Транзистор силы ММБТА56 НПН Дарлинтон, быстрый транзистор переключения НПН
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
СОТ-23 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов ММБТА56 (НПН)
ОСОБЕННОСТЬ
л общецелевые применения усилителя
Отмечать: 2ГМ
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | -80 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | -80 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | -4 | В |
| ИК | Течение сборника | -500 | мамы |
| ПК | Диссипация силы сборника | 225 | мВ |
| РΘДЖА | Термальное сопротивление от соединения к окружающему | 555 | ℃/В |
| Тдж | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Цтг | Температура хранения | -55~+150 | ℃ |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=-100ΜА, ИЭ=0 | -80 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК=-1мА, ИБ=0 | -80 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | ИЭ=-100ΜА, ИК=0 | -4 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ=-80В, ИЭ=0 | -0,1 | µА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ=-60В, ИБ=0 | -1 | µА | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | ИЭБО | ВЭБ=-4В, ИК=0 | -0,1 | µА | ||
| Увеличение ДК настоящее | хФЭ (1) | ВКЭ=-1В, ИК=-10мА | 100 | 400 | ||
| хФЭ (2) | ВКЭ=-1В, ИК=-100мА | 100 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК=-100мА, ИБ=-10мА | -0,25 | В | ||
| напряжение тока Основани-излучателя | ВБЭ | ВКЭ=-1В, ИК=-100мА | -1,2 | В | ||
| Частота перехода | фТ | ВКЭ=-1В, ИК=-100мА, ф=100МХз | 50 | МХз |
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| А1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| А2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| б | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| к | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| Д | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| Э | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| Э1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| е | 0,950 ТИПА | 0,037 ТИПА | ||
| е1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| Л | 0,550 РЭФ | 0,022 РЭФ | ||
| Л1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Типичные характеристики
Транзистор силы ММБТА56 НПН Дарлинтон, быстрый транзистор переключения НПН
Запрос Корзина
0