Транзисторы транзисторов силы ТО-92 подсказки Д882С НПН помещенные пластмассой

Место происхождения:Шэньчжэнь Китай

Количество минимального заказа:1000-2000 ПК

Упаковывая детали:Положенный в коробку

Срок поставки:1 до 2 недели

Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное

Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день

контакт

Add to Cart

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Активный участник

Shenzhen Guangdong China

Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун

последний раз поставщика входа: в рамках 14 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Д882С (НПН)

ОСОБЕННОСТЬ

Диссипация силы

ОТМЕЧАТЬ

Код Д882=Девисе

Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор

З=Ранк хФЭ, ССС=Коде

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали	Пакет	Способ уплотнения прокладками	Количество пакета
Д882С	ТО-92	Большая часть	1000пкс/Баг
Д882С-ТА	ТО-92	Лента	2000пкс/Бокс

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

Символ	Метр Пара	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	40	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	30	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	6	В
И_К	Течение сборника - непрерывное	3	А
П_Д	Диссипация силы сборника	625	мВ
Р0 ДЖА	Восходящий поток теплого воздуха сопротивляется соединению ром ф ансе к окружающему	200	Š/В
Т_дж	Температура соединения	150	Š
Цтг	Температура ораге Ст	-55 ~+150	Š

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_к = 100µА, Т.Е. =0	40			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)	И_к = 10мА, И_Б=0	30			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. = 100µА, И_К=0	6			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ= 40В, Т.Е. =0			1	μА
Течение выключения сборника	ИКЭО	В_КЭ= 30В, И_Б=0			10	μА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ= 6В, И_К=0			1	μА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ	В_КЭ=2В, И_К= 1А	60		400
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ	И_К= 2А, И_Б= 0,2 а			0,5	В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя	(Сидеть) ВБЭ	И_К= 2А, И_Б= 0,2 а			1,5	В
Частота перехода	ф_т	В_КЭ= 5В, Ик=0.1А ф =10МХз	50	80		МХз

КЛАССИФИКАЦИЯ _ФЭ х₍₂₎

Ряд	Р	О	И	ГР
Ряд	60-120	100-200	160-320	200-400

Типичные характеристики

Размеры плана пакета

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
	Минута	Макс	Минута	Макс
А	3,300	3,700	0,130	0,146
А1	1,100	1,400	0,043	0,055
б	0,380	0,550	0,015	0,022
к	0,360	0,510	0,014	0,020
Д	4,300	4,700	0,169	0,185
Д1	3,430		0,135
Э	4,300	4,700	0,169	0,185
е	1,270 ТИП		0,050 ТИПА
е1	2,440	2,640	0,096	0,104
Л	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
х	0,000	0,380	0,000	0,015

Профиль Компании

CO. электроники Шэньчжэня Huaxuan Yang, Ltd. профессиональные изготовитель, экспортер и изготовитель электронных блоков китайских брендов. Главные продукты полупроводниковые устройства как транзисторы и диоды MOS. Наши продукты главным образом использованы для беспроводной поручать, заряжателя, переключая электропитания, электропитания UPS, балласта, аудио, энергосберегающих ламп, продуктов связи и других электронных блоков. Качество продукции, экологически дружелюбный и неэтилированный, прошло аттестацию системы управления качеством ISO 90012008, аттестацию CTI экологическую.

Компания всегда поддерживает веру которой «требования к клиента наше преследование, интересы клиента наши интересы» и придерживается к общему соображению дела целостности, трансцендентальности, профессионализма, и сработанности. Это не только качественный и недорогой продукт для клиентов, но также зависит на улучшении обслуживаний и концепций. Это было мостом через мир и интегрировано в глобальный экономический прилив.