Add to Cart
Водитель Мосфет АП6Х03С используя транзистор, прочный высокий транзистор Амп
Водитель Мосфет используя описание транзистора:
Канава выдвинутая АП6Х03Сузес
технология для того чтобы обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.
Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать а
уровень перенес высокий бортовой переключатель, и для хозяина другого
применения
Водитель Мосфет используя особенности транзистора
Н-канал
ВДС = 30В, ИД =7.5А
НЧаннел РДС (ДАЛЬШЕ < 16m="">
)
ВДС = 30В, ИД =7.5А
Наивысшая мощность РДС (ДАЛЬШЕ < 16m="">
) и настоящая вручая возможность
Неэтилированный продукт приобретен
Поверхностный пакет держателя
Водитель Мосфет используя применение транзистора
Цепи ● крепко переключенные и высокочастотные
Электропитание ● бесперебойное
Маркировка и упорядочение информации пакета
ИД продукта | Пакет | Отмечать | Кты (ПКС) |
АП6Х03С | СОП-8 | АП6Х03С ИИВВВВ | 3000 |
Абсолютный максимум оценок Тк=25℃ если не указано иное
Символ | Параметр | Классифицировать | Блоки |
ВДС | Напряжение тока Сток-источника | 30 | В |
ВГС | Напряжение тока рсе ворот-Соу | ±20 | В |
Д И |
Течение стока – непрерывное (ТК=25℃) | 7,5 | А |
Течение стока – непрерывное (ТК=100℃) | 4,8 | А | |
ИДМ | Течение стока – Пульсед1 | 30 | А |
ЭАС | Одиночная энергия 2 лавины ИМПа ульс | 14 | мДж |
ИАС | Одиночное течение 2 Аваланчед ИМПа ульс | 17 | А |
ПД |
Диссипация силы (ТК=25℃) | 2,1 | В |
Диссипация силы – Дерате над 25℃ | 0,017 | В/℃ | |
ТСТГ | Диапазон температур хранения | -55 до 150 | ℃ |
ТДЖ | Работая диапазон температур соединения | -55 до 150 | ℃ |
Символ | Параметр | Классифицировать | Блоки |
ВДС | Напряжение тока Сток-источника | 30 | В |
ВГС | Напряжение тока рсе ворот-Соу | ±20 | В |
Д И |
Течение стока – непрерывное (ТК=25℃) | 7,5 | А |
Течение стока – непрерывное (ТК=100℃) | 4,8 | А | |
ИДМ | Течение стока – Пульсед1 | 30 | А |
ЭАС | Одиночная энергия 2 лавины ИМПа ульс | 14 | мДж |
ИАС | Одиночное течение 2 Аваланчед ИМПа ульс | 17 | А |
ПД |
Диссипация силы (ТК=25℃) | 2,1 | В |
Диссипация силы – Дерате над 25℃ | 0,017 | В/℃ | |
ТСТГ | Диапазон температур хранения | -55 до 150 | ℃ |
ТДЖ | Работая диапазон температур соединения | -55 до 150 | ℃ |
Термальные характеристики
Символ | Параметр | Тип. | Макс. | Блок |
РθДжА | Соединение термального сопротивления к окружающему | --- | 60 | ℃/В |
Электрические характеристики (℃ ТДЖ =25, если не указано иное) с характеристик
Символ | Параметр | Условия | Минимальный. | Тип. | Макс. | Блок |
БВДСС | Пробивное напряжение Сток-источника | ВГС=0В, ИД=250уА | 30 | --- | --- | В |
△ БВДСС/△ ТДЖ | Коэффициент температуры БВДСС | Ссылка на 25℃•, ИД=1мА | --- | 0,04 | --- | В/℃ |
ИДСС |
Течение утечки Сток-источника |
ВДС=30В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ | --- | --- | 1 | уА |
ВДС=24В, ВГС=0В, ТДЖ=125℃ | --- | --- | 10 | уА | ||
ИГСС | Течение утечки Ворот-источника | ВГС=± 20В, ВДС=0В | --- | --- | ± 100 | нА |
Символ | Параметр | Условия | Минимальный. | Тип. | Макс. | Блок |
БВДСС | Пробивное напряжение Сток-источника | ВГС=0В, ИД=250уА | 30 | --- | --- | В |
△ БВДСС/△ ТДЖ | Коэффициент температуры БВДСС | Ссылка на 25℃•, ИД=1мА | --- | 0,04 | --- | В/℃ |
ИДСС |
Течение утечки Сток-источника |
ВДС=30В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ | --- | --- | 1 | уА |
ВДС=24В, ВГС=0В, ТДЖ=125℃ | --- | --- | 10 | уА | ||
ИГСС | Течение утечки Ворот-источника | ВГС=± 20В, ВДС=0В | --- | --- | ± 100 | нА |
РДС (ДАЛЬШЕ) | Статическое На-сопротивление Сток-источника | ВГС=10В, ИД=6А | --- | 15 | 20 | мΩ |
ВГС=4.5В, ИД=3А | --- | 23 | 30 | мΩ | ||
ВГС (тх) | Напряжение тока порога ворот | ВГС=ВДС, И =250УА | 1,2 | 1,5 | 2,5 | В |
△ВГС (тх) | Коэффициент температуры ВГС (тх) | --- | -4 | --- | мВ/℃ | |
