китай категории

Главная продукты Поставщики

Русский язык

Главная /продукты /

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

Место происхождения:Шэньчжэнь Китай

Количество минимального заказа:1000-2000 ПК

Упаковывая детали:Положенный в коробку

Срок поставки:1 до 2 недели

Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное

Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день

контакт

Add to Cart

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Активный участник

Shenzhen Guangdong China

Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун

последний раз поставщика входа: в рамках 14 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

ТО-126 Пластмасс-помещают транзисторы

Транзистор ТИП122 Дарлинтон (НПН)

Транзистор ТИП127 Дарлинтон (ПНП)

ОСОБЕННОСТЬ

Транзисторы кремния средней силы комплементарные

ТО-126

1. ИЗЛУЧАТЕЛЬ

2. СБОРНИК

3. ОСНОВАНИЕ

ОТМЕЧАТЬ

ТИП122, код ТИП127=Девисе

Прибор твердые точка = литьевая масса зеленого цвета, если никакой, нормальный прибор СС=Коде

Схема эквивалентности

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали	Пакет	Способ уплотнения прокладками	Количество пакета
ТИП122	ТО-126	Большая часть	200пкс/Баг
ТИП127	ТО-126	Большая часть	200пкс/Баг
ТИП122-ТУ	ТО-126	Трубка	60пкс/Тубе
ТИП127-ТУ	ТО-126	Трубка	60пкс/Тубе

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25℃ если не указано иное)

Символ	Параметр	ТИП122	ТИП127	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	100	-100	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	100	-100	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	5	-5	В
И_К	Течение сборника - непрерывное	5	-5	А
П_К *	Диссипация силы сборника	1,25		В
РθДжА	Соединение термального сопротивления к окружающему	100		℃/В
РθДжк	Соединение термального сопротивления к случаю	8,33		℃/В
Т_Дж	Температура соединения	150		℃
Цтг	Температура хранения	-55~+150		℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Животики =25 Š если не указано иное

ТИП122 НПН
Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=1мА, Т.Е. =0	100		В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	В_{ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР} (СУС)	И_К=30мА, И_Б=0	100		В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=100В, Т.Е. =0		0,2	мамы
Течение выключения сборника	ИКЭО	В_КЭ=50 В, И_Б=0		0,5	мамы
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=5 В, И_К=0		2	мамы
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (1)	В_КЭ= 3В, И_К=0.5А	1000
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (2)	В_КЭ= 3В, И_К=3 а	1000	12000
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	В (сидеть)_КЭ	И_К=3А, И_Б=12мА		2	В
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	В (сидеть)_КЭ	И_К=5 а, И_Б=20мА		4	В
напряжение тока Основани-излучателя	ВБЭ	В_КЭ=3В, И_К=3 А		2,5	В
Емкость выхода	Удар	В_КБ=10В, Т.Е. =0, ф=0.1МХз		200	пФ

ТИП127 ПНП
Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=-1мА, Т.Е. =0	-100		В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	В_{ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР} (СУС)	И_К=-30мА, И_Б=0	-100		В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=-100В, Т.Е. =0		-0,2	мамы
Течение выключения сборника	ИКЭО	В_КЭ=-50 В, И_Б=0		-0,5	мамы
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=-5 В, И_К=0		-2	мамы
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (1)	В_КЭ=-3В, И_К=-0.5А	1000
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (2)	В_КЭ=-3В, И_К=-3А	1000	12000
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	В (сидеть)_КЭ	И_К=-3А, И_Б=-12мА		-2	В
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	В (сидеть)_КЭ	И_К=-5 а, И_Б=-20мА		-4	В
напряжение тока Основани-излучателя	ВБЭ	В_КЭ=-3В, И_К=-3 А		-2,5	В
Емкость выхода	Удар	В_КБ=-10В, Т.Е. =0, ф=0.1МХз		300	пФ

* этот тест выполнен без теплоотвода на т_а=25℃.

Типичные характеристики

Размеры плана пакета ТО-126

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
	Минута	Макс	Минута	Макс
А	2,500	2,900	0,098	0,114
А1	1,100	1,500	0,043	0,059
б	0,660	0,860	0,026	0,034
б1	1,170	1,370	0,046	0,054
к	0,450	0,600	0,018	0,024
Д	7,400	7,800	0,291	0,307
Э	10,600	11,000	0,417	0,433
е	2,290 ТИП		0,090 ТИПА
е1	4,480	4,680	0,176	0,184
х	0,000	0,300	0,000	0,012
Л	15,300	15,700	0,602	0,618
Л1	2,100	2,300	0,083	0,091
П	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Профиль Компании

CO. электроники Шэньчжэня Huaxuan Yang, Ltd. профессиональные изготовитель, экспортер и изготовитель электронных блоков китайских брендов. Главные продукты полупроводниковые устройства как транзисторы и диоды MOS. Наши продукты главным образом использованы для беспроводной поручать, заряжателя, переключая электропитания, электропитания UPS, балласта, аудио, энергосберегающих ламп, продуктов связи и других электронных блоков. Качество продукции, экологически дружелюбный и неэтилированный, прошло аттестацию системы управления качеством ISO 90012008, аттестацию CTI экологическую.

Компания всегда поддерживает веру которой «требования к клиента наше преследование, интересы клиента наши интересы» и придерживается к общему соображению дела целостности, трансцендентальности, профессионализма, и сработанности. Это не только качественный и недорогой продукт для клиентов, но также зависит на улучшении обслуживаний и концепций. Это было мостом через мир и интегрировано в глобальный экономический прилив.

Метки товара:

ПТФЕ капсулированные O-кольца sot223 мосфет

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9