Переключатель транзистора 3ДД13003 НПН, диссипация сборника транзисторов 1.25В серии подсказки
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
ТО-251-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13003 (НПН)
ОСОБЕННОСТЬ
Применения переключения силы
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 700 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 400 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 9 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 1,5 | А |
| ПК | Диссипация сборника | 1,25 | В |
| ТДЖ, Цтг | Температура соединения и хранения | -55~+150 | ℃ |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Животики =25 Š если не указано иное
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | Ик= 1мА, ИЭ=0 | 700 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | Ик= 10 мам, ИБ=0 | 400 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = 1мА, ИК=0 | 9 | В | ||
| Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ= 700В, Т.Е. =0 | 1 | мамы | ||
| Течение выключения сборника | ИКЭО | ВКЭ= 400В, ИБ=0 | 0,5 | мамы | ||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 9 В, ИК=0 | 1 | мамы | ||
Увеличение ДК настоящее | хФЭ (1) | ВКЭ= 5 В, ИК= 0,5 А | 8 | 40 | ||
| хФЭ (2) | ВКЭ= 5 в, ИК= 1.5А | 5 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК=1А, мамы ИБ= 250 | 0,6 | В | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК=1А, ИБ= 250мА | 1,2 | В | ||
| напряжение тока Основани-излучателя | ВБЭ | ИЭ= 2А | 3 | В | ||
Частота перехода |
фТ | ВКЭ=10В, Ик=100мА ф =1МХз |
5 |
МХз | ||
| Время падения | тф | ИК=1А, ИБ1=-ИБ2=0.2А ВКК=100В | 0,5 | µс | ||
| Продолжительность хранения | тс | ИК=250мА | 2 | 4 | µс |
КЛАССИФИКАЦИЯ хФЭ1
| Ряд | |||||||
| Ряд | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
КЛАССИФИКАЦИЯ тС
| Ряд | А1 | А2 | Б1 | Б2 |
| Ряд | 2-2.5 (μс) | 2.5-3 (μс) | 3-3.5 (μс) | 3.5-4 (μс) |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета ТО-92
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минимальный. | Макс. | Минимальный. | Макс. | |
| А | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
| А1 | 1,050 | 1,350 | 0,042 | 0,054 |
| Б | 1,350 | 1,650 | 0,053 | 0,065 |
| б | 0,500 | 0,700 | 0,020 | 0,028 |
| б1 | 0,700 | 0,900 | 0,028 | 0,035 |
| к | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| к1 | 0,430 | 0,580 | 0,017 | 0,023 |
| Д | 6,350 | 6,650 | 0,250 | 0,262 |
| Д1 | 5,200 | 5,400 | 0,205 | 0,213 |
| Э | 5,400 | 5,700 | 0,213 | 0,224 |
| е | 2,300 ТИП. | 0,091 ТИПА. | ||
| е1 | 4,500 | 4,700 | 0,177 | 0,185 |
| Л | 7,500 | 7,900 | 0,295 | 0,311 |
Переключатель транзистора 3ДД13003 НПН, диссипация сборника транзисторов 1.25В серии подсказки
Запрос Корзина
0