гфс | Передний Транскондуктансе | ВДС=10В, И Д=6А | --- | 13 | --- | С |
Кг | Полные ворота Чарге3, 4 | --- | 4,1 | 8 | ||
Кгс | Обязанность 3 Ворот-источника, 4 | --- | 1 | 2 | ||
Кгд | Обязанность Ворот-стока | --- | 2,1 | 4 | ||
Тд (дальше) | Турн-Он время задержки 3, 4 | --- | 2,6 | 5 | ||
Тр | Время восхода | --- | 7,2 | 14 | ||
Тд () | Время задержки 3 поворота-, 4 | --- | 15,8 | 30 | ||
Тф | Время падения 3, 4 | --- | 4,6 | 9 | ||
Сисс | Входная емкость | --- | 345 | 500 | ||
Косс | Емкость выхода | --- | 55 | 80 | ||
Крсс | Обратная емкость передачи | --- | 32 | 55 | ||
Рг | Сопротивление вентильного провода | ВГС=0В, ВДС=0В, ф=1МХз | --- | 3,2 | 6,4 | Ω |
Непрерывное течение источника |
ВГ=ВД=0В, течение силы |
--- | --- | 7,5 | А | |
ИЗМ | Пульсированное течение источника | --- | --- | 30 | А | |
ВСД | Диод препровождает Волтаге3 | ВГС=0В, ИС=1А, ТДЖ=25℃ | --- | --- | 1 | В |
рр т |
Обратное время восстановления | ВГС=0В, ИС=1А, ди/дт=100А/µс | --- | --- | --- | нс |
Крр | Обратная обязанность спасения | --- | --- | --- | нК |
Непрерывное течение источника |
ВГ=ВД=0В, течение силы |
--- | --- | 7,5 | А | |
ИЗМ | Пульсированное течение источника | --- | --- | 30 | А | |
ВСД | Диод препровождает Волтаге3 | ВГС=0В, ИС=1А, ТДЖ=25℃ | --- | --- | 1 | В |
рр т |
Обратное время восстановления | ВГС=0В, ИС=1А, ди/дт=100А/µс | --- | --- | --- | нс |
Крр | Обратная обязанность спасения | --- | --- | --- | нК |
Паять Рефлов
Выбор метода топления может быть повлиян на пластиковым пакетом КФП). Если инфракрасный или топление участка пара использованы и пакет совершенно не сух (меньше чем 0,1% содержания влаги по весу), то испарение небольшого количества влаги в их может причинить трескать пластикового тела. Подогрев необходим для того чтобы высушить затир и испарить связывающее вещество. Продолжительность подогрева: 45 минут на 45 °К.
Паять Рефлов требует затира припоя (подвеса точных частиц, потока и связывающего вещества припоя) быть приложенным к плате с печатным монтажом печатанием, трафаретить или давлени-шприцем экрана распределяя перед размещением пакета. Несколько методов существуют для рефловинг; например, конвекция или конвекция/ультракрасное топление в типе печи транспортера. Времена объема (подогрев, паяя и охлаждая) меняют между 100 и 200 секундами в зависимости от метода топления.
Типичная температурная амплитуда пика рефлов от 215 к °К 270 в зависимости от материала затира припоя. Верхн-поверхность
температура пакетов предпочтительный быть сдержанным под °К 245 для толщиной/большие пакетов (пакеты с толщиной
2,5 мм или с томом толстые 350 мм так называемые/большие пакеты). Температура верхн-поверхности пакетов предпочтительный быть сдержанным под °К 260 для тонких/небольших пакетов (пакетов с толщиной < 2="">
1' Рам ст вверх по тарифу | макс3.0+/-2 /sec | - |
Подогрейте | 150 ~200 | сек 60~180 |
2' Рам нд вверх | макс3.0+/-2 /sec | - |
Соединение припоя | 217 выше | сек 60~150 |
Пиковый Темп | 260 +0/-5 | сек 20~40 |
Рам тариф вниз | 6 /sec максимальное | - |
Паять волны:
Обычный одиночный паять волны не порекомендован для поверхностных приборов (SMDs) держателя или плат с печатным монтажом с высокой компонентной плотностью, по мере того как наводить и не-обрызгивание припоя могут представить главные проблемы.
Паять руководства:
Зафиксируйте компонент сперва паять 2 раскосн-противоположных руководства конца. Используйте 24 в или) паяя утюг низшего напряжения (приложенный к плоской части руководства. Время срабатывания контакта необходимо ограничиваться до 10 секунд на до 300 °К. При использовании преданного инструмента, все другие руководства можно припаять в одной деятельности не позднее 2 до 5 секунды между 270 и 320 °К.