Транзистор влияния поля ТИП112, высокочастотный транзистор
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
ТО-220-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов ТИП112 ДАРЛИНГТОН (НПН)
ОСОБЕННОСТЬ
- Высокое увеличение ДК настоящее: хФЭ=1000 @ вКЭ=4В, ИК=1А (минимальное)
- Низкое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера
- Промышленная польза
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 100 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 100 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 5 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 2 | А |
| ПК | Диссипация силы сборника | 2 | В |
| ТДж | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Цтг | Температура хранения | -55 до +150 | ℃ |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=10мА, Т.Е. =0 | 100 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК=30мА, ИБ=0 (СУС) | 100 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. =10МА, ИК=0 | 5 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ=50В, ИБ=0 | 2 | мамы | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ=100В, Т.Е. =0 | 1 | мамы | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ=5В, ИК=0 | 2 | мамы | ||
Увеличение ДК настоящее | хФЭ (1) | ВКЭ=4В, ИК=1А | 1000 | 12000 | ||
| хФЭ (2) | ВКЭ=4В, ИК=2А | 500 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК=2А, ИБ=8мА | 2,5 | В | ||
| напряжение тока Основани-излучателя | ВБЭ | ВКЭ=4В, ИК=2А | 2,8 | В | ||
| Емкость выхода сборника | Удар | ВКБ=10В, Т.Е. =0, ф=0.1МХз | 100 | пФ |
Размеры плана пакета ТО-220-3Л
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 |
| А1 | 2,520 | 2,820 | 0,099 | 0,111 |
| б | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
| б1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| к | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
| к1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| Д | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
| Э | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
| Э1 | 12,060 | 12,460 | 0,475 | 0,491 |
| е | 2,540 ТИП | 0,100 ТИПА | ||
| е1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
| Ф | 2,590 | 2,890 | 0,102 | 0,114 |
| х | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| Л | 13,400 | 13,800 | 0,528 | 0,543 |
| Л1 | 3,560 | 3,960 | 0,140 | 0,156 |
| Φ | 3,735 | 3,935 | 0,147 | 0,155 |
Транзистор влияния поля ТИП112, высокочастотный транзистор
Запрос Корзина
0