Излучателя транзистора переключения Б772 напряжение тока -5В высоковольтного НПН низкопробное
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
СОТ-89-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Б772 (НПН)
ОСОБЕННОСТЬ
Низкоскоростное переключение
Отмечать: Б772
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | -40 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | -30 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | -6 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | -3 | А |
| ПК | Диссипация силы сборника | 0,5 | В |
| РӨДЖА | Термальное сопротивление, соединение к окружающему | 250 | ℃/В |
| Тдж | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Цтг | Температура хранения | -55~150 | ℃ |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=-100μА, Т.Е. =0 | -40 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК= -10МА, ИБ=0 | -30 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = -100ΜА, ИК=0 | -6 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ= -40В, Т.Е. =0 | -1 | μА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ=-30В, ИБ=0 | -10 | μА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ=-6В, ИК=0 | -1 | μА | ||
| Увеличение ДК настоящее | хФЭ | ВКЭ= -2В, ИК= -1А | 60 | 400 | ||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК=-2А, ИБ= -0.2А | -0,5 | В | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК=-2А, ИБ= -0.2А | -1,5 | В | ||
Частота перехода |
фт | ВКЭ= -5В, ИК=-0.1А ф =10МХз |
50 |
МХз |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 |
| б | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
| б1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
| к | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
| Д | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
| Д1 | 1,550 РЭФ. | 0,061 РЭФ. | ||
| Э | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
| Э1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
| е | 1,500 ТИП. | 0,060 ТИПА. | ||
| е1 | 3,000 ТИП. | 0,118 ТИПА. | ||
| Л | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х
| Ряд | Р | О | И | ГР |
| Ряд | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Типичные характеристики
Излучателя транзистора переключения Б772 напряжение тока -5В высоковольтного НПН низкопробное
Запрос Корзина
0