А42 транзисторы силы кремния НПН, большой ток транзистора силы НПН

Место происхождения:Шэньчжэнь Китай

Количество минимального заказа:1000-2000 ПК

Упаковывая детали:Положенный в коробку

Срок поставки:1 до 2 недели

Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное

Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день

контакт

Add to Cart

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Активный участник

Shenzhen Guangdong China

Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун

последний раз поставщика входа: в рамках 14 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

СОТ-89-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов А42 (НПН)

ОСОБЕННОСТЬ

Низкое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера

Высокое пробивное напряжение

Отмечать: Д965А

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	310	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	305	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	5	В
И_К	Течение сборника - непрерывное	200	мамы
ИКМ	Пульсированное течение сборника -	500	мамы
П_К	Диссипация силы сборника	500	мВ
РθДжА	Термальное сопротивление от соединения к окружающему	250	℃/В
Т_Дж	Температура соединения	150	℃
Цтг	Температура хранения	-55~+150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=100ΜА, Т.Е. =0	310			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)	И_К=1мА, И_Б=0	305			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. =100ΜА, И_К=0	5			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=200В, Т.Е. =0			0,25	µА
	ИКЭС	В_КЭ=100В, В_С=5В			5	µА
		В_КЭ=300В, В_С=5В			10	µА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=5В, И_К=0			0,1	µА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (1)	В_КЭ=10В, И_К=1мА	60
	хФЭ (2)	В_КЭ=10В, И_К=10мА	100		300
	хФЭ (3)	В_КЭ=10В, И_К=30мА	75
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ	И_К=20мА, И_Б=2мА			0,2	В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя	(Сидеть) ВБЭ	И_К=20мА, И_Б=2мА			0,9	В
Частота перехода	ф_т	ВКЭ=20В, ИК=10мА, ф=30МХз	50			МХз

Типичные характеристики

Размеры плана пакета

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
	Минута	Макс	Минута	Макс
А	1,400	1,600	0,055	0,063
б	0,320	0,520	0,013	0,020
б1	0,400	0,580	0,016	0,023
к	0,350	0,440	0,014	0,017
Д	4,400	4,600	0,173	0,181
Д1	1,550 РЭФ.		0,061 РЭФ.
Э	2,300	2,600	0,091	0,102
Э1	3,940	4,250	0,155	0,167
е	1,500 ТИП.		0,060 ТИПА.
е1	3,000 ТИП.		0,118 ТИПА.
Л	0,900	1,200	0,035	0,047

Предложенный СОТ-89-3Л план пусковой площадки

Лента и вьюрок СОТ-89-3Л

Профиль Компании

CO. электроники Шэньчжэня Huaxuan Yang, Ltd. профессиональные изготовитель, экспортер и изготовитель электронных блоков китайских брендов. Главные продукты полупроводниковые устройства как транзисторы и диоды MOS. Наши продукты главным образом использованы для беспроводной поручать, заряжателя, переключая электропитания, электропитания UPS, балласта, аудио, энергосберегающих ламп, продуктов связи и других электронных блоков. Качество продукции, экологически дружелюбный и неэтилированный, прошло аттестацию системы управления качеством ISO 90012008, аттестацию CTI экологическую.

Компания всегда поддерживает веру которой «требования к клиента наше преследование, интересы клиента наши интересы» и придерживается к общему соображению дела целостности, трансцендентальности, профессионализма, и сработанности. Это не только качественный и недорогой продукт для клиентов, но также зависит на улучшении обслуживаний и концепций. Это было мостом через мир и интегрировано в глобальный экономический прилив.