китай категории
Русский язык

Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп

Номер модели:АП6Х03С
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:переговоров
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
Срок поставки:1 до 2 недели
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп

 

Водитель Мосфет используя описание транзистора:

 

Канава выдвинутая АП6Х03Сузес
технология для того чтобы обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.
Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а
уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого
применения

 

Водитель Мосфет используя особенности транзистора

Н-канал
ВДС = 30В, ИД =7.5А
НЧаннел РДС (ДАЛЬШЕ < 16m=""> )
ВДС = 30В, ИД =7.5А
Наивысшая мощность РДС (ДАЛЬШЕ < 16m=""> ) и настоящая вручая возможность
Неэтилированный продукт приобретен
Поверхностный пакет держателя

 

Водитель Мосфет используя применение транзистора


Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные
Электропитание ● бесперебойное

 

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

 

ИД продукта Пакет Отмечать Кты (ПКС)
АП6Х03С СОП-8 АП6Х03С ИИВВВВ 3000

 

Абсолютный максимум оценок Тк=25℃ если не указано иное

 

 

Символ Параметр Классифицировать Блоки
ВДС Напряжение тока Сток-источника 30 В
ВГС Напряжение тока рсе ворот-Соу ±20 В

 

Д

И

Течение стока – непрерывное (ТК=25℃) 7,5 А
Течение стока – непрерывное (ТК=100℃) 4,8 А
ИДМ Течение стока – Пульсед1 30 А
ЭАС Одиночная энергия 2 лавины ИМПа ульс 14 мДж
ИАС Одиночное течение 2 Аваланчед ИМПа ульс 17 А

 

ПД

Диссипация силы (ТК=25℃) 2,1 В
Диссипация силы – Дерате над 25℃ 0,017 В/℃
ТСТГ Диапазон температур хранения -55 до 150
ТДЖ Работая диапазон температур соединения -55 до 150
Символ Параметр Классифицировать Блоки
ВДС Напряжение тока Сток-источника 30 В
ВГС Напряжение тока рсе ворот-Соу ±20 В

 

Д

И

Течение стока – непрерывное (ТК=25℃) 7,5 А
Течение стока – непрерывное (ТК=100℃) 4,8 А
ИДМ Течение стока – Пульсед1 30 А
ЭАС Одиночная энергия 2 лавины ИМПа ульс 14 мДж
ИАС Одиночное течение 2 Аваланчед ИМПа ульс 17 А

 

ПД

Диссипация силы (ТК=25℃) 2,1 В
Диссипация силы – Дерате над 25℃ 0,017 В/℃
ТСТГ Диапазон температур хранения -55 до 150
ТДЖ Работая диапазон температур соединения -55 до 150

 

Термальные характеристики

 

Символ Параметр Тип. Макс. Блок
РθДжА Соединение термального сопротивления к окружающему --- 60 ℃/В

 

Электрические характеристики (ТДЖ =25, если не указано иное) с характеристик

 

 

Символ Параметр Условия Минимальный. Тип. Макс. Блок
БВДСС Пробивное напряжение Сток-источника ВГС=0В, ИД=250уА 30 --- --- В
△ БВДСС/△ ТДЖ Коэффициент температуры БВДСС Ссылка на 25℃•, ИД=1мА --- 0,04 --- В/℃

 

ИДСС

 

Течение утечки Сток-источника

ВДС=30В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ --- --- 1 уА
ВДС=24В, ВГС=0В, ТДЖ=125℃ --- --- 10 уА
ИГСС Течение утечки Ворот-источника ВГС=± 20В, ВДС=0В --- --- ± 100 нА
Символ Параметр Условия Минимальный. Тип. Макс. Блок
БВДСС Пробивное напряжение Сток-источника ВГС=0В, ИД=250уА 30 --- --- В
△ БВДСС/△ ТДЖ Коэффициент температуры БВДСС Ссылка на 25℃•, ИД=1мА --- 0,04 --- В/℃

 

ИДСС

 

Течение утечки Сток-источника

ВДС=30В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ --- --- 1 уА
ВДС=24В, ВГС=0В, ТДЖ=125℃ --- --- 10 уА
ИГСС Течение утечки Ворот-источника ВГС=± 20В, ВДС=0В --- --- ± 100 нА

 

