температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
СОТ-89-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 2Н3904 (НПН).
ОСОБЕННОСТЬ
Транзистор кремния Ÿ НПН эпитаксиальный плоскостный для переключать и применений усилителя
Порекомендовано Ÿ как комплементарный тип, транзистор 2Н3906 ПНП
Этот транзистор Ÿ также доступен в случае СОТ-23 с типовым обозначением ММБТ3904
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| 2Н3904 | ТО-92 | Большая часть | 1000пкс/Баг |
| 2Н3904-ТА | ТО-92 | Лента | 2000пкс/Бокс |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 60 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 40 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 6 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 0,2 | А |
| ПК | Диссипация силы сборника | 0,625 | В |
| ТДж | Температура соединения | 150 | Š |
| Цтг | Температура хранения | -55-150 | Š |
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=10ΜА, Т.Е. =0 | 60 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК= 1мА, ИБ=0 | 40 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = 10µА, ИК=0 | 6 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ=60В, Т.Е. =0 | 0,1 | µА | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭС | ВКЭ=30В, вЭБ() =3В | 0,05 | µА | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 5В, ИК=0 | 0,1 | µА | ||
Увеличение ДК настоящее | хФЭ1 | ВКЭ=1В, ИК=10мА | 100 | 400 | ||
| хФЭ2 | ВКЭ=1В, ИК=50мА | 60 | ||||
| хФЭ3 | ВКЭ=1В, ИК=100мА | 30 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК=50мА, ИБ=5мА | 0,3 | В | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК=50мА, ИБ=5мА | 0,95 | В | ||
| Частота перехода | фт | ВКЭ=20В, ИК=10мА, ф=100МХз | 300 | МХЗ | ||
| Время задержки | тд | ВКК=3В, ВБЭ=0.5В, ИК=10мА, ИБ1=1мА | 35 | нс | ||
| Время восхода | тр | 35 | нс | |||
| Продолжительность хранения | тс | ВКК=3В, ИК=10мА ИБ1=ИБ2=1мА | 200 | нс | ||
| Время падения | тф | 50 | нс |
КЛАССИФИКАЦИЯ хФЭ1
| Ряд | О | И | Г |
| Нге Ра | 100-200 | 200-300 | 300-400 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| А1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| б | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| к | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| Д | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| Д1 | 3,430 | 0,135 | ||
| Э | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| е | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
| е1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| Л | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| х | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Предложенный СОТ-89-3Л план пусковой площадки
Предложенный ТО-92 план пусковой площадки
ТО-92 7ДСХ ДКГ 5ХХО
температура хранения -55-150 плотности клеток держателя поверхности транзисторов серии подсказки 2Н3904 высокая
Запрос Корзина
0