ 300 ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

4, гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции

5, условие ЭАС: Тдж=25 ℃, ВДД=50В, ВГ=10В, Л=0.5мХ, Рг=25Ω, ИАС=32А

 

Внимание

 

1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.

2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.

3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.

4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.

5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.

6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.

7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.

подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.

China АП50Н10Д удваивают транзистор наивысшей мощности переключателя Мосфет/50А 100В ТО-252 supplier

АП50Н10Д удваивают транзистор наивысшей мощности переключателя Мосфет/50А 100В ТО-252

Запрос Корзина 0