китай категории
Русский язык

Диссипация силы 2В сборника триода полупроводника ТИП32/32А/32Б/32К высокочастотная

Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

ТО-220-3Л Пластмасс-помещают транзисторы

 

 

ТИП32/32А/32Б/32К

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 
Применения переключения средней силы линейные
 
 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25℃ если не указано иное)

СимволПараметрТИП31ТИП31АТИП31БТИП31КБлок
ВКБОНапряжение тока коллектора- база406080100В
ВКЭОНапряжение тока коллектор- эмиттера406080100В
ВЭБОНапряжение тока Излучател-основания5В
ИКТечение сборника3А
ПКДиссипация силы сборника2В
РθДжАТермальное сопротивление от соединения к окружающему62,5 
ТджТемпература соединения150
ЦтгТемпература хранения-55~+150

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (животики =25℃ если другое определенное мудрое)

ПараметрСимволУсловия испытанийМинутаОсь мБлок
Пробивное напряжение коллектора- базаТИП31 ТИП31А ТИП31Б ТИП31К

 

 

В (БР) КБО

 

 

ИК= 1мА, Т.Е. =0

40

60

80

100

 

 

 

В

Пробивное напряжение коллектор- эмиттера *ТИП31 ТИП31А ТИП31Б ТИП31К

 

 

ВКЭО (сус)

 

 

ИК= 30мА, ИБ=0

40

60

80

100

 

 

 

В

пробивное напряжение Излучател-основанияВ (БР) ЭБОТ.Е. = 1мА, ИК=05 В
Течение выключения сборника

ТИП31 ТИП31А ТИП31Б

ТИП31К

 

 

ИКБО

ВКБ=40В, Т.Е. =0 ВКБ=60В, Т.Е. =0 ВКБ=80В, Т.Е. =0 ВКБ=100В, Т.Е. =0 

 

 

200

 

 

μА

Течение выключения сборника ТИП31/31А ТИП31Б/31КИКЭОВКЭ= 30В, ИБ= 0 вКЭ= 60В, ИБ= 0 

 

0,3

 

мамы

Течение выключения излучателяИЭБОВЭБ=5В, ИК=0 1мамы

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1)ВКЭ= 4В, ИК=25  
хФЭ (2)ВКЭ=4 в, иК=1575 
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера(Сидеть) ВКЭИК=3А, ИБ=0.375А 1,2В
напряжение тока Основани-излучателяВБЭ (дальше)ВКЭ= 4В, ИК=3А 1,8В
Частота переходафтВКЭ=10В, ИК=0.5А3 МХз

 

 

* тест ИМПа ульс: ПВ≤300µс, обязанность Сикле≤2%.

 

 

 

Типичные характеристики ТИП31/31А/31Б/31К

 

 

 

 

 

 

 

Размеры плана пакета ТО-126

СимволРазмеры в миллиметрахРазмеры в дюймах
 МинутаМаксМинутаМакс
А4,4704,6700,1760,184
А12,5202,8200,0990,111
б0,7100,9100,0280,036
б11,1701,3700,0460,054
к0,3100,5300,0120,021
к11,1701,3700,0460,054
Д10,01010,3100,3940,406
Э8,5008,9000,3350,350
Э112,06012,4600,4750,491
е2,540 ТИП0,100 ТИПА
е14,9805,1800,1960,204
Ф2,5902,8900,1020,114
х0,0000,3000,0000,012
Л13,40013,8000,5280,543
Л13,5603,9600,1400,156
Φ3,7353,9350,1470,155

 

 


 

 

China Диссипация силы 2В сборника триода полупроводника ТИП32/32А/32Б/32К высокочастотная supplier

Диссипация силы 2В сборника триода полупроводника ТИП32/32А/32Б/32К высокочастотная

Запрос Корзина 0