китай категории
Русский язык

Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния

Номер модели:АП12Н10Д
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:переговоров
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
Срок поставки:1 до 2 недели
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния

 

Общее описание:

 

Технология канавы АП12Н10Д выдвинутая пользами
обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ), низкую обязанность ворот и
деятельность с напряжениями тока ворот как низкими как 4.5В. Это
прибор соответствующий для пользы как а
Предохранение от батареи или в другом применении переключения.

 

Общие особенности

 

ИД ВДС = 100В = 5А
РДС (ДАЛЬШЕ) < 140m="">

 

 

Применение

 

Предохранение от батареи
Переключатель нагрузки
Бесперебойное электропитание

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

ИД продуктаПакетОтмечатьКты (ПКС)
АП12Н10ДТО-252АП12Н10Д3000

 

Абсолютный максимум оценок на Тдж=25℃ если не указано иное

 

ПараметрСимволЗначениеБлок
Стеките напряжение тока источникаВДС100В
Напряжение тока источника воротВГС±20В
Непрерывное течение стока, ℃ ТК=25ИД12А
Пульсированное течение стока, ℃ т =25ИД, ИМП ульс24А
Диссипация силы, ℃ т К=25

П

Д

17В
Определите пульсированную энергию лавины 5)ЭАС1,2мДж
Температура деятельности и храненияЦтг, Тдж-55 до 150
Термальное сопротивление, соединени-случайРθДжК7,4℃/в
Термальное сопротивление, джунктион-амбиент4)РθДжА62℃/в

 

Электрические характеристики на ℃ Тдж=25 если не указано иное

 

СимволПараметрУсловие испытанийМинимальный.Тип.Макс.Блок
БВДССпробивное напряжение Сток-источникаВ =0 в, μА ИД=250100  В
ВГС (тх)Напряжение тока порога воротВ =В, μА ИД=2501,21,52,5В
РДС (ДАЛЬШЕ)сопротивление на-государства Сток-источникаВГС=10 В, ИД=5 А 110140мΩ
РДС (ДАЛЬШЕ)сопротивление на-государства Сток-источникаВ =4.5 В, ИД=3 А 140180мΩ

 

ИГСС

 

течение утечки Ворот-источника

В =20 В  100

 

нА

В =-20 В  -100
ИДССтечение утечки Сток-источникаВДС=100 В, ВГС=0 В  1уА
СиссВходная емкостьВ =0 В, 206,1 пФ
КоссЕмкость выхода 28,9 пФ
КрссОбратная емкость передачи 1,4 пФ
тд (дальше)Турн-он время задержки

ВГС=10 В,

ВДС=50 В,

 14,7 нс
трВремя восхода 3,5 нс
тд ()Время задержки поворота- 20,9 нс

т

ф

Время падения 2,7 нс
КгПолная обязанность ворот  4,3 нК
Кгсобязанность Ворот-источника 1,5 нК
Кгдобязанность Ворот-стока 1,1 нК
ВплатеауНапряжение тока плато ворот 5,0 В
Пропускной ток диода

 

ВГС

  7

 

А

ИСППульсированное течение источника  21
ВСДПропускное напряжение диодаИС=7 А, ВГС=0 В  1,0В

т

рр

Обратное время восстановления  32,1 нс
КррОбратная обязанность спасения 39,4 нК
ИррмПиковое течение обратного спасения 2,1 А
СимволПараметрУсловие испытанийМинимальный.Тип.Макс.Блок
БВДССпробивное напряжение Сток-источникаВ =0 в, μА ИД=250100  В
ВГС (тх)Напряжение тока порога воротВ =В, μА ИД=2501,21,52,5В
РДС (ДАЛЬШЕ)сопротивление на-государства Сток-источникаВГС=10 В, ИД=5 А 110140мΩ
РДС (ДАЛЬШЕ)сопротивление на-государства Сток-источникаВ =4.5 В, ИД=3 А 140180мΩ

 

ИГСС

 

течение утечки Ворот-источника

В =20 В  100

 

нА

В =-20 В  -100
ИДССтечение утечки Сток-источникаВДС=100 В, ВГС=0 В  1уА
СиссВходная емкостьВ =0 В, 206,1 пФ
КоссЕмкость выхода 28,9 пФ
КрссОбратная емкость передачи 1,4 пФ
тд (дальше)Турн-он время задержки

ВГС=10 В,

ВДС=50 В,

 14,7 нс
трВремя восхода 3,5 нс
тд ()Время задержки поворота- 20,9 нс

т

ф

Время падения 2,7 нс
КгПолная обязанность воротИД=5 А,
ВДС=50 В,
ВГС=10 В
 4,3 нК
Кгсобязанность Ворот-источника 1,5 нК
Кгдобязанность Ворот-стока 1,1 нК
ВплатеауНапряжение тока плато ворот 5,0 В
Пропускной ток диода

 

ВГС

  7

 

А

ИСППульсированное течение источника  21
ВСДПропускное напряжение диодаИС=7 А, ВГС=0 В  1,0В

т

рр

Обратное время восстановленияИС=5 а, ди/дт=100
А/μс
 32,1 нс
КррОбратная обязанность спасения 39,4 нК
ИррмПиковое течение обратного спасения 2,1 А

 

Внимание

 

1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.

2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.

3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.

4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.

5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.

6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.

7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.

подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.

 

China Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния supplier

Транзистор переключателя мощности АП12Н10Д, первоначальный транзистор силы кремния

Запрос Корзина 0