Эквивалент транзистора силы ФММТ491 высоковольтный НПН низко на сопротивлении
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
СОТ-23 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов ФММТ491 (НПН)
ОСОБЕННОСТЬ
Низкое соответствующее на-сопротивление
Отмечать: 491
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 80 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 60 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 5 | В |
| ИК | Течение сборника | 1 | А |
| ИКМ | Пиковое течение ИМПа ульс | 2 | А |
| ПК | Диссипация силы сборника | 250 | мВ |
| РΘДЖА | Термальное сопротивление от соединения к окружающему | 500 | ℃/В |
| Тдж | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Цтг | Температура хранения | -55~+150 | ℃ |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=100μА, Т.Е. =0 | 80 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)1 | ИК=10мА, ИБ=0 | 60 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. =100ΜА, ИК=0 | 5 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ=60В, Т.Е. =0 | 0,1 | μА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ=4В, ИК=0 | 0,1 | μА | ||
Увеличение ДК настоящее | хФЭ (1) | ВКЭ=5В, ИК=1мА | 100 | |||
| хФЭ (2) 1 | ВКЭ=5В, ИК=500мА | 100 | 300 | |||
| хФЭ (3) 1 | ВКЭ=5В, ИК=1А | 80 | ||||
| хФЭ (4) 1 | ВКЭ=5В, ИК=2А | 30 | ||||
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ 1 1 | ИК=500мА, ИБ=50мА | 0,25 | В | ||
| (Сидеть) ВКЭ 2 1 | ИК=1А, ИБ=100мА | 0,5 | В | |||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ 1 | ИК=1А, ИБ=100мА | 1,1 | В | ||
| напряжение тока Основани-излучателя | 1 ВБЭ | ВКЭ=5В, ИК=1А | 1 | В | ||
| Частота перехода | фТ | ВКЭ=10В, ИК=50мА, ф=100МХз | 150 | МХз | ||
| Емкость выхода сборника | Удар | ВКБ=10В, ф=1МХз | 10 | пФ |
Измеренный под пульсированными условиями, ИМП ульс видтх=300μс,
обязанность сикле≤2%.
Типичное Чарактериситикс
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| А1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| А2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| б | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| к | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| Д | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| Э | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| Э1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| е | 0,950 ТИПА | 0,037 ТИПА | ||
| е1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| Л | 0,550 РЭФ | 0,022 РЭФ | ||
| Л1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Эквивалент транзистора силы ФММТ491 высоковольтный НПН низко на сопротивлении
Запрос Корзина
0