РДС (ДАЛЬШЕ) Статическое На-сопротивление Сток-источника ВГС=10В, ИД=6А --- 15 20 мΩ
ВГС=4.5В, ИД=3А --- 23 30 мΩ
ВГС (тх) Напряжение тока порога ворот ВГС=ВДС, И =250УА 1,2 1,5 2,5 В
△ВГС (тх) Коэффициент температуры ВГС (тх) --- -4 --- мВ/℃
гфс Передний Транскондуктансе ВДС=10В, И Д=6А --- 13 --- С

 

Кг Полные ворота Чарге3, 4   --- 4,1 8  
Кгс Обязанность 3 Ворот-источника, 4 --- 1 2
Кгд Обязанность Ворот-стока --- 2,1 4
Тд (дальше) Турн-Он время задержки 3, 4   --- 2,6 5  
Тр Время восхода --- 7,2 14
Тд () Время задержки 3 поворота-, 4 --- 15,8 30
Тф Время падения 3, 4 --- 4,6 9
Сисс Входная емкость   --- 345 500  
Косс Емкость выхода --- 55 80
Крсс Обратная емкость передачи --- 32 55
Рг Сопротивление вентильного провода ВГС=0В, ВДС=0В, ф=1МХз --- 3,2 6,4 Ω

 

Непрерывное течение источника

 

ВГ=ВД=0В, течение силы

--- --- 7,5 А
ИЗМ Пульсированное течение источника --- --- 30 А
ВСД Диод препровождает Волтаге3 ВГС=0В, ИС=1А, ТДЖ=25℃ --- --- 1 В

рр

т

Обратное время восстановления ВГС=0В, ИС=1А, ди/дт=100А/µс --- --- --- нс
Крр Обратная обязанность спасения --- --- --- нК
Непрерывное течение источника

 

ВГ=ВД=0В, течение силы

--- --- 7,5 А
ИЗМ Пульсированное течение источника --- --- 30 А
ВСД Диод препровождает Волтаге3 ВГС=0В, ИС=1А, ТДЖ=25℃ --- --- 1 В

рр

т

Обратное время восстановления ВГС=0В, ИС=1А, ди/дт=100А/µс --- --- --- нс
Крр Обратная обязанность спасения --- --- --- нК

 

Паять Рефлов

Выбор метода топления может быть повлиян на пластиковым пакетом КФП). Если инфракрасный или топление участка пара использованы и пакет совершенно не сух (меньше чем 0,1% содержания влаги по весу), то испарение небольшого количества влаги в их может причинить трескать пластикового тела. Подогрев необходим для того чтобы высушить затир и испарить связывающее вещество. Продолжительность подогрева: 45 минут на 45 °К.

 

Паять Рефлов требует затира припоя (подвеса точных частиц, потока и связывающего вещества припоя) быть приложенным к плате с печатным монтажом печатанием, трафаретить или давлени-шприцем экрана распределяя перед размещением пакета. Несколько методов существуют для рефловинг; например, конвекция или конвекция/ультракрасное топление в типе печи транспортера. Времена объема (подогрев, паяя и охлаждая) меняют между 100 и 200 секундами в зависимости от метода топления.

 

Типичная температурная амплитуда пика рефлов от 215 к °К 270 в зависимости от материала затира припоя. Верхн-поверхность

температура пакетов предпочтительный быть сдержанным под °К 245 для толщиной/большие пакетов (пакеты с толщиной

2,5 мм или с томом толстые 350 мм так называемые/большие пакеты). Температура верхн-поверхности пакетов предпочтительный быть сдержанным под °К 260 для тонких/небольших пакетов (пакетов с толщиной < 2="">

 

1' Рам ст вверх по тарифу макс3.0+/-2 /sec -
Подогрейте 150 ~200 сек 60~180
2' Рам нд вверх макс3.0+/-2 /sec -
Соединение припоя 217 выше сек 60~150
Пиковый Темп 260 +0/-5 сек 20~40
Рам тариф вниз 6 /sec максимальное -

Паять волны:

Обычный одиночный паять волны не порекомендован для поверхностных приборов (SMDs) держателя или плат с печатным монтажом с высокой компонентной плотностью, по мере того как наводить и не-обрызгивание припоя могут представить главные проблемы.

 

Паять руководства:

Зафиксируйте компонент сперва паять 2 раскосн-противоположных руководства конца. Используйте 24 в или) паяя утюг низшего напряжения (приложенный к плоской части руководства. Время срабатывания контакта необходимо ограничиваться до 10 секунд на до 300 °К. При использовании преданного инструмента, все другие руководства можно припаять в одной деятельности не позднее 2 до 5 секунды между 270 и 320 °К.

 

China Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп supplier

Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп

Запрос Корзина 0