Высокая эффективность транзистора переключения ММБТ4403 НПН высокоскоростная

Место происхождения:Шэньчжэнь Китай

Количество минимального заказа:1000-2000 ПК

Упаковывая детали:Положенный в коробку

Срок поставки:1 до 2 недели

Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное

Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день

контакт

Add to Cart

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Активный участник

Shenzhen Guangdong China

Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун

последний раз поставщика входа: в рамках 14 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

СОТ-23 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов ММБТ4403 (НПН)

ОСОБЕННОСТЬ

Транзистор переключения

Отмечать: 2Т

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	-40	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	-40	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	-5	В
ИК	Течение сборника	-600	мамы
ПК	Диссипация силы сборника	300	мВ
РΘДЖА	Термальное сопротивление от соединения к окружающему	417	℃/В
Тдж	Температура соединения	150	℃
Цтг	Температура хранения	-55~+150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=-100μА, Т.Е. =0	-40			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)	И_К=-1мА, И_Б=0	-40			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. =-100ΜА, И_К=0	-5			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=-35В, Т.Е. =0			-0,1	μА
Течение выключения сборника	ИКЭС	ВКЭ=-35В, ВБЭ=0.4В			-0,1	μА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=-4В, И_К=0			-0,1	μА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ1	В_КЭ=-1В, И_К=-0.1мА	30
	хФЭ2	В_КЭ=-1В, И_К=-1мА	60
	хФЭ3	В_КЭ=-1В, И_К=-10мА	100
	хФЭ4	В_КЭ=-2В, И_К=-150мА	100		300
	хФЭ5	В_КЭ=-2В, И_К=-500мА	20
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ	И_К=-150мА, И_Б=-15мА			-0,4	В
		И_К=-500мА, И_Б=-50мА			-0,75	В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя	(Сидеть) ВБЭ	И_К=-150мА, И_Б=-15мА			-0,95	В
		И_К=-500мА, И_Б=-50мА			-1,3	В
Частота перехода	ф_т	В_КЭ=-10В, И_К=-20мА, ф =100МХз	200			МХз
Время задержки	т_д	ВКК=-30В, ВБЭ () =-0.5В ИК=-150мА, ИБ1=-15мА			15	нс
Время восхода	т_р				20	нс
Продолжительность хранения	т_с	ВКК=-30В, ИК=-150мА ИБ1=ИБ2=-15мА			225	нс
Время падения	т_ф				60	нс

Типичное Чарактериситикс

Размеры плана пакета

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
	Минута	Макс	Минута	Макс
А	0,900	1,150	0,035	0,045
А1	0,000	0,100	0,000	0,004
А2	0,900	1,050	0,035	0,041
б	0,300	0,500	0,012	0,020
к	0,080	0,150	0,003	0,006
Д	2,800	3,000	0,110	0,118
Э	1,200	1,400	0,047	0,055
Э1	2,250	2,550	0,089	0,100
е	0,950 ТИПА		0,037 ТИПА
е1	1,800	2,000	0,071	0,079
Л	0,550 РЭФ		0,022 РЭФ
Л1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Профиль Компании

CO. электроники Шэньчжэня Huaxuan Yang, Ltd. профессиональные изготовитель, экспортер и изготовитель электронных блоков китайских брендов. Главные продукты полупроводниковые устройства как транзисторы и диоды MOS. Наши продукты главным образом использованы для беспроводной поручать, заряжателя, переключая электропитания, электропитания UPS, балласта, аудио, энергосберегающих ламп, продуктов связи и других электронных блоков. Качество продукции, экологически дружелюбный и неэтилированный, прошло аттестацию системы управления качеством ISO 90012008, аттестацию CTI экологическую.

Компания всегда поддерживает веру которой «требования к клиента наше преследование, интересы клиента наши интересы» и придерживается к общему соображению дела целостности, трансцендентальности, профессионализма, и сработанности. Это не только качественный и недорогой продукт для клиентов, но также зависит на улучшении обслуживаний и концепций. Это было мостом через мир и интегрировано в глобальный экономический прилив.