Цепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПН
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
ТО-126 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Д882 (НПН)
ОСОБЕННОСТЬ
Диссипация силы
ОТМЕЧАТЬ
Код Д882=Девисе
Прибор твердые точка = литьевая масса зеленого цвета, если никакой, нормальный прибор СС=Коде
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| Д882 | ТО-126 | Большая часть | 200пкс/Баг |
| Д882-ТУ | ТО-126 | Трубка | 60пкс/Тубе |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 40 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 30 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 6 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 3 | А |
| ПК | Диссипация силы сборника | 1,25 | В |
| ТДж | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Цтг | Температура хранения | -55-150 | ℃ |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | Ик = 100μА, Т.Е. =0 | 40 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | Ик = 10мА, ИБ=0 | 30 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = 100μА, ИК=0 | 6 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ= 40 В, Т.Е. =0 | 1 | µА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ= 30 В, ИБ=0 | 10 | µА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 6 В, ИК=0 | 1 | µА | ||
| Увеличение ДК настоящее | хФЭ | ВКЭ= 2 в, ИК= 1А | 60 | 400 | ||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК= 2А, ИБ= 0,2 а | 0,5 | В | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК= 2А, ИБ= 0,2 а | 1,5 | В | ||
Частота перехода |
фт | ВКЭ= 5В, ИК=0.1А ф =10МХз |
90 |
МХз |
КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)
| Ряд | Р | О | И | ГР |
| Ряд | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 |
| А1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
| б | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| б1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| к | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
| Д | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
| Э | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
| е | 2,290 ТИП | 0,090 ТИПА | ||
| е1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
| х | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| Л | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
| Л1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
| П | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
| Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Цепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПН
Запрос Корзина